Samsung anuncia la primera DRAM DDR5 de 12 nm

Samsung anuncia la primera DRAM DDR5 de 12 nm

Samsung ha anunciado hoy una versión actualizada de su memoria DRAM DDR5 de 16 GB. La memoria se basa en el proceso de fabricación de 12 nm, lo que supone una mejora respecto al de 14 nm EUV que se encuentra actualmente en el mercado.

También se ha anunciado que la nueva DRAM DDR5 es totalmente compatible con los productos de AMD, ya que ha sido optimizada y validada para plataformas Zen. Jooyoung Lee, EVP de Productos y Tecnología DRAM de Samsung, ha señalado que el nuevo estándar será un elemento clave para impulsar la adopción de la DRAM DDR5 en todo el mercado.

Su fabricación emplea un nuevo material que incrementa la capacitancia de la célula y una tecnología de diseño patentada que mejora las características críticas del circuito. La nueva DRAM se basa en la litografía EUV, permitiendo una mayor densidad de matriz y una productividad de obleas un 20% superior. Asimismo, su consumo energético es un 23% menor, abriendo la puerta a operaciones más respetuosas con el medio ambiente entre las compañías de TI.

Se espera que los primeros módulos de memoria con la nueva DRAM DDR5 empiecen a comercializarse en 2023.

Vía: GSMArena

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