Samsung y SK hynix están acelerando el desarrollo de eSSD QLC de alta capacidad para responder al crecimiento de los centros de datos de inteligencia artificial. Estas unidades permiten almacenar más información por servidor, reducir el espacio ocupado dentro de cada rack y crear una nueva capa de memoria para cargas de inferencia.
El movimiento coincide con una fuerte escasez de SSD empresariales, mientras los grandes operadores amplían sus inversiones en infraestructura. Los precios por contrato habrían aumentado alrededor de un 80%, reflejando cómo el eSSD evoluciona desde un medio de almacenamiento convencional hacia un componente activo dentro de los sistemas de IA.
Los eSSD dejan de funcionar como almacenamiento pasivo
Los SSD empresariales ya no se limitan a conservar modelos, bases de datos o resultados terminados. La expansión de la IA basada en agentes está convirtiendo el almacenamiento en una parte activa de la arquitectura de inferencia, capaz de absorber información temporal y liberar recursos de memoria considerablemente más caros.
Durante la inferencia, los modelos generan una caché Key-Value o KV que conserva información sobre los tokens procesados anteriormente. Mantener estos datos evita repetir cálculos, pero su tamaño aumenta con la longitud del contexto, el número de usuarios atendidos y la cantidad de agentes ejecutados simultáneamente.
Cuando toda esa caché permanece dentro de HBM o DRAM de alta velocidad, la capacidad disponible puede agotarse antes que la potencia de cálculo de la GPU. Desplazar una parte hacia eSSD rápidos y de baja latencia permite atender más solicitudes sin instalar cantidades desproporcionadas de memoria principal por servidor.
La memoria QLC aumenta la capacidad disponible por rack
La tecnología QLC almacena cuatro bits en cada celda NAND, frente a los tres bits empleados por TLC. Esta mayor densidad permite fabricar SSD con más capacidad utilizando una cantidad similar de silicio, reduciendo tanto el coste por terabyte como el espacio físico necesario dentro del centro de datos.
El principal recorte aparece en una menor resistencia frente a escrituras continuas, además de una gestión más compleja de los niveles de voltaje. Los controladores, el firmware, la corrección de errores y la nivelación de desgaste resultan esenciales para mantener un rendimiento estable durante cargas empresariales prolongadas.
La ventaja resulta especialmente clara en trabajos dominados por lecturas o datos reutilizados con frecuencia. Utilizar unidades QLC de decenas de terabytes permite concentrar mucha más información en cada servidor, reduciendo el número de racks, conexiones, fuentes de alimentación y sistemas de refrigeración necesarios para alcanzar una capacidad determinada.
La caché KV puede salir parcialmente de HBM y DRAM
Samsung está desarrollando soluciones destinadas a descargar parte de la caché KV sobre almacenamiento NVMe, trasladando los datos menos activos desde la memoria principal hacia SSD empresariales. El objetivo consiste en reducir la presión sobre HBM y DRAM, evitar cálculos repetidos y mantener una latencia estable cuando aumenta la concurrencia.
Este planteamiento no convierte al SSD en un sustituto directo de la memoria HBM. La memoria apilada continúa proporcionando un ancho de banda muy superior, necesario para alimentar los aceleradores durante las operaciones más intensivas. El eSSD funciona como una capa de expansión más lenta, pero considerablemente más económica.
La arquitectura final combinaría SRAM, HBM, DRAM y NAND según la frecuencia con la que se utiliza cada dato. La información crítica permanecería cerca de la GPU, mientras los contextos reutilizables o la caché menos activa podrían desplazarse hacia unidades empresariales de gran capacidad sin saturar la memoria principal.
Samsung y SK hynix concentran buena parte del crecimiento
Samsung está reforzando la producción de NAND avanzada para eSSD de gran capacidad, aprovechando el crecimiento de la infraestructura destinada a inteligencia artificial. La compañía también desarrolla soluciones como Context Memory Storage, orientadas a ampliar la memoria contextual disponible sin depender exclusivamente de módulos HBM o DRAM.
SK hynix participa en este mercado mediante su negocio de NAND y la filial Solidigm, especializada en SSD empresariales de alta capacidad. Sus productos QLC permiten reducir el número de unidades necesarias por rack, proporcionando más densidad de almacenamiento con menor consumo total frente a configuraciones formadas por numerosos SSD de menor tamaño.
La combinación de NAND, controladores, firmware y productos terminados proporciona a ambos fabricantes un mayor control sobre costes, rendimiento y suministro. También facilita adaptar capacidad, resistencia o consumo según cada operador, desde almacenamiento masivo hasta capas rápidas destinadas a inferencia, bases de datos y caché KV.
Los controladores ganan peso dentro del eSSD empresarial
El crecimiento de los eSSD también beneficia a los fabricantes de controladores, puesto que estos chips administran la entrada y salida de datos, la corrección de errores, el consumo y el desgaste de la NAND. Su eficiencia determina en gran medida el rendimiento sostenido y la vida útil real de cada unidad.
Pado aparece entre las compañías que podrían beneficiarse de esta expansión, especialmente si aumenta la demanda de controladores optimizados para PCIe de alta velocidad. Los centros de datos necesitan procesar millones de operaciones por segundo manteniendo una latencia reducida y un consumo contenido, dos apartados críticos al multiplicar miles de unidades.
La evolución hacia SSD capaces de participar directamente en cargas de IA también exigirá controladores más especializados y firmware adaptado. Ya no basta con ofrecer capacidad elevada: las unidades deben mantener tiempos de respuesta consistentes, gestionar escrituras intensivas y coordinarse con las capas de software encargadas de mover la caché KV.
La demanda empresarial puede encarecer los SSD de consumo
La contrapartida llegará al mercado doméstico, porque los fabricantes están destinando más capacidad NAND hacia productos empresariales de mayor margen. Si la demanda de los grandes operadores continúa creciendo, quedará menos producción disponible para SSD convencionales, reforzando la presión sobre precios e inventarios del mercado de consumo.
El encarecimiento no dependerá únicamente de la NAND. Los controladores, la memoria DRAM utilizada como caché, los encapsulados y la capacidad de fabricación también atraviesan un aumento generalizado de costes. Los SSD para PC podrían mantenerse caros incluso aunque la demanda doméstica permanezca moderada durante los próximos trimestres.
Para Samsung y SK hynix, los eSSD QLC representan una oportunidad de crecimiento especialmente rentable. Para los usuarios, sin embargo, la expansión de los centros de datos puede traducirse en menos oferta y precios superiores para actualizar el almacenamiento, prolongando una crisis de componentes impulsada cada vez más por la inteligencia artificial.
Vía: Wccftech
