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Samsung agota su suministro de HBM para 2027 y prevé escasez de memoria hasta 2028

Samsung agota su suministro de HBM para 2027 y prevé escasez de memoria hasta 2028

Samsung ha confirmado que toda su producción prevista de memoria HBM para 2027 ya está comprometida con sus clientes, mientras anticipa que las restricciones de suministro podrían prolongarse hasta 2028. Durante la presentación de sus resultados del tercer trimestre de 2026, el fabricante surcoreano advirtió de que la demanda vinculada a la inteligencia artificial continuará superando … Samsung agota su suministro de HBM para 2027 y prevé escasez de memoria hasta 2028

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Sergio Calero Perez
Profesor de formación vial, fanático del hardware y adicto a los videojuegos.

Nintendo Switch 2 Lite podría aprovechar los 8 nm 8LPU+ de Samsung para reducir consumo y costes

Nintendo Switch 2 Lite podría aprovechar los 8 nm 8LPU+ de Samsung para reducir consumo y costes

Samsung está preparando su nuevo proceso de fabricación 8LPU+ de 8 nm, una tecnología que podría utilizarse en una futura Nintendo Switch 2 Lite. La compañía surcoreana promete un 12% más de rendimiento, un 15% menos de consumo y una reducción del 8% en el área lógica respecto a 8LPU, unas mejoras que encajarían con … Nintendo Switch 2 Lite podría aprovechar los 8 nm 8LPU+ de Samsung para reducir consumo y costes

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Sergio Calero Perez
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Samsung y SK hynix negocian suministros de DRAM hasta 2035 para los gigantes chinos de IA

Samsung y SK hynix negocian suministros de DRAM hasta 2035 para los gigantes chinos de IA

Alibaba, Tencent y ByteDance estarían negociando con Samsung Electronics y SK hynix nuevos acuerdos de suministro de memoria DRAM para servidores de inteligencia artificial, ante las dificultades para conseguir suficiente producción de los fabricantes chinos. Algunas compañías habrían solicitado contratos de hasta diez años de duración, con entregas previstas hasta 2035, superando ampliamente los plazos … Samsung y SK hynix negocian suministros de DRAM hasta 2035 para los gigantes chinos de IA

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Análisis Samsung Galaxy Watch9 (40 mm): el salto a Snapdragon que no resuelve la autonomía

Análisis Samsung Galaxy Watch9 (40 mm): el salto a Snapdragon que no resuelve la autonomía

Hola a todos y bienvenidos de nuevo Fanátic@s. Hoy os traemos el Samsung Galaxy Watch9, en su versión de 40 mm con conectividad Bluetooth y acabado Cream, el reloj de gama media alta que Samsung presentó en el Unpacked del 22 de julio y que lleva casi tres meses en las tiendas. Mantiene el diseño del … Análisis Samsung Galaxy Watch9 (40 mm): el salto a Snapdragon que no resuelve la autonomía

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M3neillos
Ingeniero, aficionado a los videojuegos y un apasionado del hardware.

Samsung pediría hasta un 25% más que SK hynix por su memoria HBM para centros de datos

Samsung pediría hasta un 25% más que SK hynix por su memoria HBM para centros de datos

Samsung estaría solicitando precios hasta un 25% superiores a los de SK hynix por su memoria HBM, utilizada en aceleradoras de inteligencia artificial y servidores de alto rendimiento. Las estimaciones también sitúan sus tarifas por encima de las de Micron, una diferencia que estaría relacionada principalmente con la capacidad del fabricante surcoreano para garantizar suministros … Samsung pediría hasta un 25% más que SK hynix por su memoria HBM para centros de datos

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Samsung Exynos 2700 superaría hasta un 20% al Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 en pruebas internas

Samsung Exynos 2700 superaría hasta un 20% al Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 en pruebas internas

Samsung habría conseguido que su próximo procesador Exynos 2700 superara hasta un 20% al Qualcomm Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 en determinadas pruebas internas de rendimiento. Los resultados apuntan a una ventaja tanto en procesamiento multinúcleo como en cargas gráficas exigentes, aunque las diferencias se reducen considerablemente al utilizar otras pruebas de GPU. La … Samsung Exynos 2700 superaría hasta un 20% al Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6 en pruebas internas

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Samsung ampliaría su fábrica de 2 nm en Texas hasta alcanzar 20.000 obleas mensuales en 2027

Samsung ampliaría su fábrica de 2 nm en Texas hasta alcanzar 20.000 obleas mensuales en 2027

Samsung Electronics estaría preparando una nueva ampliación de su fábrica Taylor Fab 1, situada en Texas (Estados Unidos), con el objetivo de alcanzar una capacidad de producción de 20.000 obleas mensuales mediante su proceso de 2 nm durante la segunda mitad de 2027. La compañía habría comenzado a encargar maquinaria adicional para aprovechar el espacio … Samsung ampliaría su fábrica de 2 nm en Texas hasta alcanzar 20.000 obleas mensuales en 2027

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Samsung trasladaría el módem M2800 a 2 nm para liberar capacidad HBM y acercarse a Qualcomm

Samsung trasladaría el módem M2800 a 2 nm para liberar capacidad HBM y acercarse a Qualcomm

Samsung estaría preparando un cambio importante en su estrategia de fabricación de semiconductores, con el desarrollo del módem 5G M2800 mediante su proceso de 2 nm, abandonando los 4 nm utilizados hasta ahora en esta categoría de chips. La decisión estaría relacionada con la reorganización de sus líneas de producción de 4 nm para fabricar … Samsung trasladaría el módem M2800 a 2 nm para liberar capacidad HBM y acercarse a Qualcomm

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Samsung recurriría a TSMC para fabricar a 3 nm el chip base de la memoria NVHBM de NVIDIA

Samsung recurriría a TSMC y sus 3 nm para fabricar el chip base de la memoria NVHBM de NVIDIA

Samsung estaría preparando una colaboración con TSMC para fabricar mediante su proceso de 3 nm el chip base de la memoria NVHBM de NVIDIA. La información apunta a un acuerdo de fabricación entre dos de los principales competidores del sector de semiconductores, motivado por los requisitos técnicos de esta nueva tecnología de memoria de alto … Samsung recurriría a TSMC para fabricar a 3 nm el chip base de la memoria NVHBM de NVIDIA

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Samsung Taylor Fab 2 comenzará a construirse en noviembre con producción prevista para 2030

Samsung Taylor Fab 2 comenzará a construirse en noviembre con producción prevista para 2030

Samsung comenzará la construcción de Taylor Fab 2, su segunda fábrica de semiconductores en Taylor, Texas, durante noviembre de 2026, con el objetivo de iniciar la producción en masa en 2030. Las nuevas instalaciones ocuparán aproximadamente 251.000 m² y ampliarán la capacidad de fabricación de chips avanzados de la compañía en Estados Unidos. La información, … Samsung Taylor Fab 2 comenzará a construirse en noviembre con producción prevista para 2030

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