Samsung ha comenzado la producción en masa y los primeros envíos comerciales de su memoria HBM4, marcando el inicio del despliegue industrial del nuevo estándar de memoria de alto ancho de banda. Esta generación está pensada para aceleradores de centros de datos y chips de computación avanzada, donde el ancho de banda, la eficiencia energética y el control térmico son factores críticos.
HBM4 está llamada a ser la base de futuras plataformas de alto rendimiento, incluidas arquitecturas como Vera Rubin de NVIDIA o la serie Instinct MI450 de AMD, orientadas a cargas de IA a gran escala y computación acelerada.
Nuevo salto técnico frente a HBM3E
La memoria HBM4 no se limita a un aumento de velocidad. Samsung ha introducido una arquitectura completamente revisada, apoyada en un proceso DRAM de clase 10 nm (1c) y una lógica fabricada en 4 nm, lo que permite escalar prestaciones manteniendo estabilidad en producción.
Las velocidades por pin se sitúan entre 11,7 y 13,0 Gbps, frente a los 8 Gbps habituales del estándar previo, mientras que el ancho de banda por pila alcanza hasta 3,3 TB/s, un incremento de 2,7 veces respecto a HBM3E. Este aumento resulta clave para mitigar cuellos de botella a medida que los modelos de IA continúan creciendo en tamaño y complejidad.
Capacidades escalables y nuevo diseño de interconexión
Samsung ofrece HBM4 en configuraciones 12-Hi con capacidades de 24 a 36 GB, y prepara pilas 16-Hi que alcanzan 48 GB por módulo. El salto generacional viene acompañado de un aumento del número de pines de E/S, que pasa de 1.024 a 2.048, permitiendo sostener el mayor caudal de datos entre memoria y acelerador.
Este diseño refuerza el papel de HBM4 como solución orientada a aceleradores de IA y HPC, donde la densidad de memoria y el ancho de banda sostenido pesan más que la latencia absoluta.
Eficiencia energética y control térmico
Uno de los puntos más relevantes de HBM4 está en el apartado energético. Samsung indica una mejora del 40% en eficiencia, apoyada en TSV de bajo voltaje y una optimización del sistema de distribución de energía. A nivel térmico, la nueva generación logra una mejora del 10% en resistencia térmica y un 30% más de disipación de calor frente a HBM3E.
Estas cifras reflejan la necesidad de mantener estabilidad térmica en sistemas donde varias pilas HBM trabajan de forma continua junto a GPUs o ASICs de alto consumo.
Producción industrial y hoja de ruta
El inicio de la producción en masa se apoya en la capacidad industrial de Samsung, que combina fabricación DRAM, empaquetado avanzado y coordinación entre sus divisiones de memoria y fundición. Este enfoque permite reducir tiempos de validación y asegurar rendimientos estables desde las primeras tiradas, un factor clave para clientes de centros de datos.
De cara al futuro, Samsung prevé que las ventas de HBM se multipliquen por más de tres en 2026 frente a 2025, y ya trabaja en la siguiente evolución. El muestreo de HBM4E está previsto para la segunda mitad de 2026, mientras que las versiones personalizadas comenzarán a llegar a clientes a lo largo de 2027, en función de las especificaciones de cada plataforma.
Con HBM4 ya en producción, el mercado de memoria de alto ancho de banda entra en una nueva fase, marcada por mayor densidad, eficiencia y escalabilidad, elementos esenciales para sostener la próxima generación de infraestructura de IA y computación acelerada.
Vía: Wccftech
