La firma SK Hynix ha actualizado su planificación en los sectores de DRAM y NAND flash, con cambios relevantes para 2026. La compañía ha decidido retrasar el aumento de capacidad de HBM4 al tercer trimestre del año, siguiendo los pasos de Samsung, que ya había moderado su transición. El motivo es la fuerte demanda de HBM3E, que obliga a mantener operativas sus líneas actuales más tiempo del previsto.
La medida también está vinculada a su principal cliente, NVIDIA, que enfrenta complicaciones con la producción en volumen del silicio Rubin, lo que reduce la urgencia de adoptar HBM4. Mientras tanto, los chips HBM3E que alimentan las GPU Blackwell continúan gozando de una demanda sostenida en el mercado profesional y de IA.
Avances en la hoja de ruta NAND V10
Paralelamente, SK Hynix avanza en su próxima generación de NAND 3D, desarrollando un módulo V10 de 300 capas que empleará uniones híbridas entre obleas (wafer-to-wafer). La compañía prevé validar la tecnología en una línea de pruebas durante 2026 e iniciar la producción en volumen en 2027.
A diferencia de la V9 de 321 capas, que utiliza una arquitectura PUC (Peri-Under-Cell) en un único sustrato, la nueva V10 separará la pila de celdas de memoria y los circuitos periféricos en obleas independientes antes de unirlas. Este enfoque reduce el estrés térmico y los tiempos de ciclo, pero incrementa la complejidad de fabricación, exigiendo una alineación nanométrica y equipos de unión híbrida avanzada con control de rendimiento más estricto.
Escenario de mercado y capacidad productiva
Aunque la hoja de ruta resulta prometedora a largo plazo, los problemas de suministro actuales en el sector de memorias NAND y DRAM persistirán durante varios trimestres. La compañía seguirá invirtiendo capital para avanzar el proyecto V10, al tiempo que convierte gran parte de su capacidad a V9, trasladando decenas de miles de obleas de 12 pulgadas mensuales hacia procesos de mayor densidad.
Este movimiento permitirá reforzar la producción de SSD empresariales, ayudando a estabilizar la oferta futura. Sin embargo, la transición temporal puede limitar la disponibilidad de NAND flash en el corto plazo, ya que parte de la capacidad se destinará al cambio tecnológico.
Incremento de EUV y proyección de HBM
En cuanto a DRAM, SK Hynix no planea un aumento sustancial de capacidad a corto plazo, aunque ha comenzado la instalación de nuevas máquinas EUV en sus fábricas. Estas unidades, destinadas a la producción de HBM y almacenamiento avanzado, podrían entrar en operación en los próximos trimestres.
Según fuentes industriales, la empresa planea instalar 20 equipos EUV Low-NA en los próximos dos años, reforzando su posición en el sector de semiconductores de alta densidad y consolidando su liderazgo frente a competidores directos en memoria para IA y entornos de alto rendimiento.
Vía: TechPowerUp
