Samsung Electronics estaría preparando una nueva ampliación de su fábrica Taylor Fab 1, situada en Texas (Estados Unidos), con el objetivo de alcanzar una capacidad de producción de 20.000 obleas mensuales mediante su proceso de 2 nm durante la segunda mitad de 2027. La compañía habría comenzado a encargar maquinaria adicional para aprovechar el espacio disponible en unas instalaciones cuya entrada en funcionamiento está prevista para finales de este año.
Según una investigación publicada por ZDNet Korea, el nuevo pedido permitiría incorporar 6.000 obleas mensuales adicionales de capacidad, que se sumarían a las 10.000 contempladas en inversiones anteriores y a las líneas piloto ya instaladas. Este movimiento reforzaría la presencia de Samsung Foundry en Estados Unidos, donde pretende competir por contratos de fabricación de semiconductores avanzados frente a TSMC e Intel.
Samsung encarga maquinaria para ampliar la capacidad de Taylor Fab 1
Las fuentes industriales consultadas por ZDNet Korea señalan que Samsung ha comenzado a realizar pedidos de equipamiento para incorporar nuevas líneas de fabricación de 2 nm. La llegada de esta maquinaria está prevista a partir de finales de 2026, mientras su instalación y puesta a punto continuarían durante el próximo año.
El fabricante ya había iniciado a finales de 2025 una primera fase de inversión destinada a proporcionar una capacidad de aproximadamente 10.000 obleas mensuales. La ampliación actual añadiría otras 6.000, completando progresivamente el espacio reservado para maquinaria dentro de Taylor Fab 1.
La diferencia hasta las 20.000 obleas mensuales previstas corresponde a la capacidad de producción piloto incorporada durante las primeras etapas del proyecto. Según las fuentes surcoreanas, la combinación de estas instalaciones permitiría alcanzar el límite de capacidad contemplado en el diseño actual de la fábrica.
Sin embargo, encargar maquinaria no equivale a disponer inmediatamente de capacidad productiva operativa. Los equipos necesitan instalarse, calibrarse e integrarse con las diferentes etapas del proceso, un procedimiento especialmente complejo en las fábricas que utilizan litografía ultravioleta extrema (EUV).
Las 20.000 obleas mensuales dependerán de los rendimientos de fabricación
El objetivo de Samsung consiste en alcanzar la capacidad nominal de Taylor Fab 1 durante el segundo semestre de 2027, una vez completada la incorporación de los nuevos equipos. Esto permitiría ampliar progresivamente los encargos atendidos mediante su tecnología de fabricación de 2 nm.
No obstante, la capacidad mensual de procesar obleas no debe confundirse con el número de chips funcionales obtenidos. Cada oblea puede contener numerosas unidades de un semiconductor, pero la cantidad aprovechable depende de su superficie, la complejidad del diseño y el porcentaje de componentes que superan las pruebas de funcionamiento.
Este último factor, conocido como yield o rendimiento de fabricación, resulta especialmente importante en los procesos avanzados. Una planta capaz de procesar 20.000 obleas mensuales puede generar resultados comerciales muy diferentes según su tasa de chips funcionales, por lo que ampliar la maquinaria es solo una parte del desafío.
La demanda también determinará cómo se utiliza esa capacidad. Taylor figura entre las instalaciones elegidas para fabricar futuros semiconductores de Tesla, aunque las fuentes consultadas no detallan qué proporción de las 20.000 obleas quedaría reservada para este cliente ni cómo se distribuirían los demás encargos.
El proceso de 2 nm utiliza transistores GAA con tecnología MBCFET
La ampliación se centrará en la tecnología de fabricación de 2 nm de Samsung, basada en transistores de tipo Gate-All-Around (GAA). A diferencia de los diseños FinFET anteriores, esta arquitectura permite rodear el canal del transistor con la puerta de control, mejorando sus características eléctricas.
Samsung utiliza su propia implementación, denominada Multi-Bridge Channel FET (MBCFET), basada en canales formados por láminas de silicio apiladas. La compañía introdujo esta arquitectura en su generación de 3 nm y la ha desarrollado posteriormente para sus procesos más avanzados.
Su principal ventaja es la posibilidad de mejorar el control de la corriente y reducir determinadas pérdidas eléctricas, factores que pueden contribuir a aumentar la eficiencia energética. Sin embargo, las mejoras reales dependen de las características del proceso y del diseño concreto de cada semiconductor.
En este segmento, TSMC e Intel también desarrollan tecnologías de fabricación con transistores GAA, aunque sus implementaciones y calendarios industriales son diferentes. Por tanto, compartir la denominación de 2 nm no significa que los tres fabricantes ofrezcan exactamente la misma densidad, consumo o rendimiento.
Para Samsung Foundry, la ampliación de Taylor representa una oportunidad para aumentar la escala de producción de sus procesos más avanzados. Además de ofrecer capacidad, deberá demostrar que puede fabricar grandes volúmenes con costes y rendimientos competitivos.
Diagrama de Samsung que muestra la evolución de los transistores FinFET a GAAFET y MBCFET. Su proceso de 3 nm utiliza transistores GAAFET desarrollados en colaboración con IBM. Fuente de la imagen: Samsung Electronics.
Taylor Fab 2 comenzaría su construcción en 2026 para producir en 2030
La expansión del complejo estadounidense no terminará con Taylor Fab 1. Samsung también mantiene sus planes de comenzar la construcción de Taylor Fab 2 antes de finalizar 2026, con el objetivo de iniciar su producción comercial durante 2030.
Según ZDNet Korea, la compañía ya ha solicitado a diferentes proveedores de maquinaria que adelanten las certificaciones de seguridad necesarias para instalar sus futuros equipos. Este trabajo preparatorio permitiría reducir determinadas dificultades cuando comience la incorporación de maquinaria a la segunda fábrica.
Ambos proyectos tendrán calendarios diferentes. Taylor Fab 1 debería comenzar a operar antes de terminar 2026 y aumentar su capacidad durante 2027, mientras que Taylor Fab 2 constituye una ampliación a más largo plazo, cuyas especificaciones definitivas todavía no se han detallado.
La inversión en Taylor forma parte de la estrategia industrial de Samsung para ampliar la fabricación de semiconductores avanzados en Estados Unidos, acercando parte de su producción a clientes interesados en desarrollar chips de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento.
Por ahora, el objetivo de 20.000 obleas mensuales procede de las fuentes industriales consultadas por ZDNet Korea, mientras Samsung ha confirmado anteriormente su intención de iniciar las operaciones de Taylor Fab 1 en 2026 y ampliar progresivamente su producción de 2 nm. La instalación de los nuevos equipos y los rendimientos de fabricación serán determinantes para comprobar si la compañía consigue alcanzar la capacidad prevista durante la segunda mitad de 2027.
Vía: Wccftech
