El fabricante SK hynix se prepara para mostrar su nueva generación de DRAM GDDR7 durante el ISSCC 2026, destacando un chip de 24 Gb capaz de alcanzar 48 Gb/s por pin, el mayor salto de rendimiento visto hasta la fecha en esta categoría. Según ZDNet Korea, la memoria adopta un diseño dual-channel simétrico y una interfaz interna revisada, lo que permite superar los 32-37 Gb/s que originalmente se estimaban como techo para la tecnología GDDR7.
El medio Global Economic News añade que esta velocidad representa un aumento superior al 70% respecto a los actuales chips GDDR6 de 28 Gb/s, elevando el ancho de banda por chip de 112 GB/s a 192 GB/s. Con una densidad de 24 Gb (3 GB por chip), será posible configurar 24 GB, 36 GB o 48 GB de VRAM en tarjetas gráficas de 8, 12 o 16 módulos.
Rendimiento teórico y posibles configuraciones
Una GPU con bus de 256 bits equipada con esta memoria alcanzaría cerca de 1,5 TB/s de ancho de banda, mientras que un modelo con bus de 512 bits podría rozar los 3 TB/s, situándose en niveles comparables a los de aceleradores HBM3E. Este tipo de cifras refuerza el papel de GDDR7 como una alternativa viable para GPU de gama alta que no requieren soluciones apiladas.
La propia SK hynix posiciona este chip como una opción para hardware de inferencia IA de gama media, una categoría donde la velocidad y la eficiencia energética pesan más que la densidad máxima. El avance, sin embargo, también abre la puerta a tarjetas gráficas profesionales y estaciones Copilot+ PCs con mayores capacidades de procesamiento local.
Contexto competitivo con Samsung y Micron
El anuncio coloca a SK hynix por delante de Samsung y Micron en la carrera por dominar el mercado GDDR7, al menos sobre el papel. Aunque los relojes finales de producto suelen ser inferiores a las cifras de laboratorio, la empresa coreana apunta ya al límite teórico más alto del estándar JEDEC.
En la actualidad, solo NVIDIA RTX PRO 6000, RTX PRO 5000 (72 GB) y RTX 5090 Laptop utilizan módulos de 3 GB, lo que confirma que la densidad de 24 Gb sigue siendo nueva en el mercado. Tradicionalmente, los trabajos presentados en el ISSCC anticipan diseños que llegan al sector data center o IA empresarial uno o dos años más tarde.
LPDDR6 y el salto móvil paralelo
Junto a la GDDR7, SK hynix también mostrará su LPDDR6, que alcanza 14,4 Gb/s, un incremento notable respecto a los 9,6 Gb/s de LPDDR5. Esta nueva DRAM móvil está pensada para smartphones de alto rendimiento, AI PCs y dispositivos edge con capacidad de ejecutar modelos generativos de IA de forma local.
El avance demuestra la estrategia de la compañía de alinear sus líneas de memoria GDDR y LPDDR bajo un mismo enfoque de computación IA, optimizando tanto el consumo como el ancho de banda en distintas plataformas, desde servidores hasta equipos portátiles.
Vía: TechPowerUp
