Samsung ha iniciado un cambio estratégico en su cadena de fabricación al reducir parcialmente la producción de memoria HBM3 y HBM3E, destinando una parte significativa de esa capacidad a la fabricación de DRAM convencional. La decisión responde a la necesidad de cubrir la creciente demanda del sector de inteligencia artificial y centros de datos, donde los módulos DDR5, LPDDR5X, LPDDR6 y GDDR7 están alcanzando cifras récord de pedidos.
Reasignación de capacidad hacia procesos 1b de quinta generación
Según fuentes internas, la compañía planea convertir entre 30 y 40% de su capacidad actual de producción en proceso 1a (10 nm-class) hacia las nuevas líneas 1b (10 nm-class) dedicadas a DRAM de propósito general. Este ajuste incluye inversiones adicionales para reconfigurar nodos maduros como 1z, lo que permitirá liberar el equivalente a 80.000 obleas mensuales en capacidad de proceso 1b, mejorando la flexibilidad productiva y reduciendo cuellos de botella en las líneas de alta densidad.
El cambio llega en un contexto donde la demanda de memoria DDR5 y LPDDR6 continúa escalando, impulsada por la adopción de CPU y GPU de nueva generación, así como por la transición de grandes centros de datos hacia arquitecturas optimizadas para IA generativa. Este movimiento permitirá a Samsung capitalizar el aumento de pedidos y reforzar su posición frente a competidores como Micron y SK Hynix.
Márgenes más altos en DRAM que en HBM3E
Aunque la HBM3E ofrece una complejidad técnica superior, los márgenes actuales de producción no son tan atractivos. Los informes internos de Samsung sitúan la rentabilidad de una pila HBM3E de 12-hi en torno al 30%, mientras que los márgenes previstos para la DRAM estándar superan el 60%, especialmente en configuraciones de alta capacidad destinadas a hiperescaladores y fabricantes de servidores.
La compañía prevé que la rentabilidad de HBM3E siga reduciéndose por la caída en el precio medio de venta y por la saturación de la demanda de su mayor cliente en este segmento. En consecuencia, Samsung opta por destinar sus recursos a líneas más rentables y con ciclos de amortización más cortos, lo que podría influir directamente en los costes de suministro de DDR5 y GDDR7 durante 2026.
La IA absorbe toda la producción disponible de DRAM
El auge del sector de IA garantiza que toda la producción de DRAM disponible sea absorbida sin dificultad. Los hiperescaladores están incrementando sus pedidos de DDR5 y LPDDR6 para alimentar arquitecturas de entrenamiento y despliegue de modelos multimodales, mientras que los diseñadores de ASIC como Google, Broadcom o MediaTek cubrirán la capacidad restante de HBM3E aún en operación.
Sin embargo, la conversión de las líneas de producción requerirá varios meses. Pasar de un flujo casi nulo a chips DRAM totalmente terminados implica un proceso de fabricación prolongado, con múltiples etapas de fotolitografía y encapsulado avanzado. Aun así, el cambio permitirá a Samsung maximizar beneficios en el corto plazo, manteniendo una posición sólida tanto en memoria de alto rendimiento como en productos de propósito general.
Vía: TechPowerUp
