Sandisk ha iniciado el envío de muestras de BiCS10 1 Tb TLC, su memoria NAND 3D de 10ª generación, con una apuesta clara por centros de datos, IA y cargas intensivas en almacenamiento. La clave está en combinar 332 capas, más de 29 Gb/mm² y una interfaz de hasta 4,8 Gb/s.
El salto llega sobre la arquitectura Bit-Cost Scalable, BiCS, junto a CMOS directly Bonded to Array, CBA, y mejora tanto densidad como eficiencia frente a BiCS8. Sandisk habla de 59% más densidad de bits, 33% más velocidad de interfaz y menor consumo en entrada y salida de datos.
BiCS10 sube la NAND TLC a 332 capas
El dato más importante está en la estructura. BiCS10 aumenta el apilado hasta 332 capas de memoria, acompañado por técnicas avanzadas de escalado lateral y mejor eficiencia de planta. Esa combinación permite superar los 29 Gb/mm² en densidad para chips TLC de 1 Tb.
No es solo una carrera por presumir de capas. Más densidad por milímetro cuadrado permite fabricar SSD con más capacidad usando menos superficie de silicio, algo clave para centros de datos donde coste, espacio, consumo y rendimiento tienen que mejorar al mismo tiempo.
La elección de TLC también importa. Sandisk no está empujando aquí QLC como vía principal para ganar capacidad, sino una memoria de tres bits por celda. TLC mantiene mejor equilibrio entre rendimiento, resistencia y densidad, especialmente en SSD empresariales o cargas más exigentes.
La interfaz NAND alcanza los 4,8 Gb/s
BiCS10 eleva la velocidad de interfaz hasta 4,8 Gb/s, un 33% más que la generación BiCS8 actualmente en producción masiva. En SSD modernos, esta mejora ayuda a que la controladora reciba más datos desde los chips NAND sin quedar tan limitada por la propia memoria.
Ese punto es especialmente importante en IA. Datasets, checkpoints, inferencia, entrenamiento y cargas de análisis mueven cantidades enormes de información, y el almacenamiento ya no puede limitarse a ofrecer muchos terabytes. También necesita alimentar CPU, GPU y aceleradores con más consistencia.
La velocidad de interfaz no lo resuelve todo, porque el SSD final depende de controladora, firmware, caché y configuración interna. Aun así, una NAND más rápida da más margen para construir unidades PCIe empresariales con mejor rendimiento sostenido y menos cuellos de botella internos.
CBA vuelve a ser una pieza central
Sandisk mantiene la tecnología CMOS directly Bonded to Array, CBA, que fabrica la lógica CMOS y la matriz de memoria en obleas separadas antes de unirlas mediante alineación wafer-to-wafer. Es una arquitectura clave para escalar NAND sin depender solo de añadir más capas.
La ventaja está en optimizar cada parte por separado. El CMOS puede fabricarse pensando en rendimiento y control, mientras el array NAND se diseña para máxima densidad, evitando algunos compromisos de una integración más tradicional. En memorias modernas, la arquitectura interna pesa muchísimo.
CBA ya venía de generaciones anteriores, pero BiCS10 la lleva a un punto más ambicioso. 332 capas, mayor densidad lateral y mejor eficiencia de entrada/salida muestran que el avance no está en un único parámetro, sino en una suma de fabricación, diseño y señalización.
Toggle DDR6.0, SCA y PI-LTT apuntan a más velocidad con menos consumo
BiCS10 incorpora Toggle DDR6.0, protocolo SCA y tecnología PI-LTT para sostener operación de alta velocidad con menor consumo. No son nombres comerciales vacíos: forman parte del intento de Sandisk por mejorar la comunicación interna de la NAND sin disparar la energía necesaria por transferencia.
La compañía habla de una reducción de consumo del 10% en entrada de datos y 34% en salida de datos frente a BiCS8. En un SSD aislado puede parecer una mejora discreta, pero en centros de datos con miles de unidades, el ahorro energético se multiplica.
Esta eficiencia es crítica porque la IA está presionando toda la infraestructura. No solo consumen las GPUs; también memoria, redes, almacenamiento y refrigeración. Una NAND que mueva más datos con menos energía ayuda a contener el coste operativo de plataformas cada vez más densas.
Más densidad para SSD de IA y cargas intensivas
Sandisk orienta BiCS10 hacia workloads intensivos en datos, especialmente IA y centros de datos. La combinación de 1 Tb por chip, mayor densidad y mejor eficiencia permite diseñar SSD con más capacidad por unidad, algo cada vez más importante en servidores llenos de aceleradores.
La IA no necesita únicamente computación. También necesita almacenar y mover datasets, modelos, pesos, registros, vectores y checkpoints. Cuando el almacenamiento se queda corto, las GPUs caras esperan datos, y esa espera se traduce en peor eficiencia de todo el sistema.
Aquí BiCS10 intenta atacar dos frentes a la vez. Más densidad reduce coste y espacio por capacidad, mientras la interfaz de 4,8 Gb/s mejora el margen de rendimiento interno. La suma es justo lo que buscan los fabricantes de SSD empresariales para la próxima ola de IA.
Sandisk refuerza su hoja de ruta NAND
El muestreo de BiCS10 no significa disponibilidad inmediata en productos finales, pero sí marca un paso importante. Las muestras permiten validar chips, controladoras, firmware y diseños de SSD antes de producción masiva, especialmente en clientes que necesitan ciclos de prueba largos y exigentes.
Sandisk también intenta reforzar su control de la cadena. La compañía destaca diseño, fabricación, ensamblaje, firmware, controladoras y empaquetado como parte de su propuesta. En NAND, controlar más etapas puede mejorar costes, calidad, tiempos de salida al mercado y resiliencia de suministro.
El contexto competitivo es duro. Samsung, Kioxia, Micron, SK hynix y Solidigm también empujan NAND de más capas, más densidad y menor consumo. BiCS10 coloca a Sandisk en esa carrera con una propuesta muy centrada en eficiencia, escalado y SSD para IA.
Un salto técnico que no busca al consumidor doméstico
BiCS10 no está pensada como titular para tarjetas microSD o SSD baratos de consumo inmediato. Su destino natural son unidades empresariales, centros de datos y sistemas donde capacidad, consumo y rendimiento sostenido pesan más que el precio de entrada.
Eso no significa que el consumidor no acabe notándolo. Con el tiempo, las mejoras de densidad en NAND suelen bajar a productos más amplios, ya sea en SSD de mayor capacidad, unidades más eficientes o mejores precios por terabyte cuando la producción madura.
Por ahora, la lectura resulta más industrial. Sandisk ya tiene en muestras una NAND TLC de 10ª generación con 332 capas, 1 Tb por die, 4,8 Gb/s y mejor eficiencia I/O. Si la validación acompaña, BiCS10 será una de las piezas importantes para los próximos SSD de IA.
Vía: TechPowerUp
