NAND ha venido aquí para quedarse, y su penetración en el mercado aún tiene mucho margen de maniobra. Samsung, que no es el mayor y el mejor jugador en el campo NAND, está en una posición privilegiada para desarrollar nuevas tecnologías y capitalizarlas. Recuerde que Samsung tiene tantas líneas de productos diferentes en las que monetizar sus avances que cualquier nueva inversión es apenas un hacer o romperlo asunto. Z-NAND es la respuesta de Samsung a otras tecnologías en desarrollo como 3D XPoint, de la que Intel acaba de anunciar el primer producto comercial. Z-NAND parece estar en la intersección entre NAND y DRAM, y es más una evolución del diseño NAND que una tecnología totalmente nueva (distanciándose así de los gustos de 3D XPoint).
No toda la salsa secreta se encuentra en el Z-NAND muere: algo de él está en un nuevo regulador de que todavía no hay especificaciones, que también permite la latencia (presumiblemente leer la latencia) que será 70% más bajo que el actual NVMe Unidades. El Z-SSD, que ya ha comenzado a tomar muestras a los clientes, tiene una capacidad de 800 GB y utiliza los carriles PCIe 4x para transmitir datos. Samsung lista enormes velocidades de lectura y escritura secuenciales de hasta 3200 Gbps, aunque sus velocidades aleatorias vienen a una lectura mucho más mundana de 750K y 160K de escritura IOPS. No se conocen detalles de precios o disponibilidad, aunque se espera que estas unidades lleguen con capacidad de 1 TB, 2 TB y 4 TB.
Vía:Techpowerup
