SK hynix presenta su familia AIN: la nueva generación de NAND optimizada para la era de la IA

SK hynix presenta su familia AIN: la nueva generación de NAND optimizada para la era de la IA

SK hynix ha presentado oficialmente su estrategia de productos NAND de nueva generación durante el OCP Global Summit 2025, celebrado del 13 al 16 de octubre en San José, California. La compañía coreana reveló su nueva familia AIN (AI-NAND), una línea de soluciones de almacenamiento optimizadas para afrontar las crecientes demandas de procesamiento de datos en el mercado de la inteligencia artificial (IA).

Con el auge del procesamiento de inferencia IA y la expansión de los modelos de lenguaje a gran escala (LLM), la necesidad de almacenamiento NAND más rápido y eficiente se ha disparado. SK hynix pretende cubrir esta brecha con tres nuevas soluciones: AIN P (Performance), AIN D (Density) y AIN B (Bandwidth).

Tres variantes optimizadas para diferentes cargas de trabajo

Durante la sesión ejecutiva del evento, Chun Sung Kim, responsable de desarrollo de productos eSSD en SK hynix, detalló las características principales de cada variante.

AIN P (Performance) está pensada para procesar grandes volúmenes de datos generados por cargas de inferencia IA a gran escala. Esta solución busca reducir los cuellos de botella entre almacenamiento y operaciones de IA mediante una arquitectura mejorada de controladores y NAND rediseñados, lo que incrementa notablemente la velocidad y eficiencia energética. Se espera que los primeros samples lleguen antes de que finalice 2026.

Por su parte, AIN D (Density) se centra en ofrecer alta densidad de almacenamiento con bajo consumo energético, dirigida a almacenar grandes conjuntos de datos IA de forma rentable. SK hynix pretende elevar la capacidad desde terabytes (TB) hasta petabytes (PB), combinando el rendimiento de los SSD con la eficiencia de los HDD, para ofrecer una solución de nivel medio equilibrada entre coste y velocidad.

Finalmente, AIN B (Bandwidth) se apoya en la tecnología HBF (Hybrid Bandwidth Flash), que aumenta el ancho de banda mediante el apilamiento vertical de múltiples chips NAND. Este diseño, inspirado en la estructura de la memoria HBM (High Bandwidth Memory), busca cerrar la brecha de capacidad existente entre las memorias tradicionales y los sistemas de IA de nueva generación.

Colaboración e impulso del ecosistema HBF

Además de su presentación en el OCP Global Summit, SK hynix y Sandisk organizaron el evento HBF Night, donde ambas compañías reafirmaron su colaboración tras la firma del acuerdo de entendimiento (MOU) para estandarizar la tecnología HBF. Durante la jornada, ingenieros y arquitectos de la industria debatieron sobre cómo acelerar la innovación en productos NAND orientados a IA.

El presidente y director de desarrollo de SK hynix, Ahn Hyun, destacó que estas iniciativas consolidan a la compañía como un proveedor global clave de soluciones de memoria para IA, anticipando una nueva generación de almacenamiento NAND diseñado para cargas de trabajo inteligentes.

Vía: TechPowerUp

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