Micron ha cuestionado las ventajas de la arquitectura de memoria DRAM 4F², una tecnología que promete reducir el tamaño de las celdas y aumentar la densidad de almacenamiento. Durante una presentación sobre su hoja de ruta, el fabricante aseguró que… Leer más
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22 de octubre de 2026
Michael Dell, fundador y consejero delegado de Dell Technologies, ha advertido de que la escasez mundial de memoria DRAM y HBM podría agravarse durante 2027, impulsada por la expansión de los centros de datos destinados a inteligencia artificial. Según recoge… Leer más
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20 de octubre de 2026
Kingston Technology mantiene por 23º año consecutivo el liderazgo mundial entre los fabricantes de módulos DRAM, alcanzando una cuota de mercado del 62%. Los datos, recogidos por el medio japonés GDM, reflejan una posición especialmente dominante en una industria que… Leer más
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7 de octubre de 2026
Everspin Technologies ha demostrado lo que describe como la primera plataforma de memoria MRAM conectada mediante Compute Express Link (CXL), planteando una nueva capa de memoria persistente situada entre la DRAM convencional y el almacenamiento basado en NAND. La demostración… Leer más
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30 de septiembre de 2026
La DRAM de última generación estaría alcanzando un valor por unidad de superficie que hace apenas unos años habría resultado difícil de imaginar. Un análisis de Kurnal Insights calcula que la DRAM 1b genera un valor teórico de 0,654$ por… Leer más
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24 de septiembre de 2026
La industria china de memoria estaría reduciendo rápidamente su distancia tecnológica frente a Corea del Sur. Según estimaciones de la Korea Semiconductor Industry Association, la brecha habría quedado actualmente en tres años para HBM, dos años para DRAM y apenas… Leer más
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15 de septiembre de 2026
Valve mantiene sin cambios esenciales sus planes para una futura Steam Deck 2 pese a la actual escasez de memoria DRAM. Pierre-Loup Griffais, desarrollador de la compañía, explicó durante una entrevista con IGN que la situación del mercado no ha… Leer más
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15 de septiembre de 2026
Samsung ha ampliado su colaboración estratégica con ASML para acelerar la adopción de litografía High NA EUV en memoria y procesos avanzados, con un objetivo especialmente relevante: introducir esta tecnología en producción masiva de DRAM en 2028, lo que supondría la… Leer más
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8 de septiembre de 2026
SK hynix está acelerando con fuerza la migración de su producción DRAM hacia el nodo 1c, correspondiente a la sexta generación de sus procesos de clase 10 nm. Tras representar alrededor del 10% del volumen durante el primer trimestre de… Leer más
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7 de septiembre de 2026
La posible entrada de CXMT en la cadena de suministro de Apple vuelve a ganar fuerza. El fabricante chino de memoria ha asegurado que mantiene una posición abierta a colaborar con clientes globales de primer nivel, una declaración que llega… Leer más
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7 de septiembre de 2026
