El sector de semiconductores avanzados vive un momento clave en Estados Unidos, donde Samsung está a punto de dar un movimiento estratégico que podría alterar el equilibrio del mercado. Mientras TSMC mantiene su tecnología más puntera fuera del país, el fabricante surcoreano estaría preparando el terreno para llevar el nodo de 2 nm GAA a suelo estadounidense.
La planta de Taylor, Texas, inicialmente concebida para procesos de 4 nm, habría cambiado de rumbo tras la instalación de equipamiento EUV de ASML, allanando el camino para la producción de nodos sub-5 nm con mejores rendimientos y mayor volumen.
Taylor pasa de 4 nm a 2 nm GAA como eje estratégico
La decisión de priorizar el nodo de 2 nm GAA supone un giro relevante respecto a los planes iniciales. El uso de litografía EUV es imprescindible para fabricar obleas avanzadas con rendimientos competitivos, y la presencia de este equipamiento indica que Samsung busca acelerar la transición productiva.
Según fuentes del sector, la producción mensual prevista en Taylor habría pasado de 20.000 a 50.000 obleas, una señal clara de que Samsung quiere reducir la brecha tecnológica y de volumen frente a TSMC en el corto plazo.
Exynos 2600 y mejora de rendimientos en 2 nm
El Exynos 2600 ya fue anunciado como el primer SoC de Samsung fabricado en 2 nm GAA, aunque los primeros informes situaban los rendimientos en torno al 50% durante el arranque de la producción. El aumento del volumen inicial sugiere que la compañía confía en mejoras progresivas en yields, clave para que el nodo resulte viable a gran escala.
Este avance no solo afecta al negocio móvil, sino que refuerza la posición de Samsung en IA, automoción y computación avanzada, donde la eficiencia energética y la densidad de transistores son críticas.
Objetivo: 100.000 obleas mensuales y clientes estratégicos
La industria estima que la planta de Taylor podría alcanzar una capacidad cercana a 100.000 obleas mensuales en 2027, siempre que el despliegue del nodo 2 nm GAA avance según lo previsto. Parte de este crecimiento estaría respaldado por acuerdos industriales de gran envergadura.
Entre ellos destaca el contrato de 16.500 millones de dólares con Tesla para fabricar el chip AI6, destinado a sistemas avanzados de conducción autónoma. También se ha informado de pedidos relacionados con fabricantes chinos de hardware criptográfico, aunque estos últimos podrían mantenerse en fábricas ubicadas en Corea del Sur.
Samsung busca adelantar generaciones frente a TSMC
Más allá del nodo inicial, la planta estadounidense podría convertirse en un centro clave para la segunda y tercera generación de 2 nm GAA. Samsung ya habría completado el diseño base de su segunda iteración, mientras que SF2P+, la tercera generación, se encuentra en desarrollo y podría desplegarse en un plazo aproximado de dos años.
Este calendario refleja la urgencia estratégica de Samsung por alcanzar o superar a TSMC en procesos de vanguardia, especialmente en un contexto donde la demanda de IA está redefiniendo prioridades industriales y geopolíticas.
Vía: Wccftech
