IBM ha anunciado la apertura de una nueva oficina en Chitose, en la prefectura japonesa de Hokkaido, con el objetivo de reforzar su colaboración con Rapidus en el desarrollo de semiconductores de 2 nm. La instalación permitirá ampliar el apoyo técnico a los fabricantes de chips de la región, donde Rapidus está construyendo su primera fábrica de procesadores avanzados.
El anuncio, realizado el 26 de octubre de 2026, supone otro paso en la colaboración que ambas compañías mantienen desde 2022. Rapidus pretende iniciar la producción en masa de chips de 2 nm durante 2027, utilizando tecnología de transistores nanosheet desarrollada por IBM. Sin embargo, la apertura de esta oficina no implica que la fabricación comercial haya comenzado.
IBM refuerza su presencia junto a la fábrica de Rapidus en Chitose
La nueva oficina de IBM Japón se encuentra en las proximidades de las instalaciones de Rapidus, cuya fábrica IIM-1 está situada en Chitose. Su función será mejorar la asistencia a empresas relacionadas con la industria de semiconductores, además de facilitar la colaboración con organizaciones locales, administraciones y otros clientes de la región.
La ubicación tiene importancia porque Rapidus está desarrollando en Hokkaido una infraestructura destinada a fabricar procesadores mediante tecnologías avanzadas. Disponer de personal técnico próximo a las instalaciones puede facilitar la coordinación durante las etapas de desarrollo, validación y preparación industrial, aunque IBM no ha detallado cuántos trabajadores incorporará a su nueva oficina.
La colaboración entre ambas compañías comenzó formalmente en diciembre de 2022, cuando anunciaron un acuerdo para desarrollar conjuntamente tecnología de fabricación de 2 nm. Desde entonces, ingenieros de Rapidus han trabajado con investigadores de IBM en Albany, Nueva York, para adquirir los conocimientos necesarios y trasladar posteriormente los procesos de fabricación a Japón.
Los transistores nanosheet GAA sustituyen al diseño FinFET tradicional
La tecnología de 2 nm desarrollada por IBM utiliza transistores nanosheet con arquitectura Gate-All-Around (GAA), una evolución respecto a los FinFET empleados durante generaciones anteriores. Su principal característica es que la puerta del transistor rodea completamente los canales de conducción, proporcionando un control eléctrico más preciso y reduciendo las corrientes de fuga.
En los transistores FinFET, la puerta controla el canal desde tres lados, mientras que los diseños GAA permiten envolverlo por completo mediante estructuras horizontales apiladas. Esta diferencia resulta especialmente importante conforme disminuyen las dimensiones de fabricación, porque mantener un control adecuado de la corriente se vuelve más difícil en transistores cada vez más pequeños.
IBM presentó sus primeros avances con chips de 2 nm en 2021, anunciando hasta un 45% más de rendimiento o un 75% menos de consumo energético frente a su referencia de 7 nm. Estas cifras corresponden a proyecciones tecnológicas realizadas bajo condiciones comparables, no a resultados obtenidos con procesadores comerciales fabricados actualmente por Rapidus.
Tampoco significa que ambas mejoras puedan conseguirse simultáneamente. El aumento de rendimiento y la reducción de consumo representan escenarios de comparación diferentes, condicionados por las características eléctricas y la configuración de cada procesador. Además, la denominación comercial de 2 nm no equivale a una dimensión física exacta de todos sus transistores, sino que identifica una generación tecnológica.
Rapidus prepara su fábrica IIM-1 para producir chips de 2 nm
La fábrica IIM-1 de Rapidus constituye el principal elemento industrial del proyecto. Situada en Chitose, comenzó a operar su línea piloto en abril de 2025, una etapa destinada a validar procesos de fabricación antes de aumentar la producción. El objetivo es demostrar que la tecnología desarrollada junto a IBM puede trasladarse a una instalación comercial.
Uno de los principales desafíos será conseguir rendimientos de fabricación suficientemente elevados, es decir, obtener una proporción adecuada de chips funcionales por cada oblea procesada. Incluso si los transistores cumplen las especificaciones eléctricas, la producción comercial requiere controlar defectos, mantener la uniformidad entre obleas y garantizar resultados repetibles.
El trabajo conjunto también incluye mejoras en la fabricación de transistores GAA con diferentes voltajes umbral. Estas configuraciones permiten combinar zonas optimizadas para rendimiento con otras orientadas al ahorro energético dentro de un mismo procesador. Su implementación industrial exige controlar con precisión las dimensiones y propiedades de las estructuras nanosheet, especialmente cuando se utilizan procesos de litografía avanzada.
Japón busca competir con TSMC, Samsung e Intel en fabricación avanzada
La estrategia de Rapidus cuenta con el respaldo de ocho grandes compañías japonesas y forma parte de los esfuerzos del país para recuperar capacidad nacional de fabricación de semiconductores avanzados. Su objetivo es desarrollar una alternativa industrial frente a fabricantes internacionales como TSMC, Samsung Foundry e Intel, que también trabajan con procesos de última generación.
Sin embargo, disponer de tecnología de 2 nm no garantiza competir inmediatamente en volumen o costes de fabricación. Rapidus deberá demostrar que puede producir chips con calidad constante, ampliar su capacidad y conseguir clientes comerciales. La fabricación avanzada también exige inversiones continuadas en maquinaria, materiales y procesos de validación.
La producción en masa sigue prevista para 2027
Rapidus mantiene como objetivo iniciar la producción en masa durante la segunda mitad de su ejercicio fiscal 2027, que comprende el periodo comprendido entre octubre de 2027 y marzo de 2028. La compañía continúa desarrollando su infraestructura y los procesos necesarios para cumplir ese calendario, aunque todavía no ha confirmado una fecha exacta para comenzar las entregas comerciales.
La apertura de la oficina de IBM en Chitose refuerza la cooperación técnica con Rapidus, pero el verdadero avance llegará cuando la fábrica IIM-1 demuestre una producción estable de chips de 2 nm con rendimientos comercialmente viables. Hasta entonces, el proyecto seguirá enfrentándose al reto de transformar una tecnología desarrollada en laboratorio en un proceso industrial competitivo.
Vía: Wccftech











