Aunque las memorias DRAM utilizan procesos de producción mucho menos refinados que los de los más recientes CPUs y GPUs, todos los grandes fabricantes siguen reduciendo sus nodos de fabricación gradualmente.
En parte, esto se debe a que la contracción de un nodo no supone las mismas mejoras para la DRAM que para la mayoría de los tipos de transistores de efecto de campo o FETs, que se utilizan sobre todo para fabricar algún tipo de procesador lógico.
Ahora se dice que SK Hynix ha iniciado el proceso de verificación por parte de sus socios de su DRAM de 5ª gen 1β, para garantizar que su más reciente DRAM de 1x nm sea compatible con las principales aplicaciones. En el caso de SK Hynix, esto debería traducirse aproximadamente en un nodo de proceso de 12 nm.
Según Chosun Media en Corea, Intel formará parte de esta verificación, ya que la compañía ha finalizado la verificación de la DRAM de 4ª gen 1α de SK Hynix para su procesador Xeon Scalable de 4ª gen. Inicialmente, la DRAM de 5ª gen 1β de SK Hynix irá destinada a aplicaciones de servidor, por lo que probablemente se comprobará su compatibilidad con las mismas plataformas de Intel, entre otras.
Se dice que la nueva DRAM 1β aumenta la eficiencia en más de un 40%, aunque la publicación no menciona si se trata de eficiencia energética o de otro tipo. La DRAM 1β de SK Hynix, así como Samsung, que anunció su DRAM 1β en diciembre de 2022, se fabrican mediante un proceso de litografía EUV y ambos fabricantes coreanos de DRAM son los dos únicos que utilizan EUV hasta la fecha.
Vía: TechPowerUp
