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NP: Evolución de la tecnología avanzada de fundición para impulsar los límites de la Revolución Industrial 4.0

Hemos recibido una nota de prensa por parte de Samsung, os la dejamos a continuación:

Evolución de la tecnología avanzada de fundición para impulsar los límites de la Revolución Industrial 4.0

El Dr. ES Jung, Director de Samsung Foundry, habla en IEDM sobre el creciente papel de las fundiciones en las iniciativas futuras para tecnologías de próxima generación.

NP: Evolución de la tecnología avanzada de fundición para impulsar los límites de la Revolución Industrial 4.0

Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología avanzada de semiconductores, espera que las fundiciones desempeñen un papel cada vez más importante como proveedores de soluciones totales, ampliando los límites para un mayor compromiso en la era de la cuarta revolución industrial.

Durante el discurso de apertura del IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) de 2018, el Dr. ES Jung, presidente y jefe de Foundry Business en Samsung Electronics, compartió su visión de que la próxima revolución industrial solo puede darse por la continua evolución de la tecnología de semiconductores.

En su presentación “Cuarta revolución industrial y fundición: desafíos y oportunidades”, el Dr. Jung explicó que la evolución de las tecnologías avanzadas de fundición será crucial para permitir el diseño y la fabricación de productos semiconductores innovadores que llevarán nuestra vida cotidiana hacia nuevas y desconocidas direcciones.

 Las aplicaciones nuevas y emocionantes, como la inteligencia artificial, el cloud computing, los vehículos autónomos y el hogar inteligente, requieren tecnologías de alto nivel, incluyendo un diseño sofisticado y la optimización a nivel del sistema.

El Dr. Jung habló sobre las crecientes complejidades de la tecnología de semiconductores que han alterado el papel de la fundición de semiconductores, de ser un negocio de fabricación de obleas convencional a convertirse en un proveedor de soluciones totales. Hoy en día, las fundiciones ofrecen servicios de valor agregado, especialmente en las áreas de servicios de diseño e infraestructura, ingeniería de productos y empaquetado/pruebas.

Los semiconductores han evolucionado para ser más rápidos, tener más densidad y consumir menos energía, lo que permite desarrollar una amplia gama de nuevas e innovadoras aplicaciones. Además, para analizar las grandes cantidades de datos que estamos generando, y que continúan creciendo de manera exponencial, se tienen que desarrollar nuevas arquitecturas de memoria y nuevos esquemas informáticos, como por ejemplo la computación neuromórfica.

Ninguno de estos avances tecnológicos hubiera sido posible sin la colaboración de toda la industria de los semiconductores“, enfatizó el Dr. Jung. “Esta colaboración es primordial entre el material, el equipo, los dispositivos electrónicos, el gobierno, las universidades, los centros de investigación y los consorcios, para garantizar el éxito en la próxima cuarta revolución industrial“.

Nuevos hitos tecnológicos

El Dr. Jung también presentó algunas de las investigaciones y desarrollos recientes en la futura tecnología de silicio, incluida la MRAM, una solución de memoria no volátil integrada en el proceso lógico convencional, y la tecnología Gate-All-Around (GAA) de 3nm.

MRAM es uno de los ejemplos de nuevos dispositivos semiconductores que consumen mucha menos energía. A medida que aumenta la densidad de memoria, la eficiencia de potencia de MRAM se hace más potente, ya que consume solo el 0.5% de la potencia en comparación con SRAM a 1,024Mb. MRAM también tiene un área de celda más pequeña, lo que le permite flexibilidad en el diseño.

La tecnología GAA única de Samsung, llamada Multi-Bridge-Channel FET(MBCFET) utiliza múltiples canales nanosheet apilados verticalmente. Con un ancho variable de nanosheet, esta tecnología proporciona no solo un rendimiento óptimo y características de potencia, sino también una gran flexibilidad de diseño. Además, MBCFET se fabrica utilizando el 90% o más del proceso FinFET con solo unas pocas máscaras revisadas, lo que permite una migración fácil.

Además, en uno de sus artículos recientemente publicados en 2018 IEDM, Samsung Electronics compartió el progreso de desarrollo de 3nm, una demostración exitosa de un circuito SRAM de alta densidad completamente funcional. El desarrollo del primer nodo de proceso de Samsung que aplica la tecnología MBCFET está programado.

Para más información, por favor consulte https://www.samsungfoundry.com

NP: Intel da a conocer el Intel Neural Compute Stick 2 en la conferencia Intel AI Devcon de Beijing para la creación de dispositivos más inteligentes basados en AI en el extremo de la red

Hemos recibido una nota de prensa por parte de Intel, os la dejamos a continuación:

Intel da a conocer el Intel Neural Compute Stick 2 en la conferencia Intel AI Devcon de Beijing para la creación de dispositivos más inteligentes basados en AI en el extremo de la red

NP: Intel da a conocer el Intel Neural Compute Stick 2 en la conferencia Intel AI Devcon de Beijing para la creación de dispositivos más inteligentes basados en AI en el extremo de la red
Intel Corporation ha presentado el Intel Neural Compute Stick 2 en la conferencia Intel AI Devcon celebrada en Pekín. Diseñado para el uso de algoritmos más inteligentes para AI y para la elaboración de prototipos para visión por ordenador en el borde de la red, el Intel Neural Compute Stick 2 permite las pruebas, los ajustes y los prototipos basados en redes neuronales profundas, para permitir a los desarrolladores el paso de la creación de prototipos a la fase de producción. (Foto: Intel Corporation)

