TSMC estaría acelerando el desarrollo de CoPoS, su tecnología de encapsulado en cuanto a panel, para responder al crecimiento de la IA y la computación de alto rendimiento. La clave está en usar sustratos con núcleo de vidrio para escalar paquetes multichip, reduciendo parte de las limitaciones geométricas que arrastra CoWoS.
La lectura correcta no es que CoPoS vaya a sustituir mañana a CoWoS, sino que TSMC prepara una vía paralela para paquetes más grandes y mejor aprovechamiento de material. En chips de IA, donde cada generación integra más memoria, aceleradores e interconexiones, el encapsulado ya actúa como cuello de botella industrial.
CoPoS responde al límite físico del encapsulado actual
CoWoS ha sido clave para unir GPU, memoria HBM e interposers en aceleradores de IA, pero su formato basado en obleas circulares impone límites de superficie útil. CoPoS cambia esa lógica al trabajar con paneles rectangulares, buscando más área disponible para paquetes multichip de gran tamaño.
Ese cambio importa porque los chips de IA ya no crecen solo dentro del silicio de GPU. Cada acelerador necesita más HBM, más ancho de banda y más rutas internas de señal. El encapsulado avanzado empieza a decidir cuánto cómputo puede integrarse en un solo módulo funcional.
La ventaja del panel rectangular está en reducir el desperdicio geométrico de las obleas circulares. Frente a una oblea de 300 mm, los paneles de hasta 750 × 620 mm permiten colocar más módulos grandes, elevar la utilización del área y avanzar hacia menor coste por paquete en aceleradores de IA.
El vidrio gana peso porque el tamaño ya no basta
Los sustratos orgánicos tradicionales empiezan a sufrir cuando los paquetes crecen demasiado. La deformación, la expansión térmica y la integridad de señal se vuelven más difíciles de controlar. Ahí entra el vidrio, que promete mayor estabilidad dimensional en paquetes de gran superficie.
El uso de sustratos con núcleo de vidrio no es solo una cuestión de coste. En IA, el encapsulado necesita mantener señales limpias, alimentar chips enormes y soportar más capas de interconexión. Si el vidrio reduce deformaciones, puede ayudar a mejorar rendimiento eléctrico y fiabilidad mecánica.
TSMC estaría trabajando con socios como Ibiden e Innolux para desarrollar estructuras híbridas donde el núcleo de vidrio queda entre capas ABF. Esa aproximación combina rigidez del vidrio con procesos industriales ya conocidos, evitando una ruptura brusca con la cadena de suministro actual.
CoPoS no sustituirá a CoWoS de golpe
La propia lectura de mercado obliga a ser prudentes, porque CoWoS sigue siendo la tecnología dominante para aceleradores de IA actuales. TSMC aún defiende que el encapsulado a nivel de oblea conserva ventajas en densidad de interconexión, madurez de herramientas y escalado de diseños complejos, justo donde CoPoS debe demostrar rendimiento en volumen.
Esto significa que CoPoS no será un reemplazo inmediato, sino una solución para productos donde el tamaño del paquete y el aprovechamiento del panel compensen la menor madurez del proceso. La transición dependerá de rendimiento de fabricación, densidad de interconexión y coste real en volumen.
El matiz es importante porque la industria suele presentar cada tecnología nueva como sustituta directa de la anterior. En realidad, TSMC probablemente mantendrá CoWoS para ciertos aceleradores y CoPoS para paquetes más grandes, con versiones híbridas según cliente. La estrategia apunta a una cartera de encapsulado más flexible para IA.
También hay un factor de calendario. La línea piloto de CoPoS se espera durante 2026, con producción de prueba en 2027 y producción en masa entre 2028 y 2029. Eso deja claro que la adopción industrial será gradual, no un cambio inmediato en los chips ya cerrados.
Key takeaways on TSMC’s next-generation advanced packaging, CoPoS (publicly available technical details omitted):
1. CoPoS is currently expected to enter mass production in 2H28. It is designed to improve the economics of ultra-large packages above the 9.5x reticle-size class,…
— 郭明錤|Ming-Chi Kuo (@mingchikuo) June 11, 2026
La IA fuerza una economía distinta en encapsulado
El motivo de fondo es la demanda de IA. NVIDIA, AMD, Broadcom y otros diseñadores necesitan integrar cada vez más cómputo y memoria en paquetes enormes, pero el tamaño de máscara y el formato de oblea limitan el crecimiento. CoPoS intenta resolver el problema de escalar módulos cuando el chip individual ya no basta.
