CXMT recibiría durante 2026 una de las primeras máquinas DUV de inmersión fabricadas en China, junto con SMIC y Hua Hong. Según fuentes citadas por The Information, Shanghai Yuliangsheng Technology pretende producir cinco equipos este año y elevar la fabricación hasta 20 unidades durante 2027.
Los sistemas estarían preparados inicialmente para procesos de 28 nm y utilizarían componentes mayoritariamente chinos, aunque algunas piezas críticas continuarían llegando desde Japón. Para CXMT, la principal ventaja sería reducir su dependencia de ASML mientras amplía la capacidad de producción y acelera sus proyectos de memoria 3D DRAM con unión híbrida.
Yuliangsheng iniciaría la producción limitada de DUV
Shanghai Yuliangsheng Technology habría pasado desde la fase experimental hacia una producción industrial limitada. Fabricar cinco unidades representa un volumen reducido, pero permitiría validar el montaje, la calibración y el mantenimiento mediante equipos instalados dentro de fábricas comerciales de semiconductores.
El objetivo de alcanzar 20 máquinas durante 2027 exigirá estabilizar la cadena de proveedores y mantener prestaciones consistentes entre unidades. Una plataforma litográfica necesita conservar resolución, precisión de superposición, productividad y disponibilidad operativa durante miles de horas para resultar útil dentro de una línea de fabricación.
La dependencia de algunos componentes japoneses demuestra que la máquina todavía no procede de una cadena completamente nacional. Sin embargo, utilizar una mayoría de piezas chinas reduciría la exposición frente a restricciones sobre la venta, reparación o actualización de equipos DUV occidentales.
CXMT ganaría una fuente adicional de capacidad litográfica
CXMT pretende elevar su capacidad desde alrededor de 200.000 obleas mensuales hasta unas 300.000 obleas al mes durante 2026. Las nuevas instalaciones previstas en Shanghái y Hefei podrían llevar posteriormente la producción total hasta aproximadamente 600.000 obleas mensuales.
Esta expansión requiere suficientes herramientas de litografía, deposición, grabado y metrología. Las DUV nacionales proporcionarían una fuente adicional para determinadas capas, evitando que la disponibilidad limitada de equipos importados se convierta en un cuello de botella para las nuevas fábricas.
Cinco máquinas repartidas entre CXMT, SMIC y Hua Hong tendrán un impacto productivo inicial limitado. Su principal valor estará en iniciar una curva de aprendizaje industrial, mejorar los rendimientos y ampliar progresivamente las capas procesadas mediante tecnología china.
Los 28 nm no limitan el equipo a ese nodo
Una máquina DUV preparada para 28 nm puede imprimir estructuras inferiores mediante multipatterning, dividiendo un patrón complejo entre varias exposiciones. Esta técnica permite acercarse a densidades equivalentes a 7 nm o 5 nm, aunque aumenta el número de máscaras, los pasos de grabado y las posibilidades de error.
Para SMIC, utilizar el equipo dentro de su proceso N+3 de clase 5 nm podría exigir técnicas como SAQP o cuádruple patrón autoalineado. La viabilidad dependerá especialmente de la precisión del overlay, porque cualquier desviación entre exposiciones reduce el rendimiento y eleva el coste por chip funcional.
CXMT no necesitaría emplear las primeras máquinas nacionales en las capas más críticas. Podría destinarlas inicialmente a procesos maduros y exposiciones menos exigentes, reservando los sistemas de ASML disponibles para las etapas que requieran mayor precisión o productividad.
La 3D DRAM reduce la dependencia del escalado horizontal
CXMT produce actualmente DRAM 1a mediante su proceso G5, pero la falta de acceso a litografía EUV dificulta continuar reduciendo las dimensiones horizontales. Su alternativa consiste en desarrollar 3D DRAM, aumentando la densidad mediante estructuras apiladas verticalmente.
La compañía trabaja en diseños con líneas de palabra GAA verticales, combinadas con condensadores y líneas de bits horizontales. Esta arquitectura podría aumentar la capacidad y reducir fenómenos como Rowhammer, sin depender exclusivamente de transistores y estructuras horizontales cada vez más pequeñas.
Las máquinas DUV de inmersión podrían imprimir las capas necesarias antes del apilamiento. La estrategia no sustituye directamente a EUV, sino que combina litografía nacional, diseño tridimensional y encapsulado avanzado para prolongar el crecimiento de densidad de la memoria.
La unión híbrida separa las celdas y la lógica
CXMT ya estaría probando en Hefei la tecnología W2W Hybrid Bonding, donde las celdas de almacenamiento y los circuitos de control se fabrican sobre obleas independientes. Posteriormente, ambas superficies se alinean y unen verticalmente mediante conexiones de alta densidad.
Separar ambos bloques permite optimizar cada oblea de forma diferente. Las celdas pueden priorizar densidad y capacidad, mientras la lógica utiliza transistores orientados hacia velocidad, control y eficiencia energética, evitando algunos compromisos propios de una matriz monolítica.
La dificultad se traslada hacia la alineación wafer-to-wafer, el rendimiento de unión y la gestión térmica. Disponer de DUV nacionales resuelve una parte de la cadena, pero CXMT todavía debe conseguir que el apilamiento resulte suficientemente fiable y económico para una producción masiva de 3D DRAM.
Qualcomm y GigaDevice apoyarían la personalización
CXMT habría colaborado con Qualcomm y GigaDevice para desarrollar memoria adaptada a NPU locales integradas en smartphones. El objetivo sería ajustar la capacidad, el ancho de banda y el consumo a dispositivos capaces de ejecutar modelos de inteligencia artificial sin depender constantemente de la nube.
La 3D DRAM puede acercar físicamente las celdas de memoria a la lógica, reduciendo la latencia y la energía consumida durante las transferencias. Esta ventaja resulta especialmente relevante en inferencia local, donde mover grandes cantidades de datos puede consumir más energía que las propias operaciones matemáticas.
Estas colaboraciones no demuestran todavía una producción comercial masiva. CXMT deberá validar coste, fiabilidad, temperatura y rendimiento de fabricación antes de convertir sus prototipos de memoria tridimensional en productos instalados dentro de millones de dispositivos.
Las DUV chinas todavía no sustituyen a ASML
Las máquinas nacionales reforzarían la resistencia de CXMT frente a futuras restricciones, pero no neutralizan completamente medidas como el MATCH Act. La compañía continuará dependiendo de herramientas y componentes extranjeros dentro de otros procesos esenciales de fabricación.
También faltan datos sobre las obleas procesadas por hora, la precisión de overlay, la resolución efectiva y la disponibilidad operativa. Una máquina lenta puede resultar útil para capas secundarias, pero necesitaría más unidades para igualar la producción de una herramienta avanzada de ASML.
La entrega permitiría a CXMT combinar más capacidad productiva, litografía nacional y desarrollo de 3D DRAM. Sin embargo, las primeras DUV chinas deben considerarse una plataforma estratégica complementaria, no un sustituto directo y demostrado de los sistemas TWINSCAN.
Vía: Wccftech