Intel celebra su primera conferencia de desarrolladores de soluciones basadas en inteligencia artificial (AI) en Beijing los días 14 y 15 de noviembre. La compañía comenzó el evento con la presentación del Intel® Neural Compute Stick 2 (Intel NCS 2), una unidad diseñada para la creación de algoritmos más inteligentes basados en AI que puede utilizarse para la elaboración de prototipos para visión por ordenador en dispositivos situados en el borde de la red. Basado en la unidad de procesamiento de visión (VPU) Intel® Movidius™ Myriad™ X  (VPU) y con soporte del conjunto de herramientas de Intel® Distribution of OpenVINO™, Intel NCS 2 acelera de forma asequible la velocidad de desarrollo de aplicaciones para inferencias basadas en redes neuronales profundas, ofreciendo al mismo tiempo un incremento de rendimiento en comparación con la generación previa del Neural Compute Stick. El Intel NCS 2 permite las pruebas, los ajustes y los prototipos basados en redes neuronales profundas, para que los desarrolladores puedan pasar de la creación de prototipos a la fase de producción, aprovechando una amplia gama de formatos de aceleradores de visión de Intel en aplicaciones del mundo real.

“La primera generación del Intel Neural Compute Stick puso en marcha a toda una comunidad de desarrolladores de soluciones basadas en AI, proporcionando unos formatos y unos precios no vistos hasta entonces. Estamos encantados de ver lo que va a poder crear esta comunidad en el futuro con el fuerte incremento en capacidad informática que va a facilitar el Intel Neural Compute Stick 2”.
–Naveen Rao, vicepresidente corporativo y director general del AI Products Group en Intel

El suministro de visión por ordenador y la tecnología de AI al Internet de las Cosas (IoT) y a los prototipos de dispositivos en el borde de la red se va a simplificar más con el incremento de capacidad que ofrece el Intel NCS 2. Para los desarrolladores que trabajan en cámaras inteligentes, drones, robots para uso industrial o en el siguiente dispositivo imprescindible para el hogar inteligente, Intel NCS 2 ofrece lo necesario para la elaboración de prototipos de forma más rápida e inteligente.

Lo que parece como una sencilla y pequeña unidad USB estándar, esconde muchas más sorpresas en su interior. Intel NCS 2 utiliza la última generación del Intel VPU – el Intel Movidius Myriad X VPU – y es el primer dispositivo de este tipo que cuenta con un motor informático neuronal – un acelerador de hardware especializado en inferencias basadas en redes neuronales que ofrece un mayor rendimiento. Junto a la distribución del Intel® Distribution of OpenVINO™ compatible con un mayor número de redes, Intel NCS 2 proporciona a los desarrolladores una mayor flexibilidad a la hora de crear prototipos. Asimismo, gracias al ecosistema del programa Intel® AI: In Production, los desarrolladores pueden ahora llevar sus prototipos basados en Intel NCS 2 a otros formatos para la producción de diseños.

Con un portátil y con Intel NCS 2, los desarrolladores podrán tener sus aplicaciones basadas en AI y en visión por ordenador operativas en tan solo unos minutos. Intel NCS 2 funciona en un puerto USB 3.0 estándar y no requiere hardware adicional, para permitir a los usuarios convertir con facilidad e instalar posteriormente modelos entrenados en PC para una amplia gama de dispositivos de forma nativa y sin conectividad a Internet o a la nube.

La primera generación de Intel NCS, lanzada en julio de 2017, ha potenciado a una comunidad de decenas de miles de desarrolladores, se ha utilizado en más más de 700 vídeos de desarrolladores  y se ha empleado en docenas de estudios de investigación. Ahora, con el mayor rendimiento del NCS 2, Intel potencia a la comunidad de desarrolladores que desean utilizar tecnología de AI para la creación de unas aplicaciones incluso más ambiciosas.

Más de 1.000 desarrolladores e investigadores que utilizan AI, además de clientes y seguidores de las tecnologías de Intel, se reúnen en la conferencia Intel® AI DevCon de Pekín para colaborar en el desarrollo de la tecnología de AI y para conocer las últimas noticias sobre la cartera de tecnologías de Intel para AI, incluyendo:

  • Cascade Lake, el próximo procesador Escalable Intel® Xeon® que va a contar con memoria persistente Intel® Optane™ DC y un nuevo conjunto de prestaciones para AI conocidas como Intel DL Boost. Este acelerador de AI embebido se espera que agilice las cargas de trabajo para inferencias mediante aprendizaje profundo, con mejoras en reconocimiento de imagen en comparación con los procesadores Escalables Intel Xeon actuales. Se estima que Cascade Lake comience a distribuirse ese año, con una comercialización general en 2019.
  • Los productos Vision Accelerator Design Products de Intel dirigidos para mejorar el rendimiento de los análisis e inferencias basados en AI en dispositivos en el borde de la red se ofrecen en dos formatos: uno que incluye Intel Movidius VPU y otro basado en el FPGA Intel® Arria® 10 de alto rendimiento. Son unas soluciones para aceleradores basadas en el conjunto de herramientas de OpenVINO que ofrecen a los desarrolladores mejoras en el rendimiento de redes neuronales en una amplia variedad de productos de Intel, además de ayudarles a realizar análisis y extraer información de imágenes de una manera más rentable y en tiempo real en sus dispositivos de IoT.
  • Spring Crest es el procesador de redes neuronales (NNP) de Intel® Nervana™ que se va a encontrar disponible en el mercado en 2019. Los NNP Intel Nervana aprovechan las características informáticas específicas basadas en aprendizaje profundo para AI, como las multiplicaciones de matrices densas y las interconexiones personalizadas para paralelismo.

Intel y el logotipo de Intel son marcas comerciales de Intel Corporation en EE.UU. y en otros países.