Samsung ha notificado que su proceso de producción de la tecnología de proceso FinFET de 10 nanómetros (nm) está en proceso con altos rendimientos estables. También mencionan 8nm y 6nm.
Samsung ha enviado más de 70.000 obleas de silicio de su primera generación de 10nm LPE (Low Power Early) hasta la fecha. La compañía comenzó la primera producción en masa de la industria de 10LPE el pasado Octubre.
En 2015, Samsung introdujo la primera tecnología FinFET LPE de 14nm de la industria para aplicaciones móviles basadas en la estructura 3D FinFET. Desde entonces, Samsung ha entregado con éxito nuevas mejoras en potencia, rendimiento y escalabilidad para la tecnología FinFET de 14nm y 10nm.
«El LPE de 10nm de Samsung es un elemento de cambio en la industria de la fundición. Despues de la versión 10LPE, la LPP 10 nm y LPU entrarán en producción en masa para el final del año y el próximo año, respectivamente «. dijo Jongshik Yoon, vicepresidente ejecutivo y jefe de negocios de fundición de Samsung Electronics. «Seguiremos ofreciendo la tecnología de procesos más competitiva en la industria».
Samsung Electronics también ha anunciado la adición de las tecnologías de proceso de 8nm y 6nm a su hoja de ruta de proceso actual. Las ofertas de 8nm y 6nm de Samsung ofrecerán mayores ventajas de escalabilidad, rendimiento y potencia cuando se comparen con los nodos de proceso existentes. Los 8nm y el 6nm heredarán todas las innovaciones de las últimas tecnologías de 10nm y 7nm con mejoras en la infraestructura de diseño para satisfacer las diversas necesidades de los clientes y ofrecer una mayor competitividad de costos.
La hoja de ruta y los detalles técnicos de la tecnología de fundición de Samsung, incluyendo los 8nm y los 6nm más nuevos, estarán abiertos por primera vez a sus clientes y socios en la próxima Samsung Foundry Forum de Estados Unidos programado para el 24 de Mayo de 2017.
Vía: Guru3D
