Rapidus ha anunciado una nueva batería de herramientas de diseño asistido por IA destinada a reforzar su estrategia industrial en el nodo de 2 nm. La iniciativa forma parte de su solución Rapidus AI-Assisted Design Solution (Raads), que pasará a denominarse Rapidus AI-Agentic Design Solution, y se integrará como uno de los pilares clave de su concepto de fabricación Rapid and Unified Manufacturing Service (RUMS).
El planteamiento de la compañía japonesa combina automatización avanzada, IA generativa y flujos de diseño optimizados específicamente para su proceso de 2 nm, con el objetivo de acortar de forma significativa los ciclos de desarrollo. Las primeras herramientas estarán disponibles a partir de 2026, y se ofrecerán junto a un process design kit (PDK) y flujos de referencia, facilitando su adopción por parte de los diseñadores de silicio.
Raads Generator y Raads Predictor, el núcleo inicial
Las dos primeras piezas del ecosistema son Raads Generator y Raads Predictor, ambas orientadas a las fases iniciales y de validación del diseño lógico y físico. Raads Generator es una herramienta EDA basada en modelos de lenguaje a gran escala (LLMs) que permite introducir especificaciones de semiconductores y obtener como salida diseños RTL optimizados para el proceso de 2 nm de Rapidus.
Por su parte, Raads Predictor se centra en la depuración y optimización del RTL de cara al diseño físico, cubriendo tareas de colocación, enrutado y evaluación temprana del chip. Esta herramienta es capaz de ofrecer estimaciones rápidas de PPA (potencia, rendimiento y área), un factor crítico en nodos avanzados donde cada decisión de diseño tiene un impacto directo en costes y viabilidad.
El flujo propuesto permite a los diseñadores generar el código RTL con Raads Generator, introducirlo posteriormente en Raads Predictor junto con restricciones SDC de Synopsys, y obtener una previsión bastante ajustada del comportamiento del silicio final que será fabricado por Rapidus.
Más herramientas agentic previstas para 2026
Más allá de estas dos primeras soluciones, Rapidus tiene previsto ampliar el ecosistema Raads a lo largo de 2026 con nuevas herramientas basadas en ML e IA. Entre ellas destacan Raads Navigator y Raads Indicator, orientadas a aseguramiento de calidad y asistencia inteligente para resolver problemas de diseño complejos mediante LLMs.
También llegará Raads Manager, una herramienta de diseño de layout que utiliza IA para crear configuraciones jerárquicas y reducir el tiempo necesario para estructurar el chip, así como Raads Optimizer, enfocada a buscar automáticamente parámetros que permitan optimizar el PPA. El objetivo común es convertir Raads en un agente activo de diseño, no solo en una ayuda puntual.
Según la compañía, el uso combinado de Raads con herramientas EDA tradicionales permitiría reducir el tiempo de diseño hasta un 50% y recortar los costes en torno a un 30%, cifras especialmente relevantes en un contexto donde los nodos avanzados disparan la complejidad y la inversión necesaria.
Un respaldo industrial en la fabricación de 2 nm
Este anuncio llega acompañado de avances relevantes en la infraestructura fabril de Rapidus. Su fundición IIM-1 (Innovative Integration for Manufacturing) está adoptando un modelo de procesamiento de oblea única en todas las etapas de fabricación, un enfoque poco habitual que busca maximizar el control y la automatización.
En junio de 2025, la compañía conectó más de 200 equipos avanzados de fabricación de semiconductores para desplegar un nuevo sistema automatizado de manipulación de materiales, diseñado específicamente para el prototipado de 2 nm con transistores GAA. Un mes después, Rapidus confirmó que los primeros prototipos ya estaban en marcha y comenzaban a mostrar sus características eléctricas, un hito clave para validar tanto el proceso como las nuevas herramientas de diseño.
Con Raads y su apuesta por flujos de diseño asistidos por IA, Rapidus busca posicionarse como algo más que una fundición emergente, proponiendo un modelo integrado donde diseño y fabricación avanzan de forma conjunta en la carrera por el silicio de 2 nm.
Vía: TechPowerUp
