Intel Foundry está atrayendo el interés de diseñadores externos gracias a EMIB y sus variantes para encapsular grandes aceleradores de inteligencia artificial con múltiples dies y memoria HBM. Sin embargo, Unimicron asegura que EMIB-T no alcanzará una verdadera producción masiva hasta 2027, pese a que Intel ya está preparando sus fábricas durante 2026.
La tecnología pretende competir con CoWoS de TSMC mediante pequeños puentes de silicio integrados únicamente donde se necesitan conexiones de alta densidad. El planteamiento puede reducir costes y simplificar el montaje, mientras los grandes desarrolladores de ASIC buscan una segunda fuente de encapsulado ante la elevada ocupación de las líneas de TSMC.
EMIB-T no alcanzará la producción masiva hasta 2027
Unimicron, proveedor taiwanés de sustratos y placas de circuito impreso, sitúa el inicio real de la fabricación en gran volumen de EMIB-T durante 2027. La previsión introduce una diferencia importante entre instalar y validar el proceso dentro de las fábricas y alcanzar finalmente un volumen industrial suficiente para atender grandes pedidos externos.
Intel ya está ampliando sus capacidades de encapsulado y preparando EMIB-T en instalaciones como Fab 9, situada en Rio Rancho, Nuevo México. La compañía presenta 2026 como el año de introducción industrial de la tecnología, pero la disponibilidad de sustratos, los rendimientos y la cualificación de cada cliente retrasarán su expansión comercial completa.
Mientras tanto, Intel continúa aumentando la producción de EMIB convencional y Foveros, tecnologías que ya cuentan con experiencia industrial. EMIB se utiliza en volumen desde 2017 con silicio propio y externo, mientras EMIB-T deberá demostrar que mantiene buenos rendimientos al crecer hacia encapsulados mucho mayores y más exigentes.
Los puentes localizados pueden reducir el coste frente a CoWoS
EMIB evita colocar todos los componentes sobre un interposer de silicio que cubra gran parte del encapsulado. En su lugar, inserta pequeños puentes dentro del sustrato orgánico para conectar los bordes de dos dies únicamente en las zonas que necesitan una densidad de interconexión y un ancho de banda especialmente elevados.
Esta arquitectura permite enlazar lógica con lógica o procesadores con varias pilas de memoria HBM, sin pagar el coste y ocupar la superficie de una capa completa de silicio. El resto de las señales puede circular por el sustrato convencional, proporcionando más libertad para aumentar el tamaño del sistema por encima del límite de una retícula.
Según las informaciones procedentes de la cadena de suministro, la diferencia de coste frente a determinadas configuraciones CoWoS podría alcanzar el 50% cuando la alternativa de TSMC necesita un interposer especialmente grande o complejo. La cifra dependerá del diseño concreto y no representa un ahorro uniforme para cualquier acelerador o encapsulado.
EMIB-M y EMIB-T resuelven problemas diferentes
La familia comienza con EMIB convencional, que proporciona conexiones laterales de alta densidad mediante puentes integrados en el sustrato. Intel ofrece además EMIB-M, que incorpora condensadores MIM dentro del puente para mejorar la integridad de la alimentación cerca de los dies y reducir determinadas pérdidas asociadas a las rutas eléctricas.
EMIB-T añade vías TSV que atraviesan verticalmente el propio puente de silicio, permitiendo entregar energía directamente desde la parte inferior. Esta alimentación vertical reduce la necesidad de conducir toda la corriente alrededor del puente y facilita encapsulados con múltiples dies de cálculo, HBM y consumos de varios kilovatios.
Intel puede combinar estas variantes con Foveros Direct y otras estructuras de apilado tridimensional, creando soluciones 2,5D o 3,5D según las necesidades del cliente. El objetivo consiste en que cada diseñador seleccione el equilibrio adecuado entre densidad, potencia, ancho de banda, coste y complejidad de fabricación.
Los clientes buscan una segunda vía frente a TSMC
La capacidad de CoWoS continúa sometida a una presión considerable por la demanda de NVIDIA, AMD, Broadcom y los grandes proveedores cloud que desarrollan sus propios aceleradores. Unimicron considera que esta situación está reforzando la búsqueda de una segunda ruta de suministro, incluso entre clientes que continúan fabricando sus dies mediante procesos de TSMC.
Diversos informes sitúan a Google y Meta entre las compañías que evalúan EMIB o EMIB-T para futuras generaciones de chips personalizados. Broadcom también resulta relevante como diseñador de ASIC para varios gigantes tecnológicos, aunque ninguna de estas evaluaciones equivale por ahora a un pedido público y definitivo de producción masiva.
La separación entre fabricación y encapsulado permite que un cliente produzca los dies de cálculo en TSMC y los envíe posteriormente a Intel Foundry para su integración final. Intel no necesita arrebatar inmediatamente la fabricación de las obleas para obtener negocio, sino convencer a los diseñadores de que su tecnología de encapsulado ofrece coste, capacidad o escalabilidad superiores.
Los problemas de Rubin Ultra muestran la dificultad de escalar CoWoS-L
Las informaciones sobre NVIDIA Rubin Ultra reflejan los desafíos físicos de integrar varios dies cercanos al límite de retícula dentro de un único encapsulado. El diseño inicial de cuatro dies y 16 pilas HBM4E habría sido revisado debido a problemas de ejecución industrial y a la enorme complejidad mecánica y térmica del conjunto.
Otros informes atribuyen la dificultad a deformaciones del sustrato y del interposer RDL utilizado por CoWoS-L, que podrían impedir un contacto uniforme entre los dies y la estructura inferior. La información no ha sido confirmada oficialmente por NVIDIA o TSMC, por lo que debe tratarse como una explicación procedente de la cadena de suministro.
Intel puede utilizar estos desafíos para presentar EMIB-T como una arquitectura más localizada y escalable, pero tampoco está libre de tensiones térmicas, deformaciones y pérdidas de rendimiento. Cuanto mayor sea el encapsulado y mayor su consumo, más difícil será mantener alineación, integridad de señal y buenos rendimientos de fabricación.
Intel debe demostrar rendimiento industrial, no solo ventajas técnicas
El interés de grandes clientes proporciona a Intel Foundry una oportunidad para entrar en proyectos de IA sin depender exclusivamente del éxito de sus nodos de fabricación. El encapsulado avanzado puede convertirse en una puerta de entrada: si Intel entrega buenos resultados, el cliente podría confiarle posteriormente más fases del diseño o la producción.
La ventaja potencial de coste tampoco bastará si EMIB-T no alcanza rendimientos altos, capacidad suficiente y plazos de entrega predecibles. Los aceleradores de IA integran dies extremadamente caros, por lo que un fallo durante el montaje puede inutilizar componentes cuyo valor supera ampliamente el ahorro obtenido al prescindir de un interposer completo.
Por ahora, EMIB-T continuará durante 2026 en fase de preparación, cualificación y aumento inicial, con la producción masiva prevista para 2027. El verdadero avance para Intel llegará cuando las evaluaciones de los clientes se conviertan en pedidos sostenidos y demuestre que puede competir con CoWoS no solo en coste, sino también en volumen, fiabilidad y rendimiento.
Vía: TechPowerUp
