onsemi ha presentado su nueva tecnología vGaN (vertical Gallium Nitride), un avance en semiconductores de potencia que redefine la eficiencia, la densidad energética y la resistencia térmica para los sectores de la IA, los vehículos eléctricos y la energía renovable.
Fabricada en la planta de Syracuse (Nueva York), esta tecnología marca un cambio de paradigma frente a los tradicionales diseños laterales de GaN, ofreciendo mayor rendimiento y menor tamaño para aplicaciones críticas de alta potencia.
Eficiencia y densidad energética como nuevo estándar
La tecnología vGaN está diseñada para manejar tensiones superiores a 1.200 V en un diseño monolítico vertical, capaz de conmutar corrientes elevadas a frecuencias altas con pérdidas mínimas.
Según los datos técnicos de la compañía, los sistemas de potencia construidos con vGaN pueden reducir las pérdidas energéticas hasta un 50%, además de disminuir el tamaño total del sistema, incluidos los componentes pasivos como condensadores e inductores.
Frente a los dispositivos GaN laterales convencionales, los nuevos vGaN son aproximadamente tres veces más pequeños, lo que permite mayor densidad de potencia y mejor gestión térmica en configuraciones de alto rendimiento.
Aplicaciones clave en IA, energía y transporte
El diseño vertical GaN-on-GaN permite un flujo de corriente a través del chip en lugar de sobre su superficie, ofreciendo mayor estabilidad térmica y robustez eléctrica.
Esto convierte a vGaN en una tecnología idónea para aplicaciones de alta demanda energética, entre ellas:
- Centros de datos de IA: conversión DC-DC a 800 V con mayor densidad y menor coste por rack.
- Vehículos eléctricos: inversores más compactos y ligeros para ampliar la autonomía.
- Infraestructura de carga: estaciones más rápidas, eficientes y resistentes.
- Energías renovables: menor pérdida en inversores solares y eólicos.
- Sistemas de almacenamiento (ESS): conversión bidireccional eficiente y de alta densidad.
- Automatización industrial y robótica: controladores más pequeños y fríos.
- Aeroespacial y defensa: equipos más compactos y resistentes.
Cómo funciona la arquitectura vGaN
A diferencia de los dispositivos GaN sobre silicio o zafiro, el enfoque de onsemi utiliza una estructura GaN-on-GaN que permite un flujo vertical de corriente. Este diseño ofrece mayor capacidad de voltaje, frecuencia de conmutación más alta y fiabilidad superior frente a los diseños laterales.
En la práctica, esto se traduce en sistemas más pequeños, eficientes y económicos, con menores requisitos de refrigeración y coste total reducido.
onsemi ha confirmado que la tecnología vGaN ya se encuentra en fase de muestreo para clientes con acceso anticipado, lo que anticipa su llegada al mercado de producción a gran escala durante 2026.
Vía: TechPowerUp
