Samsung estaría preparando la siguiente gran transición de su negocio de memoria con 1d DRAM, según fuentes industriales citadas por medios surcoreanos. La información debe tratarse como un informe de cadena de suministro, ya que la compañía todavía no ha anunciado oficialmente un calendario cerrado de producción en masa.
El movimiento resulta importante porque 1d DRAM no sería una simple evolución frente a 1c DRAM. La tecnología introduce cambios estructurales en la celda de memoria, con condensadores apilados en vertical y una integración más compleja. La memoria vuelve a situarse en el centro de la carrera de semiconductores para IA.
Samsung ya trabaja con socios en la maquinaria de 1d DRAM
Según el informe, Samsung está colaborando con socios de fabricación para definir el equipamiento necesario de cara a 1d DRAM. La fase actual apunta a preparación industrial, no solo a investigación interna, lo que indica que la compañía ya evalúa maquinaria, integración de procesos y capacidad real de producción.
El calendario manejado por las fuentes sitúa la entrada de equipos en fábrica durante el segundo trimestre de 2027. Si el despliegue avanza sin retrasos, la producción podría comenzar en la segunda mitad del mismo año. El margen es ajustado porque cualquier problema de rendimiento puede desplazar el arranque comercial.
Samsung también tendría que concretar sus planes de producción en masa antes de finales de 2026, un paso clave para proveedores y clientes de memoria avanzada. La planificación temprana será decisiva para reservar capacidad y reducir incertidumbre, especialmente si 1d DRAM acaba vinculada a futuras generaciones de HBM.
1c DRAM sigue siendo la base avanzada actual
La generación más reciente de Samsung se apoya actualmente en 1c DRAM, una tecnología que todavía mantiene una organización de celdas en disposición horizontal. Este nodo ya exige un uso intensivo de litografía EUV y puertas metálicas, aprovechando parte de la experiencia de Samsung en fabricación lógica.
Esa base es relevante porque 1c DRAM ya se emplea en HBM4, donde la memoria convencional se combina con encapsulado avanzado y lógica de soporte. Samsung no parte de cero en memoria de alto rendimiento, pero 1d DRAM implica un salto industrial más delicado que una reducción de nodo.
Los condensadores apilados cambian la forma de escalar
La gran diferencia de 1d DRAM estaría en el apilado vertical de condensadores. Hasta ahora, las generaciones previas colocaban las celdas de memoria de forma lateral, una estrategia cada vez más limitada por espacio físico y coste. El salto vertical abre una nueva vía para aumentar densidad sin depender solo del escalado horizontal.
Este cambio no solo afecta al tamaño de la celda, también modifica la forma de fabricar, aislar e integrar cada parte de la memoria. La transición a condensadores apilados eleva la complejidad del proceso, pero puede mejorar la eficiencia por oblea si Samsung logra controlar rendimientos desde las primeras tandas.
El enfoque recuerda a lo que ya ocurre en otros segmentos de semiconductores, donde la industria está agotando las mejoras simples de geometría. En DRAM, ese límite resulta especialmente sensible. Aumentar capacidad sin disparar consumo ni superficie será cada vez más difícil, justo cuando la demanda de IA crece sin pausa.
La parte crítica estará en pasar de concepto a fabricación estable. Una estructura vertical puede ofrecer más densidad, pero también introduce nuevos riesgos de alineación, defectos y variabilidad. El verdadero salto no será anunciar 1d DRAM, sino producirla con volumen suficiente y costes asumibles.
La separación de obleas añade otra capa de dificultad
El informe también apunta a una arquitectura donde la circuitería periférica se fabricaría en una oblea distinta a la matriz de celdas de memoria. Después, ambas partes se integrarían en el mismo dispositivo. Separar lógica periférica y celdas DRAM permite optimizar cada bloque, pero complica ensamblaje y control de calidad.
Esta estrategia puede ser útil porque la lógica de soporte y la matriz DRAM no siempre necesitan el mismo enfoque de fabricación. Trabajarlas por separado ofrece más flexibilidad técnica. La dificultad estará en unir ambas obleas sin penalizar rendimiento, latencia ni eficiencia, algo especialmente delicado en memoria de alto rendimiento.
