Hemos recibido una nota de prensa por parte de Samsung, os la dejamos a continuación:
Evolución de la tecnología avanzada de fundición para impulsar los límites de la Revolución Industrial 4.0
El Dr. ES Jung, Director de Samsung Foundry, habla en IEDM sobre el creciente papel de las fundiciones en las iniciativas futuras para tecnologías de próxima generación.
Samsung Electronics Co., Ltd., líder mundial en tecnología avanzada de semiconductores, espera que las fundiciones desempeñen un papel cada vez más importante como proveedores de soluciones totales, ampliando los límites para un mayor compromiso en la era de la cuarta revolución industrial.
Durante el discurso de apertura del IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) de 2018, el Dr. ES Jung, presidente y jefe de Foundry Business en Samsung Electronics, compartió su visión de que la próxima revolución industrial solo puede darse por la continua evolución de la tecnología de semiconductores.
En su presentación “Cuarta revolución industrial y fundición: desafíos y oportunidades”, el Dr. Jung explicó que la evolución de las tecnologías avanzadas de fundición será crucial para permitir el diseño y la fabricación de productos semiconductores innovadores que llevarán nuestra vida cotidiana hacia nuevas y desconocidas direcciones.
Las aplicaciones nuevas y emocionantes, como la inteligencia artificial, el cloud computing, los vehículos autónomos y el hogar inteligente, requieren tecnologías de alto nivel, incluyendo un diseño sofisticado y la optimización a nivel del sistema.
El Dr. Jung habló sobre las crecientes complejidades de la tecnología de semiconductores que han alterado el papel de la fundición de semiconductores, de ser un negocio de fabricación de obleas convencional a convertirse en un proveedor de soluciones totales. Hoy en día, las fundiciones ofrecen servicios de valor agregado, especialmente en las áreas de servicios de diseño e infraestructura, ingeniería de productos y empaquetado/pruebas.
Los semiconductores han evolucionado para ser más rápidos, tener más densidad y consumir menos energía, lo que permite desarrollar una amplia gama de nuevas e innovadoras aplicaciones. Además, para analizar las grandes cantidades de datos que estamos generando, y que continúan creciendo de manera exponencial, se tienen que desarrollar nuevas arquitecturas de memoria y nuevos esquemas informáticos, como por ejemplo la computación neuromórfica.
“Ninguno de estos avances tecnológicos hubiera sido posible sin la colaboración de toda la industria de los semiconductores“, enfatizó el Dr. Jung. “Esta colaboración es primordial entre el material, el equipo, los dispositivos electrónicos, el gobierno, las universidades, los centros de investigación y los consorcios, para garantizar el éxito en la próxima cuarta revolución industrial“.
Nuevos hitos tecnológicos
El Dr. Jung también presentó algunas de las investigaciones y desarrollos recientes en la futura tecnología de silicio, incluida la MRAM, una solución de memoria no volátil integrada en el proceso lógico convencional, y la tecnología Gate-All-Around (GAA) de 3nm.
MRAM es uno de los ejemplos de nuevos dispositivos semiconductores que consumen mucha menos energía. A medida que aumenta la densidad de memoria, la eficiencia de potencia de MRAM se hace más potente, ya que consume solo el 0.5% de la potencia en comparación con SRAM a 1,024Mb. MRAM también tiene un área de celda más pequeña, lo que le permite flexibilidad en el diseño.
La tecnología GAA única de Samsung, llamada Multi-Bridge-Channel FET(MBCFET) utiliza múltiples canales nanosheet apilados verticalmente. Con un ancho variable de nanosheet, esta tecnología proporciona no solo un rendimiento óptimo y características de potencia, sino también una gran flexibilidad de diseño. Además, MBCFET se fabrica utilizando el 90% o más del proceso FinFET con solo unas pocas máscaras revisadas, lo que permite una migración fácil.
Además, en uno de sus artículos recientemente publicados en 2018 IEDM, Samsung Electronics compartió el progreso de desarrollo de 3nm, una demostración exitosa de un circuito SRAM de alta densidad completamente funcional. El desarrollo del primer nodo de proceso de Samsung que aplica la tecnología MBCFET está programado.
Para más información, por favor consulte https://www.samsungfoundry.com
