Samsung Foundry, la multinacional surcoreana, se disculpó de forma pública por sus contratiempos en las divisiones de memoria y fundición, sobre todo debido a que su nodo GAA FET de 3 nm no ha logrado despertar el interés de nuevos clientes.
Intel, por su parte, también ha atravesado un momento complicado con su unidad de fundición, que le ha costado miles de millones de dólares en un intento por afianzarse como una de las mejores fundiciones para que las empresas fabriquen sus chips.
Pues bien, según la información publicada en exclusiva por el medio surcoreano MK, se ha confirmado que Intel se ha puesto en contacto con Samsung para formar Foundry Alliance con el fin de impulsar sus unidades de negocio de fundición.
Además, según dicha fuente, Pat Gelsinger, CEO de Intel, estaría deseando celebrar una reunión con el presidente de Samsung Electronics, Lee Jae-yong, para abordar «una amplia colaboración en el sector de la fundición». Queda por determinar qué se producirá exactamente entre ambos.
GlobalFoundries y Samsung se asociaron en 2014 para ofrecer FinFET de 14 nm, lo que supuso un gran éxito. El objetivo de Intel y Samsung podría ser el de desarrollar conjuntamente un nodo y ofrecerlo en sus unidades de fundición.
Hasta cierto punto, la investigación y el desarrollo, así como el intercambio de información sobre fabricación con vistas a mejorar el rendimiento, deberían resultar mutuamente beneficiosos para encajar las últimas piezas del rompecabezas de los semiconductores.
Vía: TechPowerUp
