El fabricante chino ChangXin Memory Technologies (CXMT) está a punto de dar un giro clave en su estrategia de producción de memorias, según informa DigiTimes Asia. Actualmente centrado en líneas comerciales como DDR4, DDR5, LPDDR4X y LPDDR5, el proveedor más importante de DRAM en China podría abandonar su línea de DDR4 antes de que acabe 2025, para enfocarse de lleno en DDR5 y dar el salto a la memoria HBM3 de tercera generación a nivel empresarial.
Un cambio radical impulsado por Pekín
Según fuentes cercanas a la industria, la decisión de CXMT estaría motivada por presiones del gobierno chino, que busca acelerar el desarrollo nacional en sectores clave como la inteligencia artificial y la computación en la nube. DigiTimes afirma que el fabricante solo comenzó a producir DDR4 en masa a finales de 2024, pero ya planea emitir un aviso de fin de vida (EOL) para este tipo de memoria en el tercer trimestre de 2025. Se espera que más del 60% de su producción esté enfocada en DDR5 a finales de este mismo año.
Rumores sobre HBM3 y problemas iniciales
Además de la transición a DDR5, CXMT podría dedicar parte de su capacidad productiva a HBM3, según fuentes anónimas del sector. El objetivo sería comenzar con la memoria de alto ancho de banda para centros de datos y cargas de trabajo intensivas, sacrificando así la producción de DDR4 en el proceso. Sin embargo, los primeros prototipos de DDR5 de la compañía habrían mostrado inestabilidad térmica por encima de los 60 °C, generando dudas sobre su fiabilidad en entornos exigentes.
Mientras tanto, el anuncio no oficial de su retirada de DDR4 ha tenido consecuencias inmediatas en el mercado local, con un repunte del 100% en los precios de chips DDR4 de 8 Gb marca Nanya en China.
Vía: TechPowerUp
