Samsung ha completado el desarrollo de su primera memoria HBM de sexta generación (HBM4) y se encuentra en la fase final previa a la producción masiva. Según medios coreanos como AjuNews, la división Device Solutions ha superado la Production Readiness Approval (PRA), la última validación interna antes del inicio del volumen de fabricación. La HBM4 promete un aumento del 60% en el ancho de banda respecto a HBM3E, y las primeras muestras ya han sido enviadas a NVIDIA para su evaluación en la plataforma Rubin.
Los informes señalan que las muestras iniciales superan el requisito de 11 Gbps por pin, establecido por NVIDIA para su próxima generación de GPUs. El nuevo diseño combina memorias DRAM 1c-class con una base lógica de 4 nm, una arquitectura que equilibra rendimiento térmico y consumo energético manteniendo una alta densidad de datos. Una vez que NVIDIA apruebe los resultados, Samsung iniciará la producción en volumen, con líneas de fabricación ya preparadas para escalar el suministro.
Avance confirmado durante el informe financiero de Samsung
Durante la presentación de resultados del tercer trimestre de 2025, Samsung ya había confirmado que HBM4 se encontraba en manos de clientes globales y que la producción masiva está programada para 2026. En palabras de la propia compañía: “HBM3E está actualmente en producción y venta a todos los clientes, mientras que las muestras de HBM4 se envían simultáneamente a socios clave.”
La firma surcoreana ha subrayado que su división de semiconductores priorizará la estabilidad en la fabricación con tecnología GAA de 2 nm y la producción del silicio base de HBM4. Esta estrategia coincide con la expansión de la nueva planta de Taylor, Texas, prevista también para 2026.
Preparativos para una variante más rápida
Además del modelo estándar, Samsung trabaja en una variante HBM4 mejorada, destinada a ofrecer un 40% adicional de rendimiento frente a la versión actual. Los analistas señalan que la compañía podría anunciar esta evolución a mediados de febrero de 2026, reforzando así su posición en el sector de memorias de alto ancho de banda frente a rivales como SK hynix y Micron.
Con estas mejoras, la HBM4 se consolida como la pieza clave para la próxima generación de GPUs de inteligencia artificial y centros de datos de alto rendimiento, donde la demanda de eficiencia térmica y escalabilidad marcará la diferencia durante la próxima década.
Vía: TechPowerUp
