La Universidad de Fudan, en China, acaba de romper todos los esquemas en tecnología de memoria. Un equipo dirigido por Zhou Peng y Liu Chunsen ha creado PoX, un nuevo tipo de memoria flash que alcanza velocidades de 400 picosegundos, lo que equivale a 2.500 millones de operaciones por segundo.
Más rápida que cualquier otra tecnología hasta ahora
Según Zhou Peng, líder del proyecto:
“Es como si este dispositivo pudiera trabajar mil millones de veces en lo que dura un parpadeo, mientras que un pendrive apenas lo haría mil veces”.
El anterior récord mundial estaba en dos millones de operaciones por segundo, lo que convierte a PoX en la memoria de carga más rápida jamás registrada.
El secreto: una física totalmente nueva
El avance se basa en un fenómeno teórico que el equipo predijo llamado «superinyección», usando un modelo de Poisson cuasi-2D. Esto supera los límites tradicionales de la memoria, donde los electrones deben “calentarse” y acelerar antes de ser capturados.
Gracias al uso de materiales bidimensionales, estructuras de energía tipo Dirac y propiedades de transporte balístico, los electrones pueden alcanzar máxima velocidad sin recorrido previo. Resultado: rendimiento brutal e inmediato.
¿El fin de la RAM y el SSD?
Cuando esta tecnología madure, podría eliminar la necesidad de jerarquías de almacenamiento como RAM y discos duros. Todo estaría unificado, permitiendo ejecutar modelos de IA enormes directamente desde el chip, sin cuellos de botella.
¿Cuándo lo veremos?
El equipo planea escalar la tecnología a decenas de megabits en 3-5 años, momento en el cual estará lista para licencias industriales. El estudio completo se ha publicado en Nature 641, 90–97 (2025) bajo el título “Subnanosecond flash memory enabled by 2D-enhanced hot-carrier injection.”
Vía: TechPowerUp
