Durante el Korea Tech Festival 2025 celebrado en Seúl, Samsung ha recibido una medalla presidencial por su memoria GDDR7 de 40 Gbps, destacada como uno de los mayores avances tecnológicos del año. Este chip de 3 GB (24 Gb), fabricado en el nodo DRAM de 12 nm (clase 10 nm), ofrece un salto significativo frente a las versiones previas de 36 Gbps, alcanzando rendimientos récord destinados a la próxima generación de tarjetas gráficas.
El reconocimiento llega poco después de que Samsung confirmara el envío de muestras de sus módulos GDDR7 de 36 Gbps, mientras continúa la producción en masa de versiones de 28 Gbps también con 3 GB por chip, que presumiblemente se integrarán en la gama SUPER de NVIDIA GeForce RTX 50-Series. La compañía surcoreana refuerza así su liderazgo en memorias gráficas de alta velocidad, anticipándose a la competencia en un momento clave para el sector.
GDDR7 de 40 Gbps: eficiencia y ancho de banda extremo
Los módulos GDDR7 de 40 Gbps de Samsung marcan un nuevo hito técnico en la industria al ofrecer 3 GB de capacidad por chip, una configuración poco común hasta la fecha. Cada módulo puede alcanzar un ancho de banda de hasta 160 GB/s, superando ampliamente los 112 GB/s de los modelos GDDR6X de 28 Gbps. Este avance se logra gracias a una arquitectura interna rediseñada que mejora la eficiencia energética y reduce la latencia de acceso mediante un canal de señalización optimizado.
La adopción de este tipo de chips dependerá de la madurez de su producción en volumen. Aunque los módulos de 28 Gbps ya se fabrican a gran escala, los de 40 Gbps se encuentran aún en fase de muestreo avanzado, por lo que NVIDIA y otros socios deberán esperar a disponer de suficiente stock antes de incorporarlos a sus GPUs de nueva generación.
SK Hynix acelera con un prototipo de 48 Gbps
El desarrollo de GDDR7 avanza rápidamente también entre los competidores de Samsung. SK Hynix presentará en el ISSCC 2026 su nuevo chip GDDR7 de 24 Gb con una velocidad de 48 Gbps, que utiliza un diseño de doble canal simétrico y interfaces internas optimizadas para mejorar la integridad de señal.
Esta velocidad supone un aumento del 70% respecto a los módulos actuales de 28 Gbps, con un ancho de banda por chip de 192 GB/s, frente a los 112 GB/s de la generación anterior. Tales cifras consolidan la próxima oleada de memorias GDDR7 como la base para futuras GPU con mayores demandas de ancho de banda, especialmente en modelos con configuraciones de 3 GB por módulo.
Un futuro de VRAM cada vez más rápida
La competencia entre Samsung y SK Hynix acelera la transición del mercado hacia módulos GDDR7 de nueva generación, en un contexto de creciente necesidad de memorias de alto rendimiento para IA, renderizado 3D y gaming 8K. Los chips de 40 Gbps y 48 Gbps podrían definir los estándares de VRAM de 2026, ofreciendo menor consumo energético y mayor estabilidad térmica.
Con este reconocimiento, Samsung reafirma su liderazgo en la fabricación avanzada de DRAM, abriendo el camino a una era en la que la velocidad de memoria será clave para el rendimiento global de las GPU y aceleradores de IA del futuro inmediato.
Vía: TechPowerUp
