A finales del mes pasado, informamos sobre el inesperado aumento de los precios spot de los chips DDR4 DRAM, mientras que los principales fabricantes de memoria en Taiwán y Corea del Sur anunciaban sus planes de eliminar gradualmente DDR4 en… Leer más
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17 de julio de 2025
Durante el evento HPE Discover Las Vegas 2025, celebrado del 23 al 26 de junio, SK hynix ha presentado su visión tecnológica y sus estrategias de solución para liderar la nueva era de la inteligencia artificial. La conferencia, organizada por… Leer más
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9 de julio de 2025
El fabricante SK hynix ha lanzado oficialmente su primer SSD PCIe 5.0 en Estados Unidos, el Platinum P51, disponible en versiones de 1 TB y 2 TB, con precios de 169,99 $ y 269,99 $ respectivamente. Esta generación prescinde del modelo de 500 GB, centrando… Leer más
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4 de julio de 2025
Durante el Dell Technologies World 2025 celebrado en Las Vegas, SK Hynix ha reforzado su posición como líder en memorias para inteligencia artificial, mostrando sus avances en tecnologías DRAM, NAND flash y soluciones CXL aplicadas a IA. Su stand, dividido… Leer más
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23 de mayo de 2025
El fabricante surcoreano SK Hynix ha presentado sus soluciones de memoria más innovadoras, incluyendo el esperado HBM4, en el TSMC 2025 North America Technology Symposium, celebrado en Santa Clara, California, el 23 de abril. Bajo el lema "Memory, Powering AI… Leer más
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25 de abril de 2025
SK Hynix ha anunciado la validación por parte de los clientes de su módulo de memoria CXL (CMM) DDR5 de 96 GB, un avance clave en el desarrollo de soluciones DRAM basadas en Compute Express Link (CXL) 2.0. Mayor capacidad y… Leer más
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23 de abril de 2025
Si bien es cierto que se dio a conocer en marzo del presente año, la nueva unidad SSD PCIe 5.0 Platinum P51 de SK Hynix acaba de lanzarse en Corea del Sur, habiéndose mejorado sus especificaciones desde el pasado mes… Leer más
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13 de diciembre de 2024
Está previsto que SK Hynix fabrique su 6ª generación de chips HBM4 en el proceso de 3 nm de TSMC, lo que representa un importante cambio con respecto a los planes iniciales de utilizar la tecnología de 5 nm. Según… Leer más
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4 de diciembre de 2024
Según un informe procedente de Business Korea, Samsung Electronics y SK Hynix colaboran a fin de estandarizar la tecnología LPDDR6-PIM (Low Power Double Data Rate 6 - Processing in Memory). El objetivo de dicha cooperación consiste en acelerar el desarrollo… Leer más
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3 de diciembre de 2024
SK Hynix ha anunciado hoy que ha iniciado la producción en masa de la primera memoria Flash NAND 4D de 321 capas basada en celdas de triple nivel del mundo, con una capacidad de 1 TB. Tras su anterior récord… Leer más
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22 de noviembre de 2024
