La empresa china Langdao Silex ha presentado FlintNano LPP-OXXO, un prototipo de fuente de luz ultravioleta extrema (EUV) desarrollado para aplicaciones de litografía avanzada. El sistema, mostrado durante la 26.ª Feria Internacional de la Industria de China, celebrada en Shanghái, cuenta con aproximadamente un 90% de componentes de fabricación nacional, según los datos facilitados por la compañía.
El dispositivo utiliza tecnología de plasma generado por láser (LPP), el mismo principio empleado en los sistemas EUV de ASML. Aunque sus responsables aseguran que ya puede utilizarse para llevar a cabo pruebas de exposición de obleas, la producción comercial todavía necesitaría entre tres y cinco años, y desarrollar una fuente de luz no equivale a disponer de una máquina de litografía completa.
FlintNano utiliza plasma generado por láser para producir luz EUV
La tecnología LPP (Laser-Produced Plasma) emplea pulsos láser de elevada potencia para generar plasma, del que se obtiene la radiación ultravioleta extrema necesaria para determinados procesos de fabricación de semiconductores. Este procedimiento constituye una de las partes fundamentales de los sistemas de litografía EUV utilizados para producir chips avanzados.
En el caso de FlintNano LPP-OXXO, Langdao Silex anuncia un láser de 1.000W, con una frecuencia de repetición de entre 1 y 20kHz y una eficiencia de conversión superior al 2%. La potencia de salida de la fuente EUV alcanza al menos 15W, una cifra considerablemente inferior a la necesaria para aplicaciones industriales de alta productividad.
Las especificaciones publicadas por el fabricante incluyen los siguientes valores:
| Característica | FlintNano LPP-OXXO |
|---|---|
| Tecnología | Plasma generado por láser (LPP) |
| Potencia del láser | 1.000W |
| Frecuencia de repetición | 1–20kHz |
| Eficiencia de conversión | Superior al 2% |
| Potencia de salida EUV | Al menos 15W |
| Funcionamiento continuo | Más de 100 horas |
| Tamaño del plasma | 60 μm |
| Estabilidad del plasma | 3% RMS |
| Estabilidad energética | Aproximadamente 5% |
La capacidad para funcionar durante más de 100 horas continuadas constituye uno de los parámetros destacados por la empresa, aunque todavía faltan pruebas independientes que permitan evaluar su fiabilidad. En aplicaciones industriales, la estabilidad de la fuente resulta fundamental para mantener unas condiciones de exposición constantes durante la fabricación de obleas.
El 90% de componentes nacionales supone un avance, pero no garantiza la independencia tecnológica
Langdao Silex asegura haber conseguido desarrollar internamente la mayoría de los componentes principales de FlintNano, alcanzando una tasa de fabricación nacional cercana al 90%. Este porcentaje refleja los esfuerzos de China por reducir su dependencia de proveedores extranjeros en una tecnología sometida a importantes restricciones comerciales.
Sin embargo, el 90% anunciado corresponde al prototipo de la fuente EUV y no a una máquina de litografía completa. Esta distinción resulta importante porque la fuente de luz constituye solamente una parte de un sistema mucho más complejo, que necesita numerosos componentes adicionales para fabricar semiconductores con precisión nanométrica.
El avance tampoco significa que China pueda prescindir inmediatamente de fabricantes como ASML, que continúan dominando el suministro de equipos de litografía EUV. Por ahora, FlintNano demuestra progresos en el desarrollo de uno de sus componentes esenciales, pero no acredita que exista una solución nacional capaz de sustituir a las máquinas comerciales.
La producción comercial tardaría entre tres y cinco años
Los responsables de Langdao Silex calculan que todavía serán necesarios entre tres y cinco años para alcanzar una producción comercial a gran escala. Se trata de una estimación del fabricante, condicionada por la capacidad para mejorar el rendimiento, la estabilidad y la fiabilidad de la tecnología durante períodos prolongados.
Uno de los principales desafíos consiste en aumentar considerablemente la potencia de salida EUV. Los sistemas comerciales utilizados para fabricar chips necesitan fuentes de varios cientos de vatios, mientras que FlintNano anuncia actualmente al menos 15W. La diferencia condiciona directamente la cantidad de obleas que pueden procesarse y la viabilidad económica del equipo.
Aumentar esa potencia no consiste únicamente en instalar un láser más potente. También es necesario mantener la estabilidad del plasma, controlar las condiciones de funcionamiento y garantizar una elevada disponibilidad del sistema, especialmente en instalaciones donde las máquinas deben trabajar durante largos períodos con interrupciones mínimas.
Por tanto, el plazo de tres a cinco años no debe interpretarse como una fecha confirmada para disponer de máquinas de litografía EUV chinas plenamente competitivas. La comercialización de una fuente de luz y el desarrollo de un sistema completo son objetivos diferentes, con exigencias técnicas y procesos de validación propios.
ASML mantiene una ventaja considerable en óptica e integración de sistemas
La complejidad de una máquina de litografía EUV va mucho más allá de generar radiación ultravioleta extrema. También necesita sistemas ópticos de precisión extraordinaria, mecanismos de posicionamiento de obleas y tecnologías de integración capaces de coordinar numerosos componentes durante el proceso de exposición.
Las máquinas de ASML incorporan cientos de miles de piezas procedentes de más de 800 empresas colaboradoras, una cadena de suministro desarrollada durante años. Reproducir estas capacidades representa un desafío considerable incluso para fabricantes que ya han conseguido desarrollar algunos de los componentes fundamentales.
Entre los elementos especialmente difíciles de sustituir figuran las ópticas de ultraprecisión y los sistemas de movimiento de obleas, cuya exactitud resulta imprescindible para fabricar circuitos cada vez más pequeños. Una fuente de luz funcional no resuelve automáticamente estas dificultades ni garantiza que todos los componentes puedan trabajar conjuntamente con la precisión requerida.
La magnitud del desafío también aparece reflejada en las declaraciones de Frank Rohmund, responsable de la división de semiconductores de Zeiss, quien ha considerado razonable que China necesite alrededor de 15 años para desarrollar máquinas EUV avanzadas propias. Se trata de una estimación sobre el desarrollo tecnológico completo, no de un calendario específico para FlintNano.
Las restricciones estadounidenses sobre equipos DUV también afectan a ASML
El desarrollo de FlintNano llega en un momento de creciente presión comercial sobre los fabricantes internacionales de maquinaria para semiconductores. Estados Unidos mantiene restricciones a la exportación de equipos avanzados hacia China y estudia nuevas limitaciones sobre determinados sistemas de litografía ultravioleta profunda (DUV).
Estas medidas afectan especialmente a ASML, cuya actividad en China representa aproximadamente el 20% de sus ventas. Aunque la compañía neerlandesa mantiene una posición dominante en litografía EUV, las restricciones adicionales sobre equipos DUV podrían reducir sus oportunidades comerciales en uno de sus mercados más importantes.
La situación también plantea una consecuencia a largo plazo: cuanto mayores sean las dificultades para adquirir maquinaria extranjera, mayor será el incentivo para desarrollar alternativas nacionales. Sin embargo, disponer de financiación y respaldo industrial no elimina las dificultades técnicas que implica reproducir equipos de esta complejidad.
Por ahora, FlintNano representa un avance en el desarrollo chino de fuentes de luz EUV, pero todavía está lejos de sustituir a las soluciones comerciales de ASML. Su evolución dependerá de que Langdao Silex consiga aumentar la potencia, mejorar la estabilidad y trasladar los resultados del prototipo a un entorno de fabricación industrial.
Vía: Wccftech
