Samsung habría superado un paso importante en su carrera por recuperar terreno en el mercado de memoria HBM para inteligencia artificial. Según el medio surcoreano Hankyung, su HBM4E de 12 capas completó a finales de septiembre las pruebas de cualificación de NVIDIA y varios grandes operadores de centros de datos.
La información todavía necesita una cautela considerable. Samsung no ha confirmado que la cualificación haya terminado y tampoco existen datos sobre contratos, volúmenes o fechas de suministro. Superar estas pruebas significaría que el producto cumple los requisitos técnicos exigidos por los clientes, pero no equivale automáticamente a conseguir pedidos comerciales de gran escala.
Samsung habría completado la cualificación de HBM4E a finales de septiembre
Hankyung asegura que NVIDIA y varios grandes clientes de centros de datos habrían completado la evaluación de la HBM4E de Samsung hacia finales de septiembre. Estas pruebas suelen comprobar rendimiento, estabilidad, consumo, comportamiento térmico y fiabilidad antes de aprobar una memoria para plataformas comerciales.
El matiz resulta especialmente importante porque Samsung declinó verificar la información cuando fue consultada por el medio. Por tanto, la superación de la cualificación debe mantenerse como una información atribuida a Hankyung, no como un anuncio oficial del fabricante.
Cada pila ofrece 48 GB y hasta 3,6 TB/s de ancho de banda
Samsung comenzó a enviar muestras de su HBM4E de 12 capas en mayo, con una capacidad de 48 GB por pila y una velocidad estable anunciada de 14 Gbps por pin. La compañía asegura que la tecnología puede escalar posteriormente hasta 16 Gbps.
La evolución frente a generaciones recientes se aprecia mejor al comparar algunos de sus parámetros principales:
| Generación | Interfaz por pila | Velocidad por pin | Ancho de banda por pila | Capacidad alta por pila |
|---|---|---|---|---|
| HBM3 | 1.024 bits | Hasta 6,4 Gbps | 819 GB/s | Hasta 24 GB |
| HBM3E | 1.024 bits | Aproximadamente 9,2-9,8 Gbps | Aproximadamente 1,18-1,28 TB/s | Hasta 36 GB |
| HBM4 | 2.048 bits | Hasta 11,7 Gbps en productos actuales | Hasta 3,3 TB/s en Samsung | 36 GB, con 48 GB en 16-Hi |
| HBM4E | 2.048 bits | 14 Gbps, escalable a 16 Gbps | Aproximadamente 3,6 TB/s, hasta 4 TB/s teóricos a 16 Gbps | 48 GB en 12-Hi, con 64 GB 16-Hi previstos |
El salto de HBM4 y HBM4E no depende únicamente de aumentar la frecuencia. La interfaz pasa a 2.048 bits por pila, duplicando la anchura utilizada por HBM3E y permitiendo alcanzar varios terabytes por segundo sin llevar cada pin a velocidades extremas.
A 14 Gbps, esa interfaz proporciona aproximadamente 3,6 TB/s de ancho de banda por pila, mientras que 16 Gbps elevarían el máximo teórico ligeramente por encima de 4 TB/s. Samsung habla de más de un 20% de mejora respecto a su HBM4, aunque la comparación concreta dependerá de la configuración empleada.
La HBM4E combina DRAM 1c con un die lógico de 4 nm
Internamente, Samsung utiliza DRAM 1c de sexta generación dentro de la familia de 10 nm junto con un die lógico base fabricado en 4 nm por Samsung Foundry. Esa combinación sigue la estrategia adoptada con HBM4, donde la base deja de ser un componente relativamente sencillo y gana cada vez más funciones.
El die lógico puede encargarse de gestión de señales, interfaces y otras funciones de control, permitiendo optimizar el acceso a una pila cada vez más compleja. A medida que aumentan número de capas, ancho de banda y consumo, esta parte adquiere tanta importancia como los propios dies de memoria.
Samsung también afirma haber mejorado la eficiencia energética y el comportamiento térmico, dos aspectos críticos para aceleradores de IA que pueden utilizar múltiples pilas HBM alrededor del procesador. Multiplicar el ancho de banda pierde utilidad si el subsistema de memoria incrementa demasiado consumo y densidad térmica.
El uso de 12 capas para alcanzar 48 GB permite además aumentar capacidad sin recurrir inmediatamente a configuraciones 16-Hi. Estas últimas podrían elevar la capacidad hasta 64 GB por pila, aunque exigirán todavía más control sobre grosor, unión entre dies y disipación.
Fuente de la imagen: Samsung Electronics
Superar la cualificación de NVIDIA sería especialmente importante para Samsung
Samsung compite directamente con SK hynix y Micron en un mercado HBM convertido en uno de los componentes estratégicos de la infraestructura de IA. SK hynix ha conseguido una posición especialmente fuerte durante las últimas generaciones, por lo que ser aprobado por NVIDIA tiene un enorme valor comercial.
La compañía ya comenzó este año la producción de HBM4 destinada a plataformas de nueva generación como NVIDIA Vera Rubin y poco después aceleró el desarrollo de HBM4E. Lograr la aprobación de su sucesora mostraría que Samsung está reduciendo el tiempo entre generaciones mientras intenta aumentar su presencia entre los grandes clientes.
Eso no significa que una cualificación se traduzca automáticamente en una cuota relevante de los pedidos de NVIDIA. Precio, capacidad de fabricación, rendimiento de los lotes y disponibilidad del encapsulado seguirán condicionando cuánto volumen termina adjudicado a Samsung frente a SK hynix o Micron.
Los pedidos y volúmenes siguen siendo la gran incógnita
La información publicada no especifica cuántas unidades podría suministrar Samsung, qué clientes, además de NVIDIA, habrían participado ni cuándo comenzaría una producción comercial a gran escala. Tampoco se conocen valores contractuales asociados a esa posible aprobación.
Por eso, el verdadero siguiente paso será comprobar si la cualificación deriva en pedidos importantes para aceleradores de próxima generación. En el mercado HBM, superar las pruebas técnicas es imprescindible, pero la capacidad de entregar millones de pilas con rendimiento consistente termina siendo igual de importante.
Si el informe de Hankyung resulta correcto, Samsung habría superado uno de los principales obstáculos técnicos previos a la comercialización de HBM4E. Ahora la batalla pasa de demostrar que la memoria funciona a conseguir que NVIDIA y los grandes operadores de IA la compren en volumen.
Vía: Wccftech
