Samsung tiene previsto desarrollar su memoria V-NAND de 9ª generación con más de 300 capas para 2024, según ha anunciado el presidente y jefe de la división de memoria de Samsung Electronics, Jung-Bae Lee, en una entrada del blog.
La memoria V-NAND de Samsung utiliza una estructura de doble pila y se espera que disponga de más capas activas que la memoria 3D NAND de sus competidores, como la memoria de 321 capas que SK Hynix lanzará en 2025. El incremento de capas permitirá a Samsung mejorar la densidad y el rendimiento de almacenamiento en sus futuros dispositivos 3D NAND, centrándose en la velocidad de entrada/salida (I/O).
Aunque los detalles específicos del rendimiento de la memoria V-NAND de 9ª generación de Samsung siguen sin revelarse, se espera que la memoria se utilice en los próximos SSD PCIe con el protocolo PCIe 5.0. Jung-Bae Lee ha señalado: «Las innovaciones estructurales y materiales serán fundamentales en la próxima era de DRAM sub-10 nanómetros (nm) y V-NAND vertical de 1.000 capas. Como tal, estamos desarrollando estructuras apiladas en 3D y nuevos materiales para DRAM, al tiempo que aumentamos el recuento de capas, disminuimos la altura y minimizamos la interferencia celular para V-NAND».
La novena entrega de V-NAND, prevista para 2024, utilizará DRAM de clase 11 nm. Además, la entrada del blog reafirma el compromiso con los módulos de memoria CXL (CMM), que permitirán la infraestructura componible de los sistemas de próxima generación, especialmente con los SSD de alta capacidad impulsados por V-NAND.
Vía: TechPowerUp
