Kioxia junto a Sandisk han anunciado el inicio de operaciones de la Fab2 (K2), una nueva planta de fabricación de semiconductores ubicada en el complejo de Kitakami, prefectura de Iwate (Japón). Esta instalación de última generación se centrará en la producción de memoria flash 3D de octava generación con 218 capas, además de nodos más avanzados en el futuro para responder a la creciente demanda de almacenamiento impulsada por la inteligencia artificial.
Tecnología CBA y producción escalonada
La Fab2 integrará la tecnología CBA (CMOS directly Bonded to Array), un diseño innovador que mejora la eficiencia de la memoria flash al unir directamente la lógica CMOS al array de celdas NAND. Esta arquitectura permite mayor densidad, rendimiento superior y reducción de costes frente a generaciones anteriores.
La capacidad productiva de Fab2 se incrementará de manera progresiva, adaptándose a las condiciones del mercado. Se espera que el volumen significativo de producción comience en la primera mitad de 2026, consolidando a Kioxia y Sandisk como actores clave en la fabricación de memoria avanzada.
Diseño antisísmico y eficiencia energética
Uno de los aspectos más destacados de Fab2 es su estructura antisísmica, esencial en Japón, junto con un diseño que aprovecha al máximo el espacio para equipos en las salas limpias. La planta está equipada con sistemas de eficiencia energética de última generación y emplea inteligencia artificial para optimizar los procesos de fabricación, reduciendo consumos y mejorando la productividad.
Parte de la inversión para esta fábrica cuenta con subvenciones del gobierno japonés, aprobadas en febrero de 2024, lo que refuerza la apuesta del país por el fortalecimiento de su industria de semiconductores.
Alianza estratégica de más de 20 años
La colaboración entre Kioxia y Sandisk se extiende por más de dos décadas en el desarrollo conjunto de memoria flash. Con Fab2, ambas compañías buscan maximizar sinergias en investigación, desarrollo y fabricación, manteniendo la competitividad en un mercado marcado por la transición hacia cargas de trabajo cada vez más centradas en IA.
En declaraciones oficiales, ambas firmas subrayan que la memoria flash es un elemento central en la próxima ola de innovación tecnológica, proporcionando la velocidad, eficiencia y escalabilidad que demandan nuevas aplicaciones de inteligencia artificial, centros de datos y dispositivos de consumo avanzado.
Un impulso clave para la industria
La apertura de Fab2 no solo fortalecerá la posición global de Kioxia y Sandisk, sino que también contribuirá al desarrollo económico local y nacional en Japón, consolidando la región de Iwate como un polo estratégico para la producción de memoria NAND avanzada.
Vía: TechPowerUp
