SK hynix ha iniciado conversaciones con proveedores nacionales e internacionales para preparar la producción de iHBM, una tecnología de memoria de alto ancho de banda que incorpora elementos de refrigeración directamente en el encapsulado. Según informa el medio surcoreano ETNews, la compañía está evaluando los materiales, equipos y procesos necesarios para trasladar esta solución a la fabricación comercial.
La tecnología, presentada oficialmente en mayo de 2026, pretende solucionar uno de los principales problemas de las memorias HBM utilizadas en aceleradores de inteligencia artificial: la acumulación de calor en el interior de los chips apilados. SK hynix asegura que su diseño permite reducir aproximadamente un 30% la resistencia térmica, aunque todavía no ha anunciado cuándo comenzará su producción en masa.
SK hynix inicia conversaciones para fabricar iHBM a gran escala
De acuerdo con ETNews, SK hynix está contactando con fabricantes de materiales, componentes y equipos de producción para estudiar la comercialización de iHBM. Las conversaciones abarcan tanto la viabilidad de integrar esta tecnología en productos comerciales como la capacidad de fabricar grandes volúmenes de memoria manteniendo los requisitos de rendimiento y fiabilidad.
Una fuente vinculada a la cadena de suministro señala que la compañía está evaluando la aplicación de iHBM en sus procesos industriales y comprobando las posibilidades de producción en masa. Sin embargo, estas negociaciones no equivalen a un anuncio de fabricación comercial, puesto que todavía deben completarse las correspondientes fases de validación.
La iniciativa coincide con una etapa en la que los fabricantes de memoria HBM buscan aumentar la capacidad y el ancho de banda mediante un mayor número de capas DRAM. Este incremento de densidad también complica la evacuación del calor, especialmente en los aceleradores destinados a entrenar y ejecutar modelos de inteligencia artificial.
Los elementos ICE reducirían un 30% la resistencia térmica
La principal característica de iHBM es la incorporación de Integrated Cooling Elements (ICE), unos elementos fabricados con materiales basados en silicio que combinan conductividad térmica con aislamiento eléctrico. Su función es crear una vía adicional para evacuar el calor desde determinadas zonas del encapsulado de memoria.
Estos elementos se sitúan en la región D2D PHY (Die-to-Die Physical Layer), relacionada con las conexiones físicas de alta velocidad entre el chip base de la memoria HBM y el acelerador. Se trata de una zona donde puede concentrarse una elevada densidad de potencia debido al tráfico de datos y a la proximidad de los componentes.
En los diseños HBM convencionales, parte del calor debe atravesar distintas capas del encapsulado antes de alcanzar los mecanismos de refrigeración externos. La solución de SK hynix introduce un camino térmico adicional desde el interior, con el objetivo de facilitar su transferencia y reducir la acumulación de temperatura.
Según las cifras comunicadas por la compañía, esta arquitectura permitiría disminuir la resistencia térmica aproximadamente un 30% frente a una solución convencional. Conviene distinguir este dato de una reducción equivalente del consumo o del calor generado: la mejora anunciada afecta a la capacidad del encapsulado para transferir energía térmica, no necesariamente a la potencia disipada por los chips.
La tecnología MR-MUF facilitaría su fabricación
Para producir iHBM, SK hynix pretende aprovechar su proceso MR-MUF (Mass Reflow Molded Underfill), que ya utiliza en la fabricación de memorias HBM. Esta tecnología permite ensamblar los chips apilados y rellenar los espacios entre ellos mediante materiales protectores, contribuyendo a la integridad mecánica y al funcionamiento del conjunto.
La compañía también contempla utilizar Wafer Level Packaging (WLP), un procedimiento de encapsulado a nivel de oblea. Según SK hynix, esta combinación permitiría integrar los elementos ICE sin tener que sustituir por completo los métodos industriales existentes, aunque deberán comprobarse sus costes y rendimientos de fabricación.
El diseño está pensado para mantener compatibilidad con arquitecturas System-in-Package (SiP), utilizadas para integrar diferentes chips dentro de un mismo encapsulado. Esta característica podría facilitar su adopción en aceleradores de inteligencia artificial, evitando modificaciones importantes en la disposición de sus componentes.
Ilustración conceptual de la tecnología iHBM de SK hynix. Fuente de la imagen: SK hynix.
HBM5 sería la primera generación prevista para incorporar iHBM
Aunque actualmente SK hynix concentra parte de sus esfuerzos industriales en HBM4, sus planes contemplan introducir la refrigeración integrada de iHBM en futuras memorias HBM5. Según ETNews, esta generación aparece vinculada a un horizonte aproximado de 2029, aunque todavía no existe una fecha comercial definitiva para los primeros productos equipados con ICE.
El medio surcoreano también señala que SK hynix está desempeñando trabajos de validación de HBM5 utilizando tecnologías avanzadas de encapsulado CoWoS de TSMC. Estas actividades forman parte del desarrollo de la siguiente generación y no implican que existan ya productos iHBM terminados o preparados para su distribución.
La refrigeración representa un desafío cada vez mayor para las memorias HBM, debido a la concentración de calor en encapsulados que combinan numerosas capas DRAM con aceleradores de elevado consumo. Una resistencia térmica inferior podría facilitar el funcionamiento bajo cargas prolongadas y reducir determinadas limitaciones asociadas a las temperaturas de operación.
Por ahora, SK hynix no ha comunicado cifras de rendimiento, capacidad o consumo específicas de una memoria HBM5 equipada con iHBM, ni ha confirmado contratos de producción relacionados con esta tecnología. Las negociaciones con proveedores representan un avance hacia su industrialización, mientras que la reducción del 30% de resistencia térmica sigue siendo una prestación anunciada por el fabricante, pendiente de verificarse en productos comerciales.
Vía: Wccftech