A partir de 2028, los grandes aceleradores podrían depender más de paneles, vidrio e interconexión avanzada que de simples mejoras de nodo. La razón es sencilla: ganar rendimiento solo reduciendo nanómetros resulta cada vez más caro, mientras el encapsulado permite sumar más chips y memoria sin esperar un salto litográfico equivalente.
Ese cambio altera también la cadena de valor. Ya no basta con fabricar el mejor silicio; hay que controlar interposers, sustratos, paneles, materiales y equipos de proceso. En la práctica, el encapsulado avanzado se convierte en una ventaja competitiva tan crítica como el nodo de fabricación.
Para TSMC, acelerar CoPoS es una forma de proteger su posición frente a rivales que también empujan en encapsulado. Si el cuello de botella de IA se desplaza desde la oblea al paquete, la foundry que controle esa fase tendrá más poder sobre clientes de alto rendimiento y centros de datos.
Intel presiona con vidrio y encapsulado avanzado
Breaking down TSMC’s glass core substrate slide
On June 11, at JPCA Show 2026 in Japan, TSMC gave a roughly 40-slide presentation titled «Advanced Packaging Technology Essential to the Evolution of AI» (AIの進化に不可欠な先端パッケージング技術). One slide from the deck, titled… pic.twitter.com/QegDEOM6Nd
— 郭明錤|Ming-Chi Kuo (@mingchikuo) June 18, 2026
Intel también está moviendo ficha con sustratos de vidrio y tecnologías como EMIB, intentando convertir el encapsulado avanzado en una ventaja de Intel Foundry. Su hoja de ruta apunta a soluciones de mayor tamaño, reforzando una batalla directa con TSMC más allá del nodo frontal.
La competencia importa porque los grandes clientes de IA ya no miran solo quién fabrica el transistor más pequeño. También necesitan integrar más HBM, más chiplets y más ancho de banda en un paquete viable. En esa ecuación, el vidrio puede mejorar coste, tamaño útil y estabilidad del encapsulado.
Para Intel, el encapsulado avanzado puede ser una puerta de entrada incluso cuando no fabrique todo el silicio principal. Para TSMC, CoPoS sirve para blindar su ecosistema y evitar fugas de clientes. La rivalidad real estará en quién ofrece el paquete completo más escalable para IA.
AMD y Zen 7 apuntan a una adopción más amplia
Los informes sobre AMD y futuras tecnologías FOPLP vinculadas a Zen 7 sugieren que el encapsulado a nivel de panel no quedará limitado a aceleradores de IA. Con el tiempo, estas técnicas pueden llegar también a productos cliente, aunque primero tengan sentido en chips caros de centro de datos.
Ese recorrido es importante porque muchas innovaciones empiezan en servidores antes de filtrarse al PC. Si CoPoS, FOPLP y vidrio reducen costes por área en volumen, podrían habilitar procesadores con más chiplets, más caché o más integración de memoria en generaciones futuras.
Aun así, el salto no será automático. El PC cliente es mucho más sensible al coste, mientras IA y HPC pueden absorber precios altos si el rendimiento lo justifica. Por eso lo lógico es esperar primeros despliegues en aceleradores de alto margen, antes de ver adaptaciones más baratas para procesadores cliente.
CoPoS marca la próxima guerra del sector de semiconductores
La conclusión es clara: TSMC acelera CoPoS porque la IA está llevando el encapsulado actual a sus límites. CoWoS seguirá siendo clave durante años, pero los paneles y el vidrio preparan el siguiente salto para paquetes más grandes, más densos y con mejor aprovechamiento industrial del material.
La batalla ya no será solo TSMC frente a Intel por nanómetros. También se jugará en sustratos con núcleo de vidrio, paneles, interconexión y rendimiento de fabricación. En esa nueva fase, dominar el encapsulado avanzado será tan importante como liderar el nodo de fabricación.
Vía: Wccftech












