El fabricante chino YMTC está preparando la producción en masa de memoria LPDDR5X con velocidades de hasta 9.600 MT/s, ampliando su actividad más allá del almacenamiento NAND Flash. Según un informe de Counterpoint Research, recogido por TechPowerUp, la compañía desarrolla una nueva generación de DRAM basada en transistores de canal vertical y una arquitectura de celdas 4F².
El proyecto parte de los avances conseguidos en Fab 2, donde YMTC lleva efectuando pruebas con memoria LPDDR5 de 16 Gb a 7.500 MT/s desde octubre de 2025. La siguiente etapa contempla trasladar una arquitectura más avanzada a Fab 3, aunque el inicio de la producción comercial dependerá de que los nuevos chips superen las pruebas de rendimiento y validación.
YMTC desarrolla memoria LPDDR5 de 7.500 MT/s con unas 5.000 obleas mensuales
Según Counterpoint Research, YMTC mantiene una línea de investigación y fabricación experimental en Fab 2 con una capacidad aproximada de 5.000 obleas mensuales. Las pruebas se centran en chips LPDDR5 de segunda generación, con una capacidad de 16 Gb y velocidades de transferencia de hasta 7.500 MT/s.
Esta primera generación todavía no incorpora tecnología High-k Metal Gate (HKMG), utilizada en determinados procesos avanzados para mejorar el comportamiento eléctrico de los transistores. La consultora también señala que YMTC no contempla llevar estos chips a producción masiva, puesto que su desarrollo está sirviendo como base para una arquitectura posterior.
La información resulta especialmente relevante porque YMTC ha concentrado históricamente su actividad en memoria NAND Flash, utilizada principalmente en unidades SSD y otros dispositivos de almacenamiento. Su entrada en DRAM supondría ampliar el catálogo hacia un mercado con requisitos de diseño, fabricación y validación diferentes.
La siguiente generación apunta a LPDDR5X de 9.600 MT/s en Fab 3
El siguiente objetivo de YMTC es alcanzar 9.600 MT/s mediante una arquitectura de celdas 4F² con transistores de canal vertical (VCT). Esta tecnología reorganiza los componentes de memoria para reducir la superficie ocupada por cada celda y facilitar una mayor densidad de integración.
TechPowerUp identifica el futuro producto como LPDDR5X, aunque Counterpoint Research utiliza la denominación LPDDR5 al describir el desarrollo. Por ahora, YMTC no ha confirmado las especificaciones comerciales definitivas, por lo que conviene distinguir los objetivos técnicos de un producto terminado y disponible para los fabricantes.
La velocidad prevista resultaría especialmente interesante para smartphones, tablets y ordenadores portátiles, donde la memoria LPDDR permite combinar un elevado ancho de banda con un consumo energético reducido. Sin embargo, la velocidad de transferencia no determina por sí sola el rendimiento final: también intervienen la configuración de los canales, la capacidad instalada y el controlador de memoria del dispositivo.
El plan industrial contempla fabricar esta nueva generación en Fab 3, siempre que consiga superar los requisitos técnicos establecidos. Counterpoint no proporciona una fecha definitiva para el comienzo de la producción en masa ni identifica posibles clientes, por lo que todavía es pronto para hablar de disponibilidad comercial.
Xtacking podría proporcionar ventajas para el desarrollo de futuras memorias 3D DRAM
Otro elemento importante es la experiencia de YMTC con Xtacking, su tecnología de fabricación de memoria NAND mediante la unión de obleas de silicio. Este procedimiento permite producir las celdas de memoria y los circuitos periféricos por separado antes de combinarlos mediante conexiones de alta densidad.
Con Xtacking 4.0, el fabricante ha perfeccionado estas técnicas para sus productos NAND. Según Counterpoint, el conocimiento adquirido en la unión de obleas podría resultar útil para desarrollar futuras memorias 3D DRAM, una tecnología que busca aumentar la capacidad mediante el apilamiento vertical de las celdas.
No obstante, la memoria 4F² y la futura 3D DRAM no son tecnologías equivalentes. La primera modifica la disposición de los componentes dentro de cada celda, mientras que la segunda plantea apilar capas de memoria. Tampoco está confirmado que YMTC pueda trasladar directamente Xtacking 4.0 a la fabricación comercial de DRAM.
YMTC busca entrar en un mercado dominado por Samsung, SK hynix y Micron
La apuesta de YMTC llega en un momento de fuerte demanda mundial de memoria, especialmente por el crecimiento de los centros de datos y las necesidades de procesamiento de inteligencia artificial. Aunque la LPDDR5X se utiliza principalmente en dispositivos de bajo consumo, su desarrollo permitiría al fabricante chino diversificar sus fuentes de ingresos.
La compañía también tendría que competir con Samsung, SK hynix y Micron, fabricantes que llevan años produciendo memoria DRAM a gran escala. Además de alcanzar las velocidades previstas, YMTC deberá demostrar que puede mantener unos rendimientos de fabricación competitivos y suministrar chips con la fiabilidad exigida por sus futuros clientes.
Otro obstáculo son las restricciones estadounidenses de acceso a determinadas tecnologías y equipos avanzados de fabricación. Estas limitaciones pueden complicar la ampliación de capacidad y la adopción de procesos más complejos, aunque YMTC busca aprovechar su experiencia industrial para reducir parte de esas dificultades.
Por ahora, YMTC continúa desarrollando chips LPDDR5 de 7.500 MT/s en Fab 2 y trabaja en una generación de hasta 9.600 MT/s para Fab 3. Si consigue completar su validación y comenzar la producción en masa, la compañía habrá dado un paso importante para establecerse como proveedor de DRAM. El desafío será convertir estos avances técnicos en memoria comercial competitiva, algo que todavía no está garantizado.
Vía: TechPowerUp
