NextGO Epi, una startup berlinesa surgida del Leibniz-Institut für Kristallzüchtung, ha cerrado una ronda pre-seed de 2 millones de euros para ampliar el desarrollo y la comercialización de obleas epitaxiales de óxido de galio destinadas a dispositivos de electrónica de potencia. El nombre correcto de la compañía es NextGO Epi, no NexiGO.
La lectura importante es que el óxido de galio promete soportar tensiones más elevadas con menores pérdidas eléctricas, pero todavía no puede considerarse un sustituto maduro del carburo de silicio o el nitruro de galio. Su potencial es considerable, aunque continúa condicionado por la disipación térmica, la fabricación de dispositivos y la fiabilidad a largo plazo.
La ronda permitirá ampliar producción y desarrollo comercial
La financiación ha sido liderada por Vireo Ventures, con la participación de Ultratech Capital Partners, IBB Ventures y el inversor Boris Habets. Los 2 millones de euros se destinarán a acelerar el desarrollo del producto, ampliar el equipo y reforzar la presencia comercial de la compañía en Europa y otros mercados.
NextGO Epi fue fundada en 2025 por Ta-Shun Chou, Andreas Popp y Andreas Fiedler, tres investigadores especializados en crecimiento cristalino y epitaxia. Según el IKZ, el equipo acumula más de diez años de experiencia, dos patentes internacionales y más de 30 publicaciones científicas relacionadas con el óxido de galio.
La empresa asegura que ya está produciendo, generando ingresos y suministrando material a clientes de tres continentes. No obstante, todavía hablamos de una startup dedicada a obleas epitaxiales, no de un fabricante que comercialice cargadores, inversores o transistores terminados a gran escala.
NextGO Epi fabrica la capa activa del futuro semiconductor
El producto consiste en una oblea sobre la que se deposita una capa epitaxial de β-Ga₂O₃ mediante MOVPE o MOCVD. Esa capa controlada de óxido de galio forma posteriormente la región eléctricamente activa sobre la que otros fabricantes pueden producir diodos o transistores de potencia.
NextGO Epi afirma controlar durante el crecimiento la velocidad de deposición, el dopaje, las propiedades ópticas y la concentración de las aleaciones mediante monitorización in situ y algoritmos propios. La uniformidad y la densidad de defectos resultan esenciales, porque pequeñas variaciones pueden reducir la tensión soportada o aumentar las pérdidas del dispositivo final.
La compañía trabaja actualmente con obleas epitaxiales de hasta 4 pulgadas, equivalentes a unos 100 mm de diámetro. Aunque parezcan pequeñas frente a las obleas de 300 mm empleadas habitualmente en procesadores y memoria, la industria de semiconductores de potencia continúa utilizando formatos inferiores en muchos procesos especializados.
Una oblea de 100 mm no tiene simplemente un tercio de la capacidad de otra de 300 mm. Al comparar su superficie, la oblea de 4 pulgadas ofrece aproximadamente una novena parte del área útil de una de 12 pulgadas, antes de considerar bordes, defectos y rendimiento de fabricación.
Su banda prohibida alcanza aproximadamente 4,8 eV
El β-Ga₂O₃ pertenece a los materiales de banda prohibida ultraancha y alcanza aproximadamente 4,8 o 4,9 eV, frente a alrededor de 3,3 eV para SiC y 3,4 eV para GaN. Esta propiedad permite diseñar dispositivos capaces de soportar campos eléctricos superiores antes de sufrir una ruptura.
Los estudios sitúan el campo crítico teórico del material alrededor de 8 MV/cm, bastante por encima de los valores asociados al silicio, SiC y GaN. Esto puede traducirse en capas más delgadas, dispositivos más compactos y una resistencia eléctrica inferior para una misma tensión de bloqueo.
El óxido de galio también puede crecer a partir de material fundido, un proceso potencialmente menos costoso que algunas técnicas utilizadas para producir cristales de SiC. La posibilidad de fabricar sustratos mayores y más económicos representa una de sus principales ventajas industriales, aunque la producción comercial todavía debe escalar y mejorar rendimientos.
Las cifras de eficiencia necesitan bastante contexto
NextGO Epi sostiene que su material puede ser hasta diez veces más eficiente, soportar seis veces más densidad de tensión y reducir hasta un 75% el coste de fabricación frente al carburo de silicio. Estas cifras proceden de la propia compañía y no deben interpretarse como resultados garantizados en cualquier dispositivo o sistema.
La referencia a una eficiencia diez veces superior probablemente está relacionada con figuras de mérito teóricas utilizadas para comparar materiales de potencia. No significa que un cargador consuma diez veces menos electricidad ni que pase automáticamente de un 90% a un 99% de eficiencia, porque el resultado depende del transistor, la arquitectura, la conmutación y la refrigeración.
Lo mismo ocurre con el coste. Un cristal potencialmente más económico no garantiza que el dispositivo encapsulado cueste una cuarta parte que su equivalente de SiC, especialmente mientras la fabricación, el control de defectos, el encapsulado y las pruebas continúen en una fase menos madura.
