Intel avanza en el desarrollo de Z-Angle Memory (ZAM), una tecnología de DRAM apilada en 3D destinada a sistemas de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento. La arquitectura persigue mayor densidad, más ancho de banda y menor consumo, aunque su comercialización no comenzaría hasta alrededor de 2030.
El interés aumentó después de que Intel destacase la incorporación de Seok-Hee Lee, antiguo CEO de SK hynix, durante una pregunta sobre sus planes relacionados con memoria. La respuesta sugiere una prioridad estratégica creciente, pero no confirma el regreso de la compañía al mercado generalista de DRAM ni una nueva fábrica conjunta.
Z-Angle Memory utilizará interconexiones diagonales entre capas
ZAM plantea una estructura formada por varias capas de DRAM apiladas, conectadas mediante enlaces diagonales en lugar de depender únicamente de vías verticales a través del silicio. Esta disposición busca crear una ruta térmica central más eficiente, facilitando la extracción del calor generado dentro de las capas interiores.
Las memorias apiladas actuales concentran una elevada cantidad de silicio dentro de un espacio reducido, lo que complica la refrigeración y puede limitar las frecuencias. Las interconexiones en ángulo permitirían distribuir mejor el calor, reducir puntos calientes y sostener pilas de memoria con mayor densidad sin penalizar tanto la estabilidad.
La tecnología también recurrirá a una unión híbrida de cobre con cobre, acercando físicamente las capas para reducir la distancia recorrida por las señales. Esta conexión puede aportar menor latencia y mayor eficiencia energética, además de una densidad de enlaces superior frente a métodos de ensamblaje basados en microprotuberancias.
Intel estudia además una organización que prescindiría de los condensadores convencionales utilizados en las celdas DRAM. El cambio permitiría reducir el tamaño de cada celda y aumentar la capacidad por superficie, aunque todavía faltan datos públicos sobre retención, durabilidad, velocidades y costes de fabricación.
Los primeros prototipos están previstos para 2027
Intel desarrolla Z-Angle Memory junto con SAIMEMORY, filial de SoftBank encargada de avanzar hacia la comercialización. La hoja de ruta contempla prototipos durante 2027, mientras el despliegue comercial se situaría alrededor de 2030, siempre que la tecnología supere las fases de validación y producción piloto.
El calendario muestra que ZAM continúa siendo un proyecto de investigación avanzada, no una memoria preparada para competir inmediatamente con HBM. Antes de alcanzar el mercado, deberá demostrar rendimientos por oblea aceptables, compatibilidad con encapsulados actuales y una fabricación repetible con numerosas capas apiladas.
Su llegada también dependerá de la normalización. Intel puede aportar propiedad intelectual, herramientas y experiencia en integración, mientras SAIMEMORY asumiría el desarrollo comercial. Este reparto permite reducir la exposición financiera de Intel sin abandonar un componente cada vez más crítico para aceleradores y sistemas de IA.
ZAM busca reducir el cuello de botella de la memoria
El crecimiento de las GPU y aceleradores está elevando la presión sobre capacidad, ancho de banda y consumo de memoria. Aumentar el rendimiento de cálculo aporta poco cuando los datos no llegan con suficiente rapidez, convirtiendo la comunicación con la memoria en uno de los principales límites de la infraestructura de IA.
ZAM intentará colocar más memoria cerca del procesador mediante apilamiento de alta densidad e interconexiones cortas. Reducir la distancia entre lógica y datos puede disminuir el consumo asociado a cada transferencia, elevar el ancho de banda disponible y evitar que el movimiento de información absorba una parte creciente de la energía.
Este planteamiento encaja mejor con una estrategia de integración entre lógica y memoria que con un regreso inmediato a los módulos DRAM convencionales. Intel podría utilizar ZAM junto con CPU, GPU o aceleradores fabricados mediante diferentes nodos, conectándolos mediante sus tecnologías de encapsulado avanzado.
