CXMT habría completado prácticamente la validación de su primera memoria LPDDR6, alcanzando una velocidad de diseño de 12,8 Gbps. El fabricante chino ya estaría enviando muestras a determinados clientes para comprobar su funcionamiento, fiabilidad y compatibilidad antes de iniciar la producción de riesgo y posteriormente la fabricación en grandes volúmenes.
La memoria utiliza chips de 16 Gb, equivalentes a 2 GB por die, mientras el encapsulado completo alcanzaría 16 GB mediante un diseño Package-on-Package con 1.295 contactos BGA. Aunque CXMT todavía no ha anunciado oficialmente el producto, los informes sitúan la producción en masa durante la segunda mitad de 2026.
La velocidad de diseño alcanzaría 12,8 Gbps
La LPDDR6 desarrollada por CXMT funcionaría inicialmente a 10,667 Gbps, coincidiendo con la velocidad de entrada definida para esta generación. El diseño permitiría elevar posteriormente la transferencia hasta 12,8 Gbps, situándose por encima de las primeras soluciones comerciales anunciadas por Samsung y SK hynix.
La especificación JESD209-6 publicada por JEDEC contempla velocidades comprendidas entre 10,667 y 14,4 Gbps por pin. Por tanto, los 12,8 Gbps de CXMT permanecerían dentro del estándar oficial, sin representar una configuración propietaria o un funcionamiento fuera de especificación.
LPDDR6 también introduce canales de 24 bits divididos en dos subcanales independientes de 12 bits, mejorando la utilización del ancho de banda y la eficiencia al gestionar accesos pequeños. La arquitectura está orientada hacia smartphones, tablets, portátiles ultraligeros, inteligencia artificial integrada y determinados servidores compactos.
Frente a LPDDR5X, la nueva generación deberá proporcionar más ancho de banda con un consumo mejor controlado, algo especialmente importante para procesadores con GPU integradas y aceleradores de IA. El rendimiento final dependerá igualmente de la cantidad de canales conectados al SoC, la velocidad utilizada y la configuración completa del encapsulado.
Cada chip ofrece 16 Gb y el paquete completo alcanzaría 16 GB
La capacidad anunciada de 16 Gb corresponde a cada chip individual, por lo que equivale a 2 GB de memoria y no a 16 GB. CXMT podría combinar varios de estos dies dentro de un mismo encapsulado para alcanzar una capacidad total de 16 GB, suficiente para smartphones de gama alta y dispositivos centrados en inteligencia artificial.
El conjunto utilizaría un formato Package-on-Package o PoP con aproximadamente 1.295 bolas de contacto. Este sistema permite colocar la memoria directamente sobre el procesador o muy cerca del SoC, reduciendo la longitud de las conexiones, el espacio ocupado sobre la placa y el consumo necesario para transmitir los datos.
La cantidad de contactos aumenta respecto a generaciones anteriores debido a la ampliación de los canales, las señales adicionales y las funciones de fiabilidad incorporadas por LPDDR6. El estándar refuerza mecanismos como ECC, metadatos y protección de los enlaces, pensando tanto en dispositivos móviles como en cargas de IA más sensibles a errores.
CXMT todavía debe superar la validación de sus clientes
El envío de muestras no significa que la producción comercial ya haya comenzado. Los clientes deben comprobar la estabilidad de la memoria bajo diferentes temperaturas, voltajes y frecuencias, además de validar la compatibilidad eléctrica con sus controladores, procesadores y diseños de placa.
Después de esta fase llegaría la producción de riesgo, utilizada para fabricar cantidades limitadas y detectar problemas antes de ampliar el volumen. Los rendimientos obtenidos determinarán si CXMT puede mantener la velocidad de 12,8 Gbps, el consumo previsto y una tasa de chips funcionales suficientemente elevada.
Los informes consideran posible que la compañía avance con rapidez debido a la expansión reciente de sus instalaciones y la experiencia acumulada con LPDDR5X. Sin embargo, no existe una fecha oficial para la fabricación masiva, por lo que cualquier calendario de semanas o meses debe considerarse todavía una estimación de la cadena de suministro.
SK hynix ha mostrado diseños capaces de alcanzar 14,4 Gbps
SK hynix anunció en marzo una memoria LPDDR6 de 16 Gb fabricada mediante su proceso 1c, correspondiente a la sexta generación de su tecnología DRAM de clase 10 nm. Su producto inicial funciona a 10,7 Gbps, mejora el rendimiento un 33% y reduciría el consumo más de un 20% frente a LPDDR5X.
La compañía también ha presentado diseños experimentales capaces de alcanzar 14,4 Gbps, el límite superior contemplado por JEDEC. Esta velocidad no debe confundirse con la especificación del primer producto preparado para fabricación masiva, porque un prototipo técnico puede utilizar frecuencias diferentes a las elegidas para el lanzamiento comercial.
CXMT reduciría distancias frente a los tres grandes fabricantes
Alcanzar 12,8 Gbps con chips de 16 Gb situaría a CXMT mucho más cerca de Samsung, SK hynix y Micron en evolución tecnológica, especialmente después de haber permanecido varias generaciones por detrás en procesos de fabricación, rendimiento y eficiencia energética.
La igualdad sobre el papel no garantiza todavía los mismos rendimientos de producción, consumo, fiabilidad o capacidad mensual. Los grandes fabricantes mantienen ventajas en volumen, experiencia, propiedad intelectual y relaciones con los principales productores de smartphones y procesadores.
CXMT podría comenzar suministrando esta memoria a fabricantes chinos de dispositivos y plataformas nacionales, reduciendo su dependencia de proveedores extranjeros. Una producción estable también añadiría capacidad al mercado en un momento marcado por la escasez de DRAM y la prioridad concedida a HBM y servidores de inteligencia artificial.
La verdadera prueba llegará cuando la compañía confirme la fabricación en masa, sus primeros clientes y el rendimiento comercial del producto. Hasta entonces, la LPDDR6 de CXMT debe considerarse un desarrollo avanzado en validación, pero no una memoria disponible todavía en grandes volúmenes.
Vía: TechPowerUp
