El rendimiento del nodo de 3 nm de segunda generación de Samsung Foundry se habría estancado en el 20%

El rendimiento del nodo de 3 nm de segunda generación de Samsung Foundry se habría estancado en el 20%

Si bien el Exynos 2500 se ha dejado ver en Geekbench en dos distintas ocasiones, resulta poco probable que se incorpore a los próximos Galaxy S25 o al Galaxy S25 Plus.

La razón de ello podría ser que Samsung sigue teniendo problemas de rendimiento en su nodo 3GAP utilizado para fabricar el SoC de los smartphones. Según un informe del medio surcoreano Sisa Journal, la situación actual es bastante desalentadora.

Según el mismo informe, el rendimiento del nodo de 3 nm de segunda generación de Samsung es del 20%. A principios de año, otro informe citaba dicha cifra. Si bien Samsung afirma que está trabajando arduamente para mejorar los rendimientos en 3 GAP, no ha resultado gran cosa.

Evidentemente, el 20% indicado por Sisa Journal podría basarse en datos obsoletos, pero está claro que aún no son suficientes para dar luz verde a la producción en masa.

Por otro lado, el nodo 3GAA, la primera generación de 3 nm de Samsung, se comporta ligeramente mejor, con un 60%. Desafortunadamente, ha suscitado poco interés entre las grandes empresas y su único cliente es un fabricante de ASIC para criptomonedas.

Samsung, cuya demanda de nodos de última generación no es mucho mayor, ha tenido que recortar la producción de sus instalaciones hasta en un 50%.

Vía: NotebookCheck

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