Samsung Electronics podría haber conseguido importantes pedidos de chips base para memoria HBM destinados a AMD y NVIDIA, cuya fabricación se realizaría en su futura planta Taylor Fab 2, situada en Texas. Según una investigación publicada por Maeil Business Newspaper, AMD concentraría prácticamente toda la capacidad inicialmente comprometida, mientras que la instalación utilizaría tecnología de fabricación de 2 nm.
La compañía surcoreana tiene previsto iniciar la construcción principal de Taylor Fab 2 durante noviembre de 2026, instalar los equipos desde febrero de 2029 y comenzar la producción en masa en 2030. Aunque Samsung ya mantiene acuerdos comerciales con AMD, todavía no ha confirmado los contratos específicos ni los volúmenes de fabricación atribuidos a esta segunda planta.
AMD concentraría la mayor parte de los pedidos de Taylor Fab 2
Según las fuentes industriales consultadas por Maeil Business Newspaper, Samsung habría comprometido toda la capacidad prevista de Taylor Fab 2 para fabricar chips base de HBM destinados principalmente a AMD y, en menor medida, a NVIDIA. La demanda atribuida a AMD sería suficientemente elevada como para dejar un margen reducido para incorporar nuevos clientes.
La instalación tendrá una superficie aproximada de 250.000 m², equivalente a 2,7 millones de pies cuadrados, y será alrededor de un 50% más grande que la primera fábrica de Samsung en Taylor. Los trabajos de preparación del terreno ya habrían finalizado, permitiendo comenzar las siguientes fases de construcción durante este mes.
El calendario distingue claramente la puesta en marcha de ambas instalaciones. Taylor Fab 1 tiene previsto comenzar sus operaciones durante 2027, mientras que la segunda fábrica no alcanzaría la producción comercial hasta 2030. Samsung había comunicado anteriormente su intención de iniciar las obras de Fab 2 antes de finalizar 2026, pero sin identificar públicamente a sus futuros clientes.
La primera planta también está vinculada a un importante contrato de fabricación con Tesla, anunciado en 2025. Los pedidos atribuidos ahora a AMD ampliarían la presencia de Samsung Foundry entre los grandes clientes estadounidenses, aunque todavía se desconocen las condiciones económicas, la duración de los acuerdos y la distribución definitiva de la capacidad productiva.
Los chips base HBM de 2 nm permitirían integrar lógica más avanzada
La fabricación prevista en Texas no corresponde a las capas convencionales de memoria DRAM. Samsung produciría los chips lógicos situados en la base de las pilas HBM, responsables de gestionar la comunicación entre las capas de memoria y el acelerador al que están conectadas.
Estos componentes, conocidos como base dies, adquieren mayor importancia conforme aumenta la velocidad de transferencia y aparecen funciones de gestión más complejas. Utilizar procesos avanzados permite integrar lógica adicional y optimizar determinados circuitos de comunicación, aunque las mejoras reales dependen del diseño y no únicamente del nodo de fabricación.
Actualmente, Samsung fabrica sus memorias HBM4 mediante chips DRAM desarrollados con su proceso 1c y chips base de 4 nm. La compañía también utiliza esta generación de lógica en HBM4E, por lo que el salto a 2 nm previsto para Taylor Fab 2 estaría destinado a productos posteriores, cuya configuración todavía no se ha especificado.
El planteamiento industrial consistiría en fabricar los chips base en Estados Unidos y combinarlos posteriormente con memoria DRAM producida en Corea del Sur. De esta manera, Samsung podría encargarse tanto de la fabricación de los componentes como de su integración en productos HBM completos, aunque el informe no concreta dónde se realizarían todas las operaciones de encapsulado.
Samsung y AMD ya mantienen un acuerdo para suministrar memoria HBM4
La posible adjudicación no surge de una relación comercial nueva. Samsung y AMD firmaron el 18 de marzo de 2026 un acuerdo de colaboración para suministrar memoria HBM4 a los aceleradores Instinct MI455X, además de desarrollar soluciones DDR5 destinadas a procesadores EPYC y sistemas de inteligencia artificial.
Aquella colaboración también contemplaba estudiar oportunidades de fabricación de semiconductores mediante Samsung Foundry. Sin embargo, el acuerdo de marzo no identificaba Taylor Fab 2 ni confirmaba pedidos de chips base fabricados a 2 nm, por lo que la información actual representaría una ampliación de las actividades previstas entre ambas compañías.
Para AMD, disponer de un proveedor que combine memoria DRAM, fabricación de lógica avanzada y capacidades de encapsulado podría simplificar determinadas etapas de suministro. Esto no garantiza menores costes ni un rendimiento superior de sus aceleradores, pero sí permitiría coordinar el diseño y la producción de componentes que deben funcionar conjuntamente.
NVIDIA buscaría centralizar los chips base NVHBM en TSMC
La situación de NVIDIA presenta una diferencia importante. Aunque el informe menciona pedidos de HBM destinados a la compañía, NVIDIA estaría solicitando a Samsung, SK hynix y Micron que utilicen TSMC para fabricar los chips base de su futura memoria personalizada NVHBM.
Esta estrategia buscaría reducir las diferencias de rendimiento y las necesidades de validación entre memorias fabricadas por distintos proveedores. Utilizar una misma tecnología de fabricación para la lógica base facilitaría establecer características comunes, aunque los chips DRAM continuarían dependiendo de las capacidades de cada fabricante.
La aparente contradicción tiene una explicación: los pedidos actuales de HBM convencional y la futura fabricación de NVHBM no tienen por qué seguir exactamente la misma cadena de suministro. NVIDIA podría continuar utilizando determinadas memorias Samsung mientras centraliza en TSMC la lógica de próximas generaciones personalizadas.
Según Maeil Business Newspaper, Samsung también estaría evaluando sus propios procesos para fabricar chips base NVHBM, especialmente ante la posibilidad de que TSMC no disponga de suficiente capacidad. No obstante, NVIDIA no ha confirmado una adjudicación de este tipo a Samsung, y su posible participación sigue siendo incierta.
Samsung busca ampliar su negocio de fabricación avanzada más allá de Tesla
Los resultados financieros del tercer trimestre de 2026 ya mostraban un crecimiento de Samsung Foundry impulsado parcialmente por mayores ventas de chips base HBM y nuevos contratos vinculados a procesos de 2 nm. La compañía también prevé ampliar sus capacidades de fabricación avanzada durante los próximos años.
Sin embargo, la supuesta ocupación completa de Taylor Fab 2 no cuenta todavía con confirmación oficial. Samsung ha indicado que no puede proporcionar información sobre sus clientes, mientras que el informe surcoreano tampoco publica cifras de producción, ingresos previstos ni características concretas de los componentes encargados.
De confirmarse, la adjudicación de chips base HBM para AMD supondría un avance para Samsung Foundry en un segmento donde TSMC mantiene una posición especialmente relevante. Su impacto industrial dependerá de que Taylor Fab 2 cumpla el calendario de 2030, alcance rendimientos de fabricación adecuados y consiga mantener pedidos suficientes para aprovechar su capacidad productiva.
Vía: Wccftech