El valor comercial estaría en ofrecer plataformas heterogéneas más completas, no necesariamente en vender chips de memoria independientes. Intel Foundry podría fabricar, ensamblar o integrar componentes procedentes de distintos proveedores, aumentando su participación en cada sistema sin competir directamente con todo el catálogo de Samsung, SK hynix o Micron.
$INTC says they won’t ramp Capex unless they were confident in customer commitments. Since they’re raising Capex «significantly» next year, that means they’re confident in those 10 long term customers.
— Gene Munster (@munster_gene) July 23, 2026
Seok-Hee Lee aporta experiencia en memoria y fabricación
La compañía fichó a Seok-Hee Lee para dirigir áreas relacionadas con encapsulado avanzado, integración de sistemas y producción posterior a la fabricación. Su trayectoria como antiguo responsable de SK hynix aporta experiencia directa en memoria, procesos industriales y producción a gran escala.
La referencia a Lee durante una pregunta sobre memoria no parece casual, porque su trabajo conectará lógica avanzada, memoria y redes dentro de encapsulados complejos. Sin embargo, su función oficial no consiste en levantar una nueva división de DRAM, sino en reforzar la integración de diferentes silicios dentro de Intel Foundry.
Esta experiencia será especialmente valiosa en sistemas que combinen procesadores, aceleradores y memoria HBM. El reto ya no reside únicamente en fabricar cada chip, sino en garantizar interconexiones rápidas, alimentación eficiente y disipación térmica controlada dentro de un mismo encapsulado o plataforma a escala de rack.
El fichaje refuerza, por tanto, una lectura más amplia: Intel quiere recuperar relevancia en memoria mediante tecnología, integración y encapsulado, sin repetir necesariamente el modelo comercial de su antigua división. ZAM puede convertirse en una pieza de esa estrategia si alcanza la madurez industrial prevista.
No existe una alianza confirmada con SK hynix para Ohio
Los rumores han relacionado a SK hynix con Ohio One, el gran complejo industrial que Intel construye en Estados Unidos. Una colaboración permitiría compartir parte de la inversión y acercar la fabricación de memoria a las futuras líneas de lógica avanzada, pero no existe una empresa conjunta confirmada.
SK hynix negó haber decidido adquirir las instalaciones o asumir una participación en el proyecto. La contratación de su antiguo CEO tampoco demuestra una operación corporativa entre ambas compañías, porque Lee trabaja directamente para Intel y su nombramiento no representa a SK hynix.
Ambas empresas podrían colaborar en memoria, encapsulado o suministro sin compartir una fábrica. Intel necesita acceso a HBM y otras tecnologías para sus aceleradores, mientras SK hynix puede beneficiarse de nuevas soluciones de integración. Aun así, las conversaciones o relaciones comerciales no equivalen a una inversión conjunta.
Intel podría regresar a memoria mediante un modelo diferente
Intel posee una amplia trayectoria en memoria, aunque abandonó progresivamente ese mercado para concentrarse en procesadores. La venta de su negocio NAND a SK hynix redujo su presencia directa, pero la expansión de la IA ha convertido la memoria avanzada en un componente estratégico y muy rentable.
ZAM ofrece una vía de regreso menos expuesta que competir mediante DRAM convencional. La compañía puede aportar investigación, propiedad intelectual y capacidad de integración, mientras un socio dirige la comercialización y asume parte del despliegue industrial.
Esta estrategia permitiría a Intel participar en el crecimiento de la memoria para IA sin enfrentarse de inmediato a las enormes inversiones necesarias para disputar volumen a los fabricantes establecidos. También reforzaría Intel Foundry mediante servicios de encapsulado y sistemas completos, áreas donde la compañía busca captar clientes externos.
Por ahora, los indicios apuntan a una expansión hacia memoria apilada e integración heterogénea, no a un regreso confirmado como fabricante generalista de DRAM. El desarrollo de ZAM y el fichaje de Seok-Hee Lee muestran una dirección coherente, pero faltan contratos, fábricas y productos comerciales que permitan hablar de una nueva división de memoria.
Vía: Wccftech
