SK hynix prepara una nueva generación de memoria orientada a inteligencia artificial mientras amplía su capacidad de producción e investigación a escala mundial. Durante el Global Forum 2026 celebrado en Santa Clara, su CEO, Kwak Noh-Jung, aseguró que la demanda de memoria para IA continuará siendo elevada a medida que aumenten las necesidades de procesamiento y movimiento de datos.
La estrategia pasa por reforzar sus bases productivas en Corea del Sur y Estados Unidos, acompañándolas de nuevas instalaciones de investigación y desarrollo. El complejo de Yongin, la planta de Indiana y un nuevo centro mundial de I+D para IA forman parte de una expansión con la que pretende sostener el desarrollo de HBM y futuras arquitecturas DRAM durante los próximos años.
Yongin e Indiana ampliarán la capacidad para memoria de IA
El crecimiento de la inteligencia artificial está elevando tanto la capacidad necesaria como el ancho de banda requerido por los aceleradores. Añadir más potencia de cálculo deja de resultar suficiente cuando la memoria no puede suministrar los datos con la velocidad necesaria, convirtiendo su rendimiento y eficiencia energética en elementos cada vez más importantes para la infraestructura de IA.
SK hynix pretende responder ampliando su presencia industrial en Corea del Sur. El fabricante anunció inversiones por unos 54 billones de wones para nuevas instalaciones en Yongin y Cheongju, destinadas a reforzar a medio y largo plazo su capacidad de producción de DRAM y NAND conforme aumente la demanda relacionada con inteligencia artificial.
Estados Unidos tendrá igualmente un papel importante. La compañía inició recientemente la construcción de su primera base estadounidense para producción de memoria HBM en Indiana, donde las obleas fabricadas en Corea recibirán procesos avanzados de encapsulado y pruebas antes de suministrarse a los clientes.
El proyecto contempla una inversión superior a 4.000 millones de dólares y prevé comenzar la producción en volumen durante la segunda mitad de 2029. Junto a las líneas de fabricación se instalará además un centro de investigación para encapsulado avanzado, desarrollado en colaboración con Purdue University y otros socios tecnológicos.
HBM4E prepara el siguiente salto de ancho de banda
La expansión industrial coincide con una evolución especialmente rápida de HBM. SK hynix ya trabaja con HBM4E de 12 capas capaz de alcanzar hasta 16 Gbps por pin, una generación que busca aumentar simultáneamente el rendimiento y la eficiencia para futuros aceleradores de inteligencia artificial.
Las primeras muestras comenzaron a enviarse a clientes en junio. Según los datos publicados por la propia compañía, HBM4E mejora más de un 20% la eficiencia energética frente a la generación anterior y utiliza una evolución de su proceso MR-MUF destinada a reducir la resistencia térmica y mantener la estabilidad cuando aumenta la densidad del encapsulado.
Este tipo de mejoras resulta especialmente importante porque HBM no solo necesita incrementar velocidad. Apilar más memoria y elevar el ancho de banda aumenta también las dificultades térmicas y de alimentación, obligando a desarrollar conjuntamente las propias matrices DRAM, las interfaces y las tecnologías utilizadas para unir las diferentes capas.
La estrategia explica por qué SK hynix está dando cada vez más importancia al encapsulado avanzado. En generaciones futuras, el rendimiento de la memoria dependerá tanto de la DRAM utilizada como de la capacidad para integrar múltiples pilas alrededor de grandes aceleradores, manteniendo temperaturas y consumos dentro de márgenes asumibles.
LPDDR6 amplía la estrategia hacia dispositivos con IA local
Las nuevas tecnologías no están limitadas a los centros de datos. SK hynix completó también el desarrollo de LPDDR6 utilizando su proceso DRAM 1c, orientando esta memoria a teléfonos, tabletas y otros dispositivos capaces de ejecutar funciones de inteligencia artificial directamente sobre el propio equipo.
La nueva generación alcanza más de 10,7 Gbps y mejora aproximadamente un 33% el rendimiento frente a LPDDR5X, mientras reduce el consumo energético en más de un 20%. El fabricante recurre para ello a una organización mediante subcanales y a control dinámico del voltaje y la frecuencia según la carga de trabajo.
Esta combinación resulta especialmente relevante para la IA local. A diferencia de un servidor, un teléfono o un portátil debe mantener un equilibrio mucho más estricto entre ancho de banda, autonomía y generación de calor, por lo que aumentar simplemente la velocidad de la memoria sin controlar el consumo tendría una utilidad limitada.
SK hynix pretende así cubrir dos extremos del mismo mercado: HBM para grandes aceleradores y LPDDR de bajo consumo para dispositivos personales, ambos impulsados por cargas que necesitan mover cantidades crecientes de información entre procesadores y memoria.
La memoria deja de ser un componente secundario dentro de la IA
Kwak Noh-Jung resumió durante el Global Forum la importancia que está adquiriendo este componente al afirmar que la industria de la IA no puede existir sin memoria. Más allá de la retórica corporativa, el planteamiento responde a un problema técnico real: aumentar la capacidad de cálculo obliga también a alimentar continuamente esos procesadores con datos.
El cuello de botella aparece cuando la velocidad de transferencia, capacidad o latencia de la memoria no evolucionan al mismo ritmo que los aceleradores. En esos escenarios, una parte de la potencia disponible puede quedar infrautilizada mientras los núcleos esperan que lleguen nuevos datos sobre los que trabajar.
La situación está llevando a desarrollar una jerarquía cada vez más amplia. Además de HBM y DRAM convencional, SK hynix investiga HBF, memoria con procesamiento integrado y nuevas soluciones destinadas a gestionar cargas específicas de inteligencia artificial, buscando reducir desplazamientos innecesarios de información y aumentar la eficiencia del sistema completo.
El objetivo ya no consiste únicamente en vender chips con mayor capacidad. Diseño de memoria, interfaces, encapsulado y arquitectura del sistema empiezan a desarrollarse de forma conjunta, especialmente en grandes plataformas donde unas diferencias relativamente pequeñas en ancho de banda o consumo pueden multiplicarse entre miles de aceleradores.
Más fábricas para una competencia que seguirá creciendo
SK hynix compite principalmente con Samsung y Micron dentro del mercado mundial de DRAM, mientras otros fabricantes intentan ampliar progresivamente su presencia. Mantener capacidad suficiente y acelerar el desarrollo de nuevas generaciones será fundamental conforme aumenten los pedidos ligados a centros de datos y dispositivos con IA.
La construcción de nuevas instalaciones proporciona volumen, pero también reduce el tiempo necesario para trasladar tecnologías desde investigación hasta producción. Yongin concentrará buena parte de la expansión surcoreana, mientras Indiana acercará el encapsulado avanzado de HBM al ecosistema estadounidense y a algunos de los principales desarrolladores de aceleradores.
Esta combinación explica la estrategia presentada en el Global Forum. SK hynix pretende mantener una evolución paralela de capacidad de fabricación, investigación, nuevas arquitecturas DRAM y encapsulado avanzado, evitando que el crecimiento de la IA dependa únicamente de aumentar la producción de generaciones actuales.
Con HBM4E ya en fase de muestras y LPDDR6 entrando en la siguiente etapa de comercialización, la próxima batalla de la memoria estará cada vez más ligada al ancho de banda, la eficiencia y la integración con los propios aceleradores. Las nuevas fábricas de SK hynix buscan precisamente proporcionar la infraestructura necesaria para sostener esa evolución durante los próximos años.
Vía: Wccftech
