Kioxia ha comenzado a enviar muestras de sus nuevos dispositivos BiCS FLASH de novena generación con 1 Tb TLC, dirigidos a ordenadores y smartphones con funciones de inteligencia artificial. La memoria utiliza un proceso de apilamiento de 230 capas y alcanza una interfaz NAND de 4,8 Gb/s.
La velocidad representa una mejora del 33% frente a la octava generación e iguala la cifra anunciada para BiCS FLASH 10. Sin embargo, las muestras se destinan únicamente a comprobaciones funcionales y sus especificaciones podrían cambiar antes de que comience la fabricación comercial.
Cada die ofrece 1 Tb, equivalente a 128 GB de capacidad física
La denominación 1 Tb se refiere a un terabit por dispositivo de memoria, no a un SSD de 1 TB. Al convertir bits en bytes, cada die proporciona aproximadamente 128 GB de capacidad física, antes de descontar las áreas reservadas, los bloques defectuosos, el formato y otros recursos internos necesarios para gestionar la NAND.
Los fabricantes pueden combinar varios dies dentro de un mismo encapsulado para crear dispositivos UFS, SSD o soluciones integradas con capacidades superiores. La cantidad útil final dependerá de la configuración del producto, el número de chips, el controlador y la reserva aplicada para gestión y fiabilidad.
Las características principales anunciadas por Kioxia quedan organizadas así:
- Tecnología: KIOXIA BiCS FLASH de novena generación
- Tipo de memoria: TLC con 3 bits por celda
- Capacidad por dispositivo: 1 Tb, equivalente a aproximadamente 128 GB
- Apilamiento: 230 capas
- Interfaz NAND: hasta 4,8 Gb/s
- Mejora frente a BiCS FLASH 8: un 33% más de velocidad de interfaz
- Tecnologías de fabricación: CBA y OPS
- Estado actual: envío de muestras a clientes
- Aplicaciones previstas: PC y smartphones con IA de capacidad baja o media
Kioxia no ha comunicado qué fabricantes están evaluando las muestras, cuándo comenzará la producción masiva ni qué dispositivos comerciales utilizarán esta memoria. Tampoco ha publicado cifras completas de lectura, escritura, latencia, consumo o resistencia, impidiendo comparar todavía el rendimiento real frente a otras NAND TLC.
La novena generación prioriza el rendimiento sin disparar la inversión
La estrategia de Kioxia divide el desarrollo de BiCS FLASH en dos líneas paralelas. La novena generación combina tecnologías de celdas ya utilizadas en productos anteriores con circuitos CMOS más avanzados, buscando mejorar el rendimiento y la eficiencia sin reemplazar completamente la infraestructura de fabricación existente.
En cambio, BiCS FLASH de décima generación utiliza 332 capas y está orientada a soluciones que necesitan mayor densidad, capacidad y rendimiento, especialmente SSD empresariales y centros de datos. Kioxia atribuye a esta tecnología un 59% más de densidad de bits frente a la octava generación, además de mejoras energéticas en lectura y escritura.
Ambas generaciones alcanzan una interfaz NAND de 4,8 Gb/s, pero compartir la misma velocidad máxima no significa que proporcionen idéntico rendimiento global. La décima generación mantiene ventajas potenciales en densidad, capacidad por oblea y eficiencia, mientras que la novena busca una relación más equilibrada entre prestaciones y coste industrial.
Esta diferenciación permite reservar la tecnología de 332 capas para productos de gran capacidad y utilizar BiCS FLASH 9 en dispositivos donde resulta más importante controlar el precio. Los PC y móviles de gama media podrían beneficiarse así de una interfaz rápida sin asumir necesariamente el coste asociado a los procesos de apilamiento más complejos.
CBA separa la matriz de memoria de los circuitos CMOS
La tecnología CMOS directly Bonded to Array o CBA fabrica por separado la oblea que contiene las celdas NAND y la que integra los circuitos CMOS encargados de controlarlas. Después, ambas superficies se alinean y unen mediante un proceso de bonding de alta precisión.
Esta separación permite optimizar individualmente la matriz de memoria y la lógica de control, evitando que los tratamientos térmicos necesarios para fabricar las celdas condicionen el rendimiento de los transistores CMOS. La producción paralela de ambas obleas también puede reducir determinados tiempos de fabricación frente a construir todos los componentes de manera secuencial.
La segunda tecnología utilizada es On-Pitch Select Gate Drain u OPS, que elimina áreas y orificios de memoria sin utilidad situados entre las celdas. Esta organización permite colocar más memoria dentro de la misma superficie, acortar las líneas de bits y reducir la capacitancia asociada a las líneas de palabra.
Kioxia ya introdujo CBA y OPS con BiCS FLASH de octava generación, por lo que la novena no representa una arquitectura completamente nueva. Su avance consiste en combinar el apilamiento basado en la tecnología anterior con circuitos CMOS más modernos, aprovechando procesos ya desarrollados para limitar la inversión adicional.
Los 4,8 Gb/s no equivalen a la velocidad final del almacenamiento
La cifra de 4,8 Gb/s describe la velocidad de la interfaz de cada dispositivo NAND bajo las condiciones de prueba utilizadas por Kioxia. No equivale directamente al rendimiento secuencial de un SSD, un módulo UFS o un smartphone, porque el resultado final depende de cuántos canales funcionan en paralelo y de cómo los gestiona el controlador.
El firmware, la caché, el encapsulado, la temperatura y la cantidad de dies también condicionarán la velocidad sostenida. Un dispositivo puede integrar una NAND muy rápida y quedar limitado por la interfaz del sistema, el controlador o una configuración con pocos canales, especialmente dentro de móviles y portátiles económicos.
Las aplicaciones de inteligencia artificial local pueden beneficiarse de un almacenamiento más rápido al cargar modelos, pesos, bases vectoriales y grandes conjuntos de datos, pero la NAND no sustituye a la RAM ni a la memoria dedicada de la NPU. Su función consiste en reducir los tiempos de carga y alimentar con mayor rapidez las capas superiores de memoria.
El posicionamiento para capacidades bajas y medias revela que Kioxia no pretende utilizar esta generación únicamente en dispositivos prémium. Su viabilidad comercial dependerá de que los fabricantes consigan trasladar los 4,8 Gb/s y el proceso de 230 capas a productos competitivos en coste, consumo y rendimiento sostenido.
Vía: TechPowerUp