Para Samsung, esta complejidad tiene sentido si el resultado mejora densidad y estabilidad eléctrica frente a generaciones anteriores. La compañía ya tiene experiencia en integración avanzada, pero DRAM exige volúmenes enormes y costes muy controlados. Un proceso brillante en laboratorio no basta si no escala bien en fábrica.
Micron 1-delta marca la presión competitiva
La tecnología 1d DRAM de Samsung se considera equivalente al nodo 1-delta de Micron, lo que refleja una carrera muy ajustada entre fabricantes de memoria. La nomenclatura varía entre compañías, pero el objetivo industrial es el mismo, con más densidad, mejor eficiencia y más rendimiento por área.
Este punto aumenta la presión sobre Samsung. La compañía no solo necesita llegar al nuevo nodo, sino también hacerlo con buenos rendimientos iniciales y volumen suficiente. En memoria avanzada, llegar tarde puede afectar contratos de HBM, donde los grandes clientes de IA ya planifican capacidad con mucha antelación.
HBM5E podría ser el primer gran destino comercial
Las fuentes industriales creen que 1d DRAM podría integrarse en futuras soluciones HBM5E. Tiene sentido porque la HBM depende de apilar chips DRAM para ofrecer enormes anchos de banda con consumo contenido. Una DRAM más densa y eficiente puede mejorar capacidad, ancho de banda y coste por módulo.
Samsung ya habría apostado por 1c DRAM para HBM4, combinándola con dies propios fabricados en proceso de 4 nm. Esa integración interna puede ser una ventaja si la transición sale bien. Controlar DRAM y lógica de soporte permite ajustar mejor rendimiento, consumo y empaquetado avanzado.
El reto será llegar en el momento adecuado. La demanda de HBM sigue creciendo por centros de datos, aceleradores de IA y sistemas de entrenamiento masivo. Samsung necesita que 1d DRAM madure rápido para competir en las siguientes generaciones de memoria de alto ancho de banda, donde SK hynix y Micron también presionan.
La conexión con HBM5E también explica por qué esta noticia importa más allá de una simple mejora de DRAM. Si 1d DRAM permite módulos más densos y eficientes, puede condicionar plataformas completas de IA. La memoria ya no acompaña al acelerador, sino que define parte de su rendimiento real.
La producción en masa será el filtro decisivo
El calendario apunta a producción en masa a finales de 2027, pero ese objetivo dependerá de la instalación de maquinaria, validación de procesos y rendimientos iniciales. Samsung tendrá que convertir una arquitectura más avanzada en un flujo industrial repetible, algo especialmente difícil cuando cambia la estructura de la celda.
En memoria, el avance de nodo solo importa si puede fabricarse con buen rendimiento por oblea. Una tecnología más densa puede perder atractivo si genera demasiados descartes o retrasa entregas. La viabilidad de 1d DRAM dependerá tanto de su diseño como de su estabilidad en líneas reales de producción.
También hay una lectura económica. La IA está elevando la demanda de memoria, pero los clientes siguen presionando por disponibilidad, consumo y precio. Samsung necesita que 1d DRAM no solo sea más avanzada, sino también competitiva en coste, especialmente si aspira a integrarla en HBM de nueva generación.
La memoria se convierte en un cuello de botella estratégico
La carrera de IA ha cambiado el papel de la DRAM dentro del sector de semiconductores. Antes era un componente crítico, pero ahora condiciona aceleradores, servidores y centros de datos completos. El cuello de botella ya no está solo en el silicio de GPU, sino en alimentar esos chips con memoria suficiente y rápida.
Si Samsung logra llevar 1d DRAM a producción en masa a finales de 2027, podría reforzar su posición de cara a HBM5E. Si el calendario se retrasa, sus rivales ganarán margen en un mercado muy tensionado. La próxima generación de memoria será tan estratégica como los propios aceleradores de IA.
La lectura final es clara: 1d DRAM no será solo una nueva etiqueta de nodo. Será una prueba de fabricación, integración y oportunidad comercial. Samsung necesita ejecutar bien este salto para recuperar protagonismo en memoria avanzada, justo cuando la IA está convirtiendo la HBM en uno de los recursos más disputados del mercado.
Vía: Wccftech
