SK hynix ha anunciado que se ha convertido en el primer fabricante del sector en completar el proceso Intel Data Center Certified para aplicar módulos DDR5 RDIMM de 256 GB a la plataforma Intel Xeon 6. Se trata de un hito relevante en el segmento de memoria para servidores, especialmente en un contexto marcado por el crecimiento acelerado de las cargas de trabajo de IA y los centros de datos de alto rendimiento.
El módulo certificado se basa en chips DRAM de 32 Gb fabricados en el nodo 10 nm-class (1b) de quinta generación. Tras superar las pruebas exhaustivas del Advanced Data Center Development Laboratory de Intel, este módulo se convierte en el primer RDIMM de 256 GB verificado oficialmente para ofrecer rendimiento estable, compatibilidad plena y fiabilidad junto a los procesadores Intel Xeon 6.
Liderazgo tecnológico en memoria DDR5 de alta capacidad
Con esta certificación, SK hynix refuerza su posición como uno de los actores clave en el desarrollo de memoria DDR5 de alta densidad. La compañía ya había logrado una validación similar a principios de año con un producto de 256 GB basado en chips de 16 Gb (1a), pero el salto a 32 Gb por chip permite mejorar de forma notable tanto la eficiencia energética como el rendimiento por vatio.
Este avance resulta especialmente relevante para los operadores de centros de datos, que buscan consolidar memoria, reducir consumo y escalar el rendimiento en plataformas orientadas a IA, inferencia avanzada y análisis de grandes volúmenes de datos en tiempo real. A medida que los modelos de IA evolucionan hacia procesos lógicos más complejos, la capacidad de memoria se ha convertido en un factor crítico para sostener el rendimiento del sistema.
Más rendimiento y menor consumo energético
Según los datos facilitados por la compañía, los servidores equipados con estos nuevos módulos DDR5 RDIMM de 256 GB ofrecen hasta un 16% más de rendimiento en inferencia frente a configuraciones que utilizan módulos de 128 GB basados en chips de 32 Gb. Además, el uso de DRAM de mayor densidad permite reducir el número total de chips necesarios por módulo.
Gracias a ello, el nuevo diseño logra aproximadamente un 18% menos de consumo energético frente a los anteriores módulos de 256 GB basados en chips de 16 Gb (1a). Esta mejora se traduce en una eficiencia energética superior, un aspecto cada vez más determinante en infraestructuras de gran escala donde el coste energético y la disipación térmica son factores limitantes.
Un mercado impulsado por la IA y los centros de datos
Desde SK hynix subrayan que este producto está diseñado para responder a una demanda creciente de memoria de gran capacidad, alto rendimiento y bajo consumo, impulsada por la expansión de la IA generativa, la inferencia a gran escala y los workloads empresariales avanzados.
“Ahora podemos responder con mayor rapidez a las necesidades de los clientes, consolidando nuestro liderazgo en el mercado de DRAM DDR5 para servidores. Como proveedor de memoria IA de pila completa, abordaremos activamente la creciente demanda de soluciones de memoria de alto rendimiento, bajo consumo y gran capacidad”, afirmó Sangkwon Lee, responsable de planificación y habilitación de productos DRAM en SK hynix.
Desde Intel, la certificación también se valora como un paso clave para reforzar el ecosistema de Xeon 6 en entornos de misión crítica. “Este logro representa la culminación de un esfuerzo de ingeniería conjunto entre Intel y SK hynix y demuestra nuestro compromiso compartido con el avance de la tecnología de memoria”, señaló Dr. Dimitrios Ziakas, vicepresidente de arquitectura de plataformas en Intel Data Center Group.
Con esta validación, SK hynix se posiciona de forma sólida para capitalizar el crecimiento del mercado de servidores de nueva generación, donde la memoria de alta capacidad ya no es un extra, sino un componente esencial para desbloquear nuevos niveles de rendimiento, eficiencia y escalabilidad en centros de datos modernos.
Vía: TechPowerUp
