El fabricante ha intensificado su apuesta por la NAND orientada a IA, un segmento donde la demanda de ancho de banda, baja latencia y rendimiento extremo sigue creciendo a medida que los modelos de inferencia y entrenamiento se vuelven más complejos. Según un informe de ZDNet, SK hynix colabora con NVIDIA en el desarrollo de una nueva generación de SSD capaces de multiplicar por 30 el rendimiento de las unidades empresariales actuales, con muestras iniciales previstas para finales de 2026 y producción masiva en 2027.
El fabricante estructura esta estrategia alrededor de su familia AI-N, formada por tres líneas técnicas diferenciadas que cubren desde altas prestaciones hasta soluciones de bajo coste, una decisión clave para competir tanto en centros de datos como en dispositivos con IA integrada.
AI-N P: SSD de ultraalto rendimiento con hasta 100 millones de IOPS
La primera pieza del plan es AI-N P, una arquitectura de SSD de ultraalto rendimiento diseñada para eliminar cuellos de botella de E/S en cargas de inferencia de gran escala. SK hynix espera alcanzar 25 millones de IOPS en la primera oleada de muestras sobre PCIe Gen 6, cifra que supera en un orden de magnitud a las unidades empresariales actuales, que rondan los 2–3 millones de IOPS incluso en modelos avanzados.
El objetivo final para 2027 es llegar a los 100 millones de IOPS, un salto técnico que exige rediseñar por completo el silicio de controlador, la interfaz interna, la gestión de paralelismo y la arquitectura de NAND orientada a IA. Según ZDNet, estos componentes ya se encuentran en pruebas de concepto (PoC) con NVIDIA, centradas en reducir latencias y mejorar el procesamiento directo de datos para modelos multimodales de gran tamaño.
AI-N B: High Bandwidth Flash para maximizar el ancho de banda
El segundo pilar es AI-N B, también conocido como HBF (High Bandwidth Flash), desarrollado junto a SanDisk. Este formato, pensado para escenarios donde el ancho de banda masivo es más importante que la latencia mínima, tendrá una especificación alfa a comienzos de 2026, con unidades de evaluación durante 2027.
La filosofía técnica del estándar HBF es acercar la flash al comportamiento de una memoria de alto caudal, permitiendo mover grandes volúmenes de datos para modelos de entrenamiento o sistemas de inferencia que trabajan con miles de tokens por segundo. Esto posiciona a AI-N B como una capa intermedia entre la NAND tradicional y soluciones más costosas como la HBM, ofreciendo un equilibrio entre rendimiento y coste.
AI-N D: mayor capacidad y menor coste para IA integrada y almacenamiento masivo
La tercera línea, AI-N D, se orienta a alto volumen y bajo coste, con densidades mayores y una optimización para entornos donde la eficiencia energética y la capacidad por vatio son más relevantes que la latencia extrema. SK hynix considera que el mercado de IA se divide en dos grandes frentes: por un lado los centros de datos, que exigen rendimiento extremo, y por otro la IA en dispositivo, que prioriza bajo consumo, capacidad local y respuesta inmediata sin depender de la nube.
La generación AI-N P prevista para 2026 ofrecerá entre 8 y 10 veces el rendimiento de los SSD actuales, preparando el terreno para los 100 millones de IOPS de 2027 y marcando una transición clave hacia una arquitectura flash verdaderamente diseñada para cargas de inteligencia artificial de nueva generación.
Una hoja de ruta que redefine la NAND para IA
Con la división en AI-N P, AI-N B y AI-N D, la compañía apunta a cubrir todas las capas del mercado: desde inferencia pesada y entrenamiento distribuido hasta IA local en portátiles, servidores compactos y dispositivos especializados. La colaboración activa con NVIDIA, el salto a PCIe Gen 6 y la reingeniería del controlador reflejan que la NAND entra en una fase donde ya no es simplemente almacenamiento, sino un componente crítico dentro del pipeline de datos para IA.
Vía: TechPowerUp
