Kioxia ha presentado sus primeras soluciones de almacenamiento integrado UFS 5.0, desarrolladas para smartphones prémium y dispositivos capaces de ejecutar inteligencia artificial local. Las nuevas memorias alcanzan hasta 10 GB/s de lectura secuencial, 9 GB/s de escritura y estarán disponibles con capacidades de 512 GB y 1 TB.
Las primeras muestras comerciales ya están disponibles para fabricantes, mientras la producción en masa comenzará antes de finalizar 2026. Kioxia mostrará esta tecnología durante el próximo evento FMS, utilizando un controlador propio junto con memoria BiCS FLASH de octava generación para mejorar rendimiento, eficiencia energética y refrigeración.
UFS 5.0 eleva la interfaz hasta 46,6 Gb/s por línea
Las nuevas memorias adoptan el estándar JEDEC UFS 5.0, acompañado por la capa física MIPI M-PHY v6.0 y el protocolo UniPro v3.0. La implementación incluye el modo HS-Gear6, capaz de alcanzar una velocidad teórica de hasta 46,6 Gb/s por línea dentro de la interfaz.
Al utilizar dos líneas, el enlace puede ofrecer aproximadamente 10,8 GB/s de rendimiento efectivo, superando claramente las posibilidades de UFS 4.1. Esta cifra corresponde a la capacidad de transferencia de la interfaz, mientras el rendimiento anunciado para los dispositivos de Kioxia queda ligeramente por debajo debido a las limitaciones propias del controlador y la memoria NAND.
El aumento resulta especialmente relevante para sistemas donde la CPU, la GPU o la NPU necesitan acceder continuamente a modelos de lenguaje, imágenes, audio y bases de datos locales. Reducir la espera entre almacenamiento y procesamiento permite acelerar la carga de aplicaciones, disminuir la latencia y mantener un flujo de datos más estable durante la inferencia.
Kioxia combina controlador propio con BiCS FLASH de octava generación
Las principales especificaciones anunciadas para la primera generación quedan organizadas así:
- Lectura secuencial: hasta 10 GB/s.
- Escritura secuencial: hasta 9 GB/s.
- Capacidades disponibles: 512 GB y 1 TB.
- Memoria NAND: BiCS FLASH de octava generación.
- Controlador: diseño UFS 5.0 desarrollado por Kioxia.
- Encapsulado: formato BGA de 7,5 × 13 mm.
- Interfaz: MIPI M-PHY v6.0, UniPro v3.0 y HS-Gear6.
El controlador propio permite a Kioxia ajustar conjuntamente la gestión de la NAND, la eficiencia energética, la temperatura y el rendimiento sostenido. Esta integración resulta importante porque las velocidades máximas pierden utilidad cuando el dispositivo reduce frecuencias por calentamiento o consume demasiada energía durante transferencias prolongadas.
El encapsulado BGA de 7,5 × 13 mm también ocupa menos superficie que la generación anterior de la compañía. La reducción facilita integrar almacenamiento de alta capacidad dentro de smartphones más delgados, dejando mayor espacio interno para baterías, sistemas de cámaras, refrigeración y otros componentes sin renunciar a velocidades propias de un SSD.
La IA local exige mover modelos cada vez más grandes
Los modelos de inteligencia artificial ejecutados directamente en el dispositivo necesitan cargar rápidamente pesos, contextos, imágenes y datos multimodales desde el almacenamiento. Cuando la memoria UFS no suministra información con suficiente velocidad, la CPU, la GPU o la NPU pueden permanecer parcialmente inactivas mientras esperan nuevos bloques de datos.
Este cuello de botella gana importancia con los modelos de lenguaje de gran tamaño, la generación de imágenes, el reconocimiento de vídeo y la inferencia en tiempo real. Una lectura secuencial de 10 GB/s permite reducir los tiempos de carga, aunque el rendimiento final también dependerá de la compresión, la memoria RAM disponible y la arquitectura del procesador.
UFS 5.0 no sustituye a la RAM ni elimina todas las limitaciones de la IA local. Su función consiste en acelerar el intercambio entre el almacenamiento persistente y los componentes de cálculo, permitiendo manejar modelos mayores, recursos multimedia más pesados y aplicaciones sensibles a la latencia con menos esperas que mediante UFS 4.1.
Los primeros dispositivos podrían llegar durante 2027
La disponibilidad actual de muestras comerciales permitirá a los fabricantes comenzar la validación, adaptar sus placas y desarrollar el firmware necesario. Sin embargo, el inicio de la producción en masa a finales de 2026 sitúa la llegada de los primeros smartphones comerciales con UFS 5.0 previsiblemente durante 2027, dependiendo de cada calendario de lanzamiento.
Los móviles prémium con IA integrada serán el mercado inicial, pero Kioxia también contempla su utilización dentro de tablets, sistemas gaming, dispositivos AR/VR, robots, cámaras de seguridad y plataformas industriales edge. Todos estos productos necesitan almacenar grandes cantidades de información y procesarla localmente sin depender continuamente de servidores externos.
El salto hasta 10 GB/s de lectura y 9 GB/s de escritura acerca el almacenamiento móvil al rendimiento de algunos SSD PCIe. La mejora no dependerá únicamente de alcanzar una cifra máxima, sino de mantenerla con menor consumo, mejor control térmico y encapsulados más pequeños dentro de equipos donde el espacio resulta especialmente limitado.
Kioxia se convierte así en uno de los primeros fabricantes en detallar soluciones comerciales basadas en UFS 5.0. Las capacidades de 512 GB y 1 TB, la memoria BiCS FLASH de octava generación y el nuevo controlador preparan el almacenamiento integrado para una generación de dispositivos donde la IA local moverá volúmenes de datos considerablemente mayores.
Vía: TechPowerUp
