Micron ha dado a conocer los primeros detalles de su futura memoria NAND Flash G11, una generación que utilizará más de 400 capas y tecnología de unión de obleas wafer-on-wafer para aumentar considerablemente la capacidad de almacenamiento por superficie. La compañía pretende duplicar la densidad de bits frente a su actual generación G9, además de mejorar la velocidad de transferencia y reducir el consumo energético asociado al movimiento de datos.
La nueva arquitectura supone un cambio importante respecto a los diseños anteriores de Micron, que ya utilizan NAND 3D con más de 200 capas, pero no recurren al mismo sistema de unión de obleas. La compañía prevé iniciar la producción en masa durante la segunda mitad de 2027, incorporando una técnica similar a la utilizada desde hace años por el fabricante chino YMTC mediante su tecnología Xtacking.
Micron G11 utilizará hybrid bonding para unir memoria y circuitos lógicos
La principal novedad de G11 es la separación física de las celdas NAND y los circuitos lógicos periféricos durante su fabricación. En lugar de integrar ambos elementos mediante el mismo proceso convencional, Micron producirá las estructuras de memoria en una oblea y los circuitos de control en otra, para posteriormente unirlas mediante hybrid bonding.
Esta técnica permite crear conexiones eléctricas de alta densidad entre dos obleas de silicio, combinando contactos metálicos con una unión permanente de sus superficies. La principal ventaja es que las celdas de memoria y la lógica periférica pueden fabricarse mediante procesos optimizados para sus necesidades específicas, sin depender completamente de las limitaciones de una misma estructura.
El planteamiento recuerda a Xtacking, la tecnología desarrollada por YMTC, que también separa la fabricación de las matrices NAND y los circuitos periféricos antes de unirlos. En el caso de Micron, su adopción permitiría continuar aumentando el número de capas sin depender exclusivamente de estructuras verticales cada vez más complejas, aunque el rendimiento de fabricación y la precisión de las uniones serán factores fundamentales para controlar los costes.
La densidad se duplicaría mientras la interfaz NAND aumenta su velocidad un 50%
Las previsiones de Micron G11 contemplan mejoras importantes en tres aspectos: capacidad de almacenamiento por superficie, velocidad de comunicación y eficiencia energética. Frente a G9, la compañía establece como objetivo duplicar la densidad de bits y aumentar un 50% el rendimiento de la interfaz, además de reducir más de un 25% la energía necesaria para transferir cada bit.
| Característica | NAND G9 | NAND G11 |
|---|---|---|
| Capas de memoria | Más de 200 | Más de 400 |
| Densidad estimada | 21 Gb/mm² | 42 Gb/mm² |
| Velocidad de interfaz estimada | 3.600 MT/s | 5.400 MT/s |
| Energía por bit transferido | Referencia | Más de un 25% menos |
| Unión de obleas | Sin wafer-on-wafer | Hybrid bonding |
Las cifras absolutas de densidad y velocidad para G11 son proyecciones basadas en las mejoras anunciadas respecto a G9, no especificaciones finales confirmadas.
El aumento de densidad es especialmente relevante porque permite almacenar más información sin incrementar proporcionalmente la superficie del silicio. Esto podría traducirse en chips de mayor capacidad o permitir que determinados dispositivos alcancen la misma capacidad utilizando menos componentes. Sin embargo, duplicar la densidad por milímetro cuadrado no significa necesariamente duplicar la capacidad de todos los SSD.
También conviene distinguir la velocidad de interfaz de la memoria NAND del rendimiento final de una unidad SSD. Los 5.400 MT/s estimados describen la comunicación entre los chips de memoria y el controlador, no la velocidad de lectura o escritura que obtendrá un ordenador mediante PCIe. Por tanto, no puede afirmarse que los futuros SSD G11 vayan a ser un 50% más rápidos únicamente por incorporar esta tecnología.
La mejora energética requiere una interpretación similar. Reducir más de un 25% la energía consumida por bit transferido no equivale a disminuir un 25% el consumo total de un SSD. El controlador, los canales de memoria y el resto de los componentes también necesitan energía, por lo que el ahorro final dependerá de la arquitectura completa de cada unidad.
Los futuros SSD podrían alcanzar mayores capacidades sin aumentar su tamaño
La combinación de más de 400 capas y una densidad de almacenamiento superior podría facilitar el desarrollo de SSD de mayor capacidad, tanto para ordenadores personales como para centros de datos. La ventaja resulta especialmente interesante en entornos donde el espacio físico disponible para instalar unidades de almacenamiento es limitado, pero las necesidades de capacidad continúan aumentando.
Además, una interfaz NAND más rápida puede facilitar el aprovechamiento de controladores con varios canales de memoria, siempre que el resto del sistema sea capaz de gestionar ese mayor volumen de datos. No obstante, el rendimiento también depende del número de chips instalados, el paralelismo disponible, el firmware y la interfaz utilizada para comunicarse con el ordenador.
En consecuencia, las mejoras de G11 no garantizan por sí solas SSD más rápidos o económicos. Para valorar su impacto real será necesario conocer las configuraciones comerciales, los rendimientos de fabricación y las prestaciones obtenidas mediante benchmarks. La nueva arquitectura ofrece un margen tecnológico mayor, pero cada fabricante decidirá cómo aprovecharlo.
Micron prepara la producción de G11 para la segunda mitad de 2027
El calendario anunciado por Micron sitúa el comienzo de la producción en masa de G11 durante el segundo semestre de 2027. La compañía todavía debe completar el desarrollo industrial de su sistema wafer-on-wafer, una etapa importante para conseguir que las uniones entre obleas mantengan niveles adecuados de fiabilidad y rendimiento de fabricación.
La transición también representa un paso más en la evolución de la NAND 3D, donde aumentar el número de capas ya no constituye la única vía para mejorar la densidad. La separación de memoria y lógica mediante hybrid bonding ofrece nuevas posibilidades para optimizar ambos elementos, aunque también introduce complejidad en el ensamblaje.
Por ahora, Micron ha confirmado sus objetivos tecnológicos, pero no ha anunciado modelos concretos de SSD basados en G11 ni sus precios comerciales. Si consigue trasladar las mejoras previstas a la fabricación a gran escala, la nueva generación podría aumentar considerablemente la capacidad de almacenamiento por superficie, con interfaces más rápidas y una menor energía necesaria para transferir datos.
Vía: TechPowerUp
