SK hynix estaría preparando la producción en masa de su nueva NAND de 375 capas para finales de 2026, tras completar la fase de verificación de esta generación. El avance busca aumentar la densidad de almacenamiento en SSD y soluciones empresariales, en un momento donde la demanda de capacidad vuelve a crecer con fuerza.
La noticia encaja en una carrera cada vez más agresiva dentro de la memoria NAND Flash. Samsung y SK hynix compiten por elevar el número de capas sin comprometer rendimiento, fiabilidad ni costes de fabricación, mientras el mercado espera más capacidad por chip para servidores, centros de datos, PCs y dispositivos de consumo.
La NAND de 375 capas sustituirá a la generación de 321 capas
Las fábricas actuales de SK hynix producen soluciones V9 NAND de 321 capas, pero la compañía estaría adaptando líneas existentes para soportar el nuevo proceso. Aprovechar instalaciones ya operativas permite acelerar la transición sin depender por completo de nuevas fábricas, algo clave cuando el mercado exige volumen.
La nueva generación habría sido etiquetada internamente como NAND de clase 400 capas, aunque finalmente se quedaría en 375 capas. Reducir el número final de capas apunta a una decisión pragmática, priorizando fabricación estable frente a perseguir una cifra más alta con más riesgo técnico.
Ese matiz es importante porque apilar más capas no garantiza automáticamente un producto mejor. Cuanto mayor es la estructura vertical, más difícil resulta controlar uniformidad, señal, rendimiento y defectos. En NAND avanzada, escalar en altura puede ser tan complejo como avanzar en litografía.
480 y 604 capas exigirán un cambio de materiales
La hoja de ruta no termina en 375 capas. SK hynix ya trabajaría en generaciones de 480 capas y 604 capas, aunque esas soluciones necesitarán un enfoque distinto. El salto a estructuras más altas exige modificar materiales internos para evitar problemas de transmisión de señal.
El cambio clave estaría en sustituir parte del tungsteno por molibdeno. El tungsteno empieza a encontrar límites cuando las conexiones internas se estrechan demasiado. El molibdeno ofrece una vía más adecuada para mantener resistencia eléctrica y estabilidad en diseños NAND con muchas más capas.
Samsung ya usa este material en sus procesos, y SK hynix tendría que seguir esa dirección para sostener su escalado. La competencia ya no se limita a cuántas capas puede apilar cada fabricante, sino a qué materiales permiten fabricar esos chips con rendimiento suficiente y tasas de defecto razonables.
El molibdeno se convertirá en un recurso mucho más demandado
El giro hacia el molibdeno también tendrá consecuencias en la cadena de suministro. Samsung compró unas 4 toneladas el año pasado y habría adquirido 10 toneladas durante este año, mientras SK hynix podría consumir alrededor de 4 toneladas en su transición inicial.
La demanda total podría subir hasta 25 toneladas en 2027, 40 toneladas en 2028, 60 toneladas en 2029 y 80 toneladas en 2030. La evolución de la NAND avanzada no dependerá solo de ingeniería interna, sino también de asegurar materiales críticos en cantidades crecientes.
Este punto puede acabar afectando al coste de producción. Si más fabricantes migran a molibdeno para sostener NAND de alta densidad, la presión sobre suministro y precio del material será cada vez mayor, especialmente cuando almacenamiento e IA compiten por capacidad en centros de datos.
La demanda de almacenamiento vuelve a empujar a los fabricantes
El aumento de capas responde a una necesidad clara: más densidad por chip permite fabricar SSD de mayor capacidad sin aumentar proporcionalmente el espacio físico. Esto importa en servidores, almacenamiento cloud, equipos profesionales y dispositivos compactos donde cada milímetro de placa cuenta.
El mercado también está cambiando por la IA. Aunque la atención suele centrarse en HBM y DRAM, los sistemas de IA generan y almacenan volúmenes enormes de datos, desde datasets hasta checkpoints, inferencia, vídeo, imágenes y registros de entrenamiento. La NAND seguirá siendo una pieza imprescindible.
Para SK hynix, llegar antes con 375 capas puede reforzar ingresos si la demanda de almacenamiento se mantiene alta. Más capas significan más capacidad potencial por oblea, siempre que el rendimiento de fabricación acompañe. Ahí estará la diferencia entre una mejora técnica y un producto rentable.
Samsung sigue presionando con NAND de más de 400 capas
Samsung también prepara su propia ofensiva con NAND de más de 400 capas, además de soluciones de doble apilado que a largo plazo podrían acercarse a cifras mucho más altas. La batalla entre fabricantes se traslada a quién escala antes sin disparar complejidad ni coste por bit.
La comparación será inevitable cuando ambas compañías lleven sus nuevas generaciones al mercado. SK hynix parece optar por un paso intermedio más controlado con 375 capas, mientras Samsung intenta acelerar hacia diseños más ambiciosos. En ambos casos, la dificultad estará en producir millones de chips con estabilidad.
Más capas no bastan sin buen coste por bit
La lectura final es clara: SK hynix está preparando una transición importante en NAND Flash, pero el salto real no está solo en pasar de 321 a 375 capas. La clave será mantener coste por bit competitivo, rendimiento suficiente y fiabilidad en producción masiva.
Si la compañía logra validar bien esta generación, la NAND de 375 capas puede servir como puente hacia 480 y 604 capas, donde el molibdeno tendrá un papel cada vez más importante. El almacenamiento seguirá subiendo de densidad, pero cada avance dependerá más de materiales, fabricación y control de defectos.
Vía: Wccftech
