En un informe anterior se afirmaba que a Samsung Foundry le iba bastante bien con su nodo de 3 nm, con rendimientos del 60%. Mapple_Gold, un experto del sector, afirma que en una ocasión llegó al 75%. Por otro lado, parece que TSMC sigue teniendo problemas con su nodo de 3 nm, según un informe del medio surcoreano KMIB.
El rendimiento actual del fabricante de chips taiwanés es del 55%. Aunque no menciona la variante N3 en cuestión, es probable que se trate de N3B, la primera iteración. La decisión de TSMC de mantener un diseño FinFET puede tener algo que ver con el bajo rendimiento.
Por otro lado, el nodo de 3 nm de Samsung utiliza la nueva tecnología GAA FET, que será adoptada por TSMC para su próxima generación de chips. Los rumores de Meeco apuntan a que los problemas de TSMC podrían no acabar en breve y persistir en su nodo de 2 nm. Para colmo, la competencia será mucho más intensa en ese momento (2025), con la entrada en escena de Intel Foundry Services con su nodo 18A.
A pesar de su mayor rendimiento, Samsung Foundry aún no ha conseguido captar clientes. Ahora bien, esto podría cambiar a corto plazo, ya que, según los informes, AMD utilizará su nodo de 3 nm para algunas de sus próximos componentes de IA y centros de datos.
Dado que Apple sigue acaparando la mayor parte de la capacidad de 3 nm, otros fabricantes como Qualcomm podrían verse obligados a fijarse en Samsung, a pesar de su problemático pasado con el Snapdragon 888 y el Snapdragon 8 Gen 1.
Vía: NotebookCheck