El óxido de galio no carga por sí solo un coche en diez minutos
La compañía afirma que una estación equipada con dispositivos basados en su material podría reducir una carga completa desde unos 60 hasta aproximadamente 10 minutos. Por ahora no ha mostrado públicamente un cargador, un vehículo o una prueba independiente que demuestre ese tiempo en condiciones comerciales.
Un semiconductor más eficiente puede permitir convertidores de mayor potencia, reducir pérdidas y simplificar parte de la refrigeración. Sin embargo, el tiempo de carga está limitado también por la batería, su química, la tensión del pack, la temperatura, el sistema de gestión y la potencia disponible en la red.
Incluso aunque la electrónica de la estación pudiera suministrar cientos de kilovatios de forma sostenida, el vehículo tendría que aceptar esa potencia durante casi toda la sesión. Las curvas de carga reducen normalmente la intensidad conforme aumenta el estado de carga, evitando temperaturas elevadas y una degradación acelerada de las celdas.
Por tanto, los diez minutos deben tratarse como un objetivo de aplicación atribuido a NextGO Epi, no como una capacidad demostrada exclusivamente por sus obleas. El material puede eliminar parte del cuello de botella de conversión, pero no controla todo el sistema energético del vehículo.
La disipación térmica continúa siendo su gran debilidad
El β-Ga₂O₃ presenta una conductividad térmica aproximada de entre 10 y 27 W/m·K, dependiendo de la orientación cristalina, muy inferior a la del carburo de silicio. Esta limitación dificulta evacuar el calor generado cuando un dispositivo trabaja con altas corrientes y densidades de potencia.
Una banda prohibida amplia permite soportar tensiones extremas, pero el calor acumulado puede reducir rendimiento, fiabilidad y vida útil. Los futuros dispositivos necesitarán sustratos térmicamente conductores, encapsulados avanzados o estructuras híbridas capaces de trasladar rápidamente la energía fuera de la capa de óxido de galio.
El material tampoco dispone todavía de un método estable y comercial para conseguir dopaje de tipo p, lo que limita determinadas estructuras bipolares y diseños complementarios. La investigación está utilizando heterouniones con otros materiales para superar parcialmente esta restricción.
Estas limitaciones no invalidan la tecnología, pero explican por qué SiC y GaN continúan dominando actualmente la electrónica de potencia avanzada. Disponer de mejores propiedades teóricas no sustituye la madurez industrial, el historial de fiabilidad o la disponibilidad de cadenas de suministro completas.
El Chips Act 2.0 todavía no es una ley aprobada
La información original afirma que la Unión Europea ya habría aprobado el Chips Act 2.0. En realidad, la Comisión Europea adoptó y presentó una propuesta legislativa el 3 de junio de 2026, que todavía deberá avanzar por el procedimiento legislativo europeo.
Tampoco fue presentado una semana antes de esta financiación, como sostiene la nota difundida el 14 de julio. Entre el anuncio de la Comisión y la ronda de NextGO Epi transcurrieron aproximadamente seis semanas, por lo que ambas fechas no encajan con esa formulación promocional.
La propuesta sí busca reducir dependencias, apoyar proyectos estratégicos y extender las ayudas a toda la cadena de valor, desde materiales hasta encapsulado. También contempla permisos con un plazo máximo de 12 meses y financiación para proyectos First-of-a-Kind, apartados que podrían favorecer a fabricantes europeos de materiales avanzados.
NextGO Epi encaja dentro de esa estrategia porque intenta desarrollar en Europa una capa básica de la cadena de suministro de semiconductores de potencia. Sin embargo, su ronda de financiación es privada y no implica que haya recibido directamente fondos procedentes del Chips Act 2.0.
Vehículos eléctricos, renovables y centros de datos son sus primeros mercados
La empresa identifica como posibles aplicaciones estaciones de carga, inversores renovables, fuentes de alimentación para centros de datos, redes eléctricas, sistemas aeroespaciales y defensa. Todos estos mercados necesitan controlar tensiones elevadas reduciendo pérdidas, tamaño y necesidades de refrigeración.
Los centros de datos de IA representan un mercado especialmente interesante porque cada acelerador necesita múltiples etapas de conversión desde la red hasta los voltajes utilizados por el servidor. Incluso una pequeña mejora de eficiencia puede reducir consumo eléctrico y calor cuando se multiplica por miles de sistemas.
El reto será pasar de muestras epitaxiales y colaboraciones de investigación a dispositivos certificados, fabricados en volumen y capaces de mantener su rendimiento durante años. Automoción, red eléctrica y defensa exigen ciclos de validación mucho más largos que los habituales en electrónica de consumo.
NextGO Epi ha conseguido financiación para avanzar en ese proceso, pero el salto comercial todavía no está resuelto. El óxido de galio posee propiedades eléctricas excepcionales, aunque su éxito dependerá de controlar defectos, temperatura, fiabilidad y costes fuera del laboratorio.
Vía: TechPowerUp
