El sector de semiconductores entra en una nueva fase tras confirmarse que Samsung abandonará la producción de NAND 2D, una tecnología de almacenamiento flash basada en arquitectura planar, para reconvertir sus líneas hacia memoria DRAM avanzada orientada a inteligencia artificial y centros de datos. La transición comenzará en la planta de Hwaseong, donde la compañía transformará capacidad existente en infraestructura preparada para memoria de alto rendimiento destinada a cargas de IA.
Este movimiento refleja cómo la demanda generada por la IA generativa, el crecimiento del cloud computing y la expansión de la computación acelerada están redefiniendo las prioridades industriales del sector, desplazando tecnologías maduras hacia soluciones capaces de ofrecer mayor ancho de banda, menor latencia y eficiencia energética optimizada.
Hwaseong Line 12 deja atrás la NAND planar
Samsung detendrá la fabricación de NAND 2D Flash en la Hwaseong Line 12, instalación capaz de producir entre 80.000 y 100.000 obleas de 12 pulgadas mensuales, una capacidad relevante dentro del ecosistema global de memoria. En lugar de cerrar la línea, la empresa reutilizará el equipamiento para procesos de metalización DRAM, responsables de crear las interconexiones eléctricas internas que enlazan las celdas de memoria dentro del chip.
La reconversión permite transformar infraestructura dedicada a almacenamiento legacy en producción enfocada a memoria de alto rendimiento para IA, reduciendo inversiones estructurales y acelerando la adaptación industrial. La sustitución tecnológica responde al dominio actual de la NAND 3D basada en apilamiento vertical de celdas, capaz de ofrecer mayor densidad por oblea, mejor resistencia estructural y rendimiento sostenido superior frente a la arquitectura bidimensional tradicional.
DRAM 1c y HBM4 como eje estratégico del cambio
La infraestructura heredada pasará a apoyar la fabricación de DRAM de sexta generación clase 10 nm (1c DRAM), nodo tecnológico clave para la producción de memoria HBM4 utilizada en aceleradores de IA y plataformas HPC. Este tipo de memoria resulta esencial para gestionar el volumen masivo de datos requerido por modelos de inteligencia artificial modernos.
Samsung prevé elevar la producción hasta 200.000 obleas mensuales de 1c DRAM durante la segunda mitad del año, combinando la conversión de Hwaseong con la producción activa en Pyeongtaek Line 3 y Pyeongtaek Line 4. El aumento responde directamente al crecimiento exponencial de la demanda de memoria de alto ancho de banda, componente crítico para entrenamiento e inferencia de modelos de IA.
En este contexto, la memoria deja de ser un elemento secundario y pasa a convertirse en un factor estratégico comparable al propio silicio de GPU, ya que el rendimiento global depende cada vez más de la velocidad de acceso y transferencia de datos.
Un relevo tecnológico impulsado por la era de la IA
La NAND 2D, introducida comercialmente a finales de los años noventa, ha sido durante décadas la base del almacenamiento flash moderno. Sin embargo, la evolución del mercado exige arquitecturas capaces de sostener volúmenes masivos de datos, procesamiento paralelo intensivo y cargas de trabajo aceleradas propias de la era de la IA.
Al redirigir su capacidad productiva hacia tecnologías avanzadas, Samsung busca reforzar su posición en segmentos clave como IA, centros de datos y computación de alto rendimiento, donde la demanda de memoria seguirá creciendo de forma sostenida durante los próximos años.
El movimiento simboliza un cambio industrial inevitable: abandonar tecnologías maduras permite liberar recursos para impulsar la próxima generación de infraestructura digital basada en memoria avanzada, alto ancho de banda y procesamiento acelerado.
Vía: TechPowerUp
